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公开(公告)号：CN109923383A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780069330.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J1/02 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , G01T1/20
Abstract: 光检测装置具备一维排列有多个像素的半导体基板。光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。在栅极接地电路，通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。
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公开(公告)号：CN105679841B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610031368.3
申请日：2012-08-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L31/107 , H01L27/144
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L27/1443 , H01L27/14605 , H01L28/20 , H01L31/02005 , H01L31/02322 , H01L31/107 , H01L2224/11
Abstract: 本发明的半导体光检测元件(10)将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(APD)、相对于各雪崩光电二极管(APD)串联连接的灭弧电阻(R1)、及并联连接有灭弧电阻(R1)的信号线(TL)的光电二极管阵列(PDA)作为一个信道且具有多个信道。搭载基板(20)与各信道对应的多个电极(E9)配置于主面(20a)侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部(SP)配置于主面(20b)侧。在半导体基板(1N)中，在各信道形成有与信号线(TL)电连接的贯通电极(TE)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸块电极(BE)而电连接。
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公开(公告)号：CN105830232A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480068840.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146 , G01T1/24 , G01T1/161
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L31/1075 , H01L31/115
Abstract: 在本发明的光检测器中，规定半导体区域(14)的外缘的边界线(BY)由信号读出配线(E3)覆盖，在半导体区域(14)与信号读出配线(E3)之间构成电容器。载流子的高频成分(峰值成分)经由电容器，快速提取至外部，通过信号读出配线(E3)覆盖边界线(BY)，使半导体的边界线附近的电位稳定，输出信号稳定。
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公开(公告)号：CN105609583A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610044987.6
申请日：2012-08-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/107 , G01J1/42 , G01T1/208 , H01L27/144 , H01L27/1443 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L28/20 , H01L31/02005 , H01L31/022408 , G01T1/24 , H01L27/146 , H01L31/02
Abstract: 半导体光检测元件(10)包含：多个雪崩光电二极管(APD)，其以盖革模式动作并且形成在半导体基板(1N)内；灭弧电阻(R1)，其相对于各个雪崩光电二极管(APD)串联连接并且配置在半导体基板(1N)的主面(1Na)侧；以及多个贯通电极(TE)，其与灭弧电阻(R1)电连接且从主面(1Na)侧至主面(1Nb)侧为止贯通半导体基板(1N)而形成。搭载基板(20)包含对应于每个贯通电极(TE)而配置在主面(20a)侧的多个电极(E9)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸点电极(BE)而电连接，且半导体基板(1N)的侧面(1Nc)与玻璃基板(30)的侧面(30c)成为同一平面。
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公开(公告)号：CN104064621A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410320086.6
申请日：2010-02-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103606588A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310641850.5
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/144 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L27/1464 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: p-型半导体基板（20）具有相互相对的第1主面（20a）及第2主面（20b），且包含光感应区域（21）。光感应区域（21）由n+型杂质区域（23）、p+型杂质区域（25）、及对p-型半导体基板（20）施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p-型半导体基板（20）的第2主面（20b）上形成有不规则的凹凸（10）。在p-型半导体基板（20）的第2主面（20b）侧形成有累积层（37），累积层（37）中的与光感应区域（21）相对的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN112424634B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201980047257.3
申请日：2019-06-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S7/4863 , G01S7/481 , G01S17/89 , H01L31/107
Abstract: 半导体基板具有互相相对的第一主面和第二主面、以及矩阵状地二维排列的多个单元。各单元包含以盖革模式动作的至少一个雪崩光电二极管。在半导体基板，贯通半导体基板的沟槽以从正交于第一主面的方向观察时包围各单元的方式形成。遮光构件光学地分离多个单元中的互相相邻的单元。遮光构件具有在沟槽的第一主面上的开口端与沟槽的第二主面上的开口端之间沿半导体基板的厚度方向延伸的第一部分、和从第二主面突出的第二部分。绝缘膜具有覆盖第二部分的部分。
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公开(公告)号：CN109923383B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201780069330.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J1/02 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , G01T1/20
Abstract: 光检测装置具备一维排列有多个像素的半导体基板。光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。在栅极接地电路，通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。
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公开(公告)号：CN107408507A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680018576.8
申请日：2016-03-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L24/00 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/103 , H01L31/107 , H01L2224/0233 , H01L2224/0235 , H01L2224/0236 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/10126 , H01L2224/11 , H01L2224/12105 , H01L2224/13009 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2924/10253 , H01L2924/12043 , H01L2924/351
Abstract: 本发明所涉及的半导体装置(1)中的贯通孔(7)为垂直孔。对于包含贯通孔(7)的中心线(CL)的平面来说在分别着眼于中心线(CL)的两侧区域的情况下，将连结对应于绝缘层(10)的开口(10a)的边缘的第1点(X1)和对应于第2开口(7b)的边缘的第2点(X2)的线段设定为第1线段(S1)，将连结第2点(X2)和对应于第2开口(7b)与绝缘层(10)的表面(10b)交叉的点的第3点(X3)的线段设定为第2线段(S2)，将连结第3点(X3)和第1点(X1)的线段设定为第3线段(S3)。此时，相对于第1线段(S1)位于一方侧的绝缘层(10)的第1面积(A1)大于由第1线段(S1)和第2线段(S2)以及第3线段(S3)围起来的绝缘层(10)的第2面积(A2)与相对于第3线段(S3)位于另一方侧的绝缘层(10)的第3面积(A3)之和。
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公开(公告)号：CN104737304B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201380054725.2
申请日：2013-10-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146 , H01L31/00
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L28/24 , H01L31/02027 , H01L31/022416 , H01L31/022466 , H01L31/107
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高时间分辨率的光电二极管阵列。受光区域包含多个光检测部(10)，各个光检测部(10)具备：第1导电型的第1半导体区域(12)；第2导电型的第2半导体区域(13、14)，其与第1半导体区域(12)构成pn结；第1接触电极(3A)，其与第2半导体区域接触；第2接触电极(4A)，其具备与第1接触电极(3A)不同的材料，配置在重叠于第1接触电极(3A)的位置，并与第1接触电极接触；以及电阻层(4B)，其与第2接触电极(4A)连续。
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