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公开(公告)号：CN119438794A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411575852.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 贵州电网有限责任公司 , 清华大学
Inventor： 高吉普 , 胡军 , 张缘圆 , 吴世林 , 辛明勇 , 潘石 , 徐长宝 , 马浩宇 , 毕然 , 张汇泉 , 刘新霆 , 张波 , 何金良 , 高源 , 张宣 , 邱可玥 , 钟润峰 , 张钥朗
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明公开了一种配电网故障区段定位方法及系统包括：建立目标配电网模型，并基于目标配电网模型进行第一预设区段划分；获取第一预设区段划分后不同区段位置的不同短路故障的第一目标数据；对第一目标数据进行第一预处理，得到第二目标数据集；基于第二目标数据集训练第一配电网故障区段定位模型，并根据第一配电网故障区段定位模型进行配电网故障区段定位。本申请的配电网故障区段定位方法及系统为电力系统的稳定运行提供了强有力的技术支持，有助于减少停电时间，提高供电可靠性，对保障社会经济的稳定运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118112334B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202311828360.6
申请日：2023-12-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种集成微型光学电磁传感系统，涉及电场传感技术领域。集成微型光学电磁传感系统包括制冷器、金属热沉、硅基底、激光器芯片、第一光电探测器芯片和波导耦合器；金属热沉固定在制冷器上，硅基底、激光器芯片和第一光电探测器芯片固定在金属热沉上；硅基底上设置有第一光波导结构、金属电极和天线，金属电极布置在第一光波导结构的周围，天线与金属电极连接；第一光波导结构的第一输入端与激光器芯片之间以及第一输出端与第一光电探测器芯片之间均设置有波导耦合器。将硅基底、激光器芯片和第一光电探测器芯片通过金属热沉集成在制冷器上，可以使得集成微型光学电磁传感系统的体积减小，而且便于携带，实现集成化和微型化。
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公开(公告)号：CN110135116B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201910498411.0
申请日：2019-06-10
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种单根线电流的三维参数重建方法，包括模型建立步骤、数据处理步骤、参数繁衍步骤，所述模型建立步骤、数据处理步骤、参数反演步骤依次进行。其有益效果是：简化了反演计算过程，并提高了参数的计算精度，有效避免了非线性优化求解中陷入局部最优解。在一定程度上可以替代目前传统的线电流测量方式，在所有线电流参数均为未知的情况下，快速得到准确的参数重建结果。
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公开(公告)号：CN118520542A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410280950.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/13 , G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本公开涉及高压电技术领域，特别涉及一种杆塔和接地装置组合的接地计算方法。本公开通过有限元法提取等效参数，将杆塔基础等效为具有同等散流效果的单根圆柱体，解决了其由于结构复杂难以仿真建模的实际问题。通过构建输电线路杆塔基础和接地装置组合接地模型，实现对杆塔基础和接地装置组合接地的接地电阻计算。本公开可广泛应用于110kV及以上的架空输电线路接地工程。通过利用矩量法对杆塔基础与接地装置的组合接地计算，获取工频与冲击接地电阻。结合实际工程中的接地电阻限值要求，为设计单位提供了架空输电线路杆塔接地更精细化的设计方法，有利于施工单位更有效地制定施工方案并提高施工效率。
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公开(公告)号：CN117289038B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311261614.0
申请日：2023-09-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种电场测量系统及方法，差分电极产生的信号处理后得到后端信号，后端信号经低通滤波转换为电场的交流电场信号。后端信号与电磁件的驱动信号相乘后进行低通滤波转换为电场的直流电场信号。若交流电场信号为零，直流电场信号不为零，则电场为直流电场，且电场的电场信号为直流电场信号，若直流电场信号为零，交流电场信号不为零，则电场为交流电场，且电场的电场信号为交流电场信号，若直流电场信号不为零，交流电场信号不为零，则电场为交直流电场，且电场的电场信号分别为交流电场信号和直流电场信号，从而实现了对位置电场的电场类型判断，即是直流还是交流还是交直流，同时能够分别得到交流电场信号和直流电场信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113563528B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011195775.0
