公开(公告)号：CN105140315B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201510437135.9

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本明 ,  饭田孝 ,  山本晃永 ,  山村和久 ,  永野辉昌

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/144

Abstract: 准备n‑型半导体基板(1)，其具有彼此相对的第1主面(1a)及第2主面(1b)，并且在第1主面(1a)侧形成有p+型半导体区域(3)。对n‑型半导体基板(1)的第2主面(1b)上的至少与p+型半导体区域(3)相对的区域照射脉冲激光，形成不规则的凹凸(10)。在形成不规则的凹凸(10)之后，在n‑型半导体基板(1)的第2主面(1b)侧，形成具有比n‑型半导体基板(1)更高的杂质浓度的累积层11。在形成累积层11之后，对n‑型半导体基板1进行热处理。

公开(公告)号：CN109478578A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780046098.6

申请日：2017-07-26

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 石田笃司 ,  永野辉昌 ,  马场隆

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146

Abstract: 光检测装置包括：半导体基板；具有受光区域且呈行列状排列在半导体基板的多个雪崩光电二极管；以及与对应的受光区域电连接的多个贯通电极。多个贯通电极配置于被多个雪崩光电二极管中的彼此相邻的四个雪崩光电二极管所包围的各个区域。从与半导体基板的第一主面正交的方向观察，各个受光区域呈多边形形状，该多边形形状包括：在行方向上彼此相对且在列方向上延伸的一对第一边；以及与包围受光区域的四个贯通电极相对且分别在与行方向以及列方向交叉的方向上延伸的四个第二边。第一边的长度比第二边的长度短。

公开(公告)号：CN109313072A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035338.2

申请日：2017-05-30

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 土屋龙太郎 ,  永野辉昌 ,  辻悠太 ,  河合刚 ,  大桑勇树

IPC: G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的光检测单元具备：第1配线基板，其具有第1主面；多个光检测芯片，其具有受光面及所述受光面的相反侧的背面，且在所述第1主面上呈二维状地排列；第1凸块电极，其将所述光检测芯片电连接于所述第1配线基板；光透射部，其设置在所述受光面上；及光遮蔽部，其具有光反射性或光吸收性；且所述光检测芯片包含盖革模式APD，在所述背面与所述第1主面相对的状态下利用所述第1凸块电极安装于所述第1配线基板上；所述光遮蔽部在自与所述第1主面交叉的第1方向观察下，在位于彼此相邻的所述光检测芯片之间的中间区域内，设置于至少较所述受光面更靠近所述光透射部一侧。

公开(公告)号：CN105679777B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201610029960.X

申请日：2012-08-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永野辉昌 ,  细川畅郎 ,  铃木智史 ,  马场隆

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/02 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明的半导体光检测元件(10)将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(APD)、相对于各雪崩光电二极管(APD)串联连接的灭弧电阻(R1)、及并联连接有灭弧电阻(R1)的信号线(TL)的光电二极管阵列(PDA)作为一个信道且具有多个信道。搭载基板(20)与各信道对应的多个电极(E9)配置于主面(20a)侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部(SP)配置于主面(20b)侧。在半导体基板(1N)中，在各信道形成有与信号线(TL)电连接的贯通电极(TE)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸块电极(BE)而电连接。

公开(公告)号：CN108431968A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680074846.7

申请日：2016-12-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山本晃永 ,  中村重幸 ,  永野辉昌 ,  里健一

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明提供一种光电转换元件，其具备：多个像素(10)，其形成于共用的半导体基板(30)，且分别包含雪崩光电二极管；第1配线(21)，其形成于上述半导体基板上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第1像素(11)电连接，且将来自上述两个以上的第1像素(11)的输出电流一并提取；以及第2配线(22)，其形成于上述半导体基板(30)上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第2像素(12)电连接，且将来自上述两个以上的第2像素(12)的输出电流一并提取；且上述第1像素(11)的受光面积大于上述第2像素(12)的受光面积。

公开(公告)号：CN105679777A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610029960.X

申请日：2012-08-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永野辉昌 ,  细川畅郎 ,  铃木智史 ,  马场隆

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/02 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14605 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明的半导体光检测元件(10)将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(APD)、相对于各雪崩光电二极管(APD)串联连接的灭弧电阻(R1)、及并联连接有灭弧电阻(R1)的信号线(TL)的光电二极管阵列(PDA)作为一个信道且具有多个信道。搭载基板(20)与各信道对应的多个电极(E9)配置于主面(20a)侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部(SP)配置于主面(20b)侧。在半导体基板(1N)中，在各信道形成有与信号线(TL)电连接的贯通电极(TE)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸块电极(BE)而电连接。

公开(公告)号：CN103907206B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201280051795.8

申请日：2012-08-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永野辉昌 ,  细川畅郎 ,  铃木智史 ,  马场隆

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14605 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明的半导体光检测元件（10）将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管（APD）、相对于各雪崩光电二极管（APD）串联连接的灭弧电阻（R1）、及并联连接有灭弧电阻（R1）的信号线（TL）的光电二极管阵列（PDA）作为一个信道且具有多个信道。搭载基板（20）与各信道对应的多个电极（E9）配置于主面（20a）侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部（SP）配置于主面（20b）侧。在半导体基板（1N）中，在各信道形成有与信号线（TL）电连接的贯通电极（TE）。贯通电极（TE）与电极（E9）经由凸块电极（BE）而电连接。

公开(公告)号：CN103907206A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280051795.8

申请日：2012-08-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永野辉昌 ,  细川畅郎 ,  铃木智史 ,  马场隆

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14605 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明的半导体光检测元件（10）将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管（APD）、相对于各雪崩光电二极管（APD）串联连接的灭弧电阻（R1）、及并联连接有灭弧电阻（R1）的信号线（TL）的光电二极管阵列（PDA）作为一个信道且具有多个信道。搭载基板（20）与各信道对应的多个电极（E9）配置于主面（20a）侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部（SP）配置于主面（20b）侧。在半导体基板（1N）中，在各信道形成有与信号线（TL）电连接的贯通电极（TE）。贯通电极（TE）与电极（E9）经由凸块电极（BE）而电连接。

公开(公告)号：CN102334197A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009099.1

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本明 ,  饭田孝 ,  山本晃永 ,  山村和久 ,  永野辉昌

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 准备n-型半导体基板(1)，其具有彼此相对的第1主面(1a)及第2主面(1b)，并且在第1主面(1a)侧形成有p+型半导体区域(3)。对n-型半导体基板(1)的第2主面(1a)上的至少与p+型半导体区域(3)相对的区域照射脉冲激光，形成不规则的凹凸(10)。在形成不规则的凹凸(10)之后，在n-型半导体基板(1)的第2主面(1a)侧，形成具有比n-型半导体基板(1)更高的杂质浓度的累积层11。在形成累积层11之后，对n-型半导体基板1进行热处理。

公开(公告)号：CN102326264A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008816.9

申请日：2010-02-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  宫崎康人 ,  米田康人 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。