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公开(公告)号：CN111864004A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202011005172.X
申请日：2020-09-23
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/108 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：台面结构，位于第二主体区上；以及钝化层，位于第二主体区上并且包围台面结构，其中钝化层的厚度与台面结构的厚度相同；以及接触金属层，位于台面结构上并与悬臂梁的端部相接，其中，接触金属层与台面结构相接触并且接触金属层的接触面尺寸大于台面结构的顶面尺寸，并且其中钝化层内部嵌入有重掺杂多晶硅，该重掺杂多晶硅具有导电特性。
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公开(公告)号：CN111863973A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202011005049.8
申请日：2020-09-23
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区，并且第二主体区包括位于衬底层上的重掺杂层以及位于重掺杂层上的轻掺杂层；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：接触金属层，位于轻掺杂层上并与悬臂梁的端部相接；以及钝化层，位于轻掺杂层上并且包围接触金属层，其中重掺杂层中对应于接触金属层的位置具有一个或多个区域，这一个或多个区域与轻掺杂层相接并且与轻掺杂层的对应区域在接触界面形成耗尽区。
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公开(公告)号：CN106847958A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611143007.4
申请日：2016-12-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 公开了光电二极管器件及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；以及设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，第一表面为光入射面。
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公开(公告)号：CN106249269A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610797083.0
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/00
CPC classification number: G01T1/24 , G01T1/241 , H01L31/02005 , H01L31/0224 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/119 , H05K1/0233 , H05K1/028 , H05K1/115 , H05K1/181 , H05K2201/10151 , H05K2201/10287 , H05K2201/10522
Abstract: 本发明提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。
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公开(公告)号：CN113131106A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911425352.0
申请日：2019-12-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种太赫兹混频器和电子组件，该太赫兹混频器包括：金属腔体，金属腔体形成有射频输入波导和本振输入波导；微带线，微带线容纳在金属腔体内，并分别延伸至射频输入波导和本振输入波导所在的金属腔体内，以分别形成用于接收射频信号和本振信号的天线，微带线远离射频输入波导的第一端设置有金属接地层，其中，金属接地层的至少远离第一端的部分上设置有用于阻挡射频信号向第一端传输的阻挡结构。该太赫兹混频器通过在金属腔体内的金属接地层上设置阻挡结构，以阻断射频信号继续向第一端(即，接地端)传输，从而有效降低导电胶涂抹或其他焊料所引入的不确定因素对太赫兹混频器特性的影响，以提高太赫兹混频器的可靠性以及一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111933744A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202011005142.9
申请日：2020-09-23
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/108 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及肖特基二极管封装结构及其制备方法。一种肖特基二极管封装结构，包括：第一结构，该第一结构提供肖特基二极管封装结构的第一电极，并且包括：第一金属层，位于第一金属层上的重掺杂层，位于重掺杂层上的轻掺杂层，位于轻掺杂层上的第二金属层以及包围第二金属层的钝化层，以及位于重掺杂层上的第三金属层；以及第二结构，该第二结构提供肖特基二极管封装结构的第二电极，并且第二结构堆叠在第一结构上。
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公开(公告)号：CN111933743A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202011005059.1
申请日：2020-09-23
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及肖特基二极管及其制造方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：台面结构，位于第二主体区上；以及钝化层，位于第二主体区上并且包围台面结构；以及接触金属层，位于台面结构上并与悬臂梁的端部相接，其中，接触金属层与台面结构相接触并且接触金属层的接触面尺寸大于台面结构的顶面尺寸。
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公开(公告)号：CN109509952A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811642822.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种太赫兹混频器及其制造方法及包括该混频器的电子设备。根据实施例，该太赫兹混频器包括：腔体，用于分别形成射频输入波导和本振输入波导，以及用于容纳微带线；微带线，通过半导体生长工艺形成在腔体的内侧表面的至少一部分上，微带线分别延伸至射频输入波导和本振输入波导所在腔体内，以分别形成用于接收射频输入信号和本振输入信号的微带线天线。
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公开(公告)号：CN107797133A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610798762.X
申请日：2016-08-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/16
Abstract: 本发明提供了一种多能区信号处理装置及多能区辐射探测系统和方法。所述多能区信号处理装置可以包括：第一处理模块，配置为接收来自探测器的信号，并对接收到的信号进行处理以产生门控信号，其中门控信号的开启时段表示接收到的信号的幅度；以及第二处理模块，配置为从第一处理模块接收门控信号，根据门控信号的开启时段确定所述信号所属的能区，以针对多个能区中的每一个计算该能区中的信号数目。
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公开(公告)号：CN105448945B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201511010038.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种同面电极光电二极管阵列及其制作方法。在低电阻率衬底，高电阻率外延类型的外延硅片的顶侧，形成第一导电类型重掺杂区域和第二导电类型掺杂区域，分别为光电二极管的阴极和阳极。该结构包括在阳极和阴极之间形成的沟槽结构，该沟槽结构可由空隙、绝缘材料、传导结构、反射材料和离子注入构成；也可以包括在阳极和阴极下方形成第一导电类型重掺杂区域、绝缘隔离层或带绝缘层的传导结构等。
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