申请日：2020-10-30
Applicant: 中国石油化工股份有限公司 , 中国石油化工股份有限公司北京化工研究院 , 清华大学
IPC: C08F255/04 , C08F212/08 , C08F212/12 , C08L51/06 , H01B3/44
Abstract: 本发明属于新材料领域，涉及一种芳香烯烃接枝改性聚丙烯作为绝缘材料的应用和绝缘材料。该芳香烯烃接枝改性聚丙烯包括衍生自共聚聚丙烯的结构单元和衍生自苯乙烯类单体的结构单元；以芳香烯烃接枝改性聚丙烯的重量为基准，所述芳香烯烃接枝改性聚丙烯中衍生自苯乙烯类单体且处于接枝态的结构单元的含量为0.5～14wt％。本发明所用的芳香烯烃接枝改性聚丙烯可在较高工作温度下兼顾机械性能和电性能，适用于高温、高运行场强工况，是非常理想的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN113563527B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011195771.2
申请日：2020-10-30
Applicant: 中国石油化工股份有限公司 , 中国石油化工股份有限公司北京化工研究院 , 清华大学
IPC: C08F255/04 , C08F220/32 , C08F220/14 , C08F220/06 , C08F220/18
Abstract: 本发明属于聚合物领域，涉及一种接枝改性聚丙烯材料及其制备方法与应用。该接枝改性聚丙烯材料包括衍生自共聚聚丙烯的结构单元和衍生自丙烯酸酯类单体以及任选的丙烯酸类单体的结构单元；以接枝改性聚丙烯材料的重量为基准，所述接枝改性聚丙烯材料中衍生自丙烯酸酯类单体以及任选的丙烯酸类单体且处于接枝态的结构单元的含量为0.3～7wt％；所述共聚聚丙烯具有以下特征：共聚单体含量为0.5～40mol％；二甲苯可溶物含量为2～80wt％。本发明的接枝改性聚丙烯材料可在较高工作温度下兼顾机械性能和电性能。
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公开(公告)号：CN113563522B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011190889.6
申请日：2020-10-30
Applicant: 中国石油化工股份有限公司 , 中国石油化工股份有限公司北京化工研究院 , 清华大学
IPC: C08F255/04 , C08F226/06 , C08F226/10 , C08F226/12 , H01B3/44
Abstract: 本发明属于新材料领域，涉及一种聚丙烯接枝杂环的改性材料作为绝缘材料的应用和绝缘材料。该聚丙烯接枝杂环的改性材料包括衍生自共聚聚丙烯的结构单元和衍生自含烯基的杂环类单体的结构单元；以聚丙烯接枝杂环的改性材料的重量为基准，所述聚丙烯接枝杂环的改性材料中衍生自含烯基的杂环类单体且处于接枝态的结构单元的含量为0.5～6wt％。本发明所用的聚丙烯接枝杂环的改性材料可在较高工作温度下兼顾机械性能和电性能。
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公开(公告)号：CN113563520B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011190993.5
申请日：2020-10-30
Applicant: 中国石油化工股份有限公司 , 中国石油化工股份有限公司北京化工研究院 , 清华大学
IPC: C08F255/02 , C08F222/06 , C08F212/08 , H01B3/30
Abstract: 本发明属于新材料领域，涉及一种含有酸酐基团的聚丙烯接枝物作为绝缘材料的应用和绝缘材料。该含有酸酐基团的聚丙烯接枝物包括衍生自共聚聚丙烯的结构单元、衍生自酸酐单体的结构单元和衍生自含烯基聚合单体的结构单元；以含有酸酐基团的聚丙烯接枝物的重量为基准，所述含有酸酐基团的聚丙烯接枝物中衍生自酸酐单体和含烯基聚合单体且处于接枝态的结构单元的含量为0.1～5wt％；并且，所述含有酸酐基团的聚丙烯接枝物中衍生自酸酐单体且处于接枝态的结构单元的含量为0.05～2wt％。本发明的含有酸酐基团的聚丙烯接枝物可在较高工作温度下兼顾机械性能和电性能。
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公开(公告)号：CN118184334A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410293069.1
申请日：2024-03-14
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112
Abstract: 本发明公开了一种高通流ZnO压敏电阻压片的制备方法，属于压敏电阻领域。本发明制备方法包括压敏电阻压片的原料配制，按照配比取各原料经过球磨混合、喷雾干燥压制成四棱柱胚体，然后进行烧结、磨片工艺得到压片成品。本发明压制成型工艺相较于传统圆柱胚体，使用现有磨片工艺打磨侧面，降低压敏电阻气孔率，均匀性增加，同时解决在涂覆高阻层与绝缘层时同一柱体上部比下部薄均匀性差的问题，大幅提高高阻层的均匀度；涂覆修复层代替传统高阻层工序，修复层体系中去掉了氧化硅、氧化锑等氧化物，降低了烧结过程中生成硅锌矿、锑酸锌等尖晶石物质的生成，使修复介质可以充分修复侧面晶粒与晶界，抑制了侧面闪络现象。
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