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公开(公告)号：CN106623487B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201611145910.4
申请日：2016-12-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种锆合金元件盒的制备方法，包括：提供锆方管，所述锆方管内具有待矫形位置，所述待矫形位置具有初始尺寸以及目标尺寸；根据所述初始尺寸及所述目标尺寸，确定总形变量；确定矫形热处理次数，所述矫形热处理次数至少2次；根据所述总形变量及所述矫形热处理次数，确定所述锆方管每次矫形热处理的单次形变量；根据所述初始尺寸及所述单次形变量，为每次矫形热处理提供一种尺寸的模具，所述模具材料的热膨胀系数大于相同条件下所述锆方管材料的热膨胀系数；以及按照所述模具的尺寸由小到大的顺序，在每次矫形热处理时使用对应尺寸的所述模具，将所述模具装入所述锆方管内部，进行所述至少2次矫形热处理。形变相对缓慢，受力均匀稳定。
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公开(公告)号：CN100417587C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510053865.5
申请日：2005-03-14
Applicant: 清华大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种微米/纳米组合结构器件的制作方法，包括：对一基体掺杂以形成一用作基体电极的掺杂层；成形一绝缘层并露出基体电极；淀积一牺牲层并露出基体电极；淀积一多晶硅层，并对多晶硅层进行掺杂；溅射一金属层；用多晶硅层和金属层成形出质量块、电极以及基座；其中，基座与质量块之间通过连接梁连接，质量块整体位于牺牲层之上；将质量块下方的牺牲层腐蚀去除，使得质量块悬空；将一维纳米材料固定在电极和质量块上；将基座与质量块之间的连接梁刻蚀去除。本发明集成成熟的MEMS工艺以及纳米材料组装技术来制作微米/纳米组合结构器件，其中组合结构中的MEMS微结构在工艺上易于实现，能够与IC工艺集成，实现批量生产。
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公开(公告)号：CN1796952A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101600.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微纳组合结构的力传感器，包括桥式梁、质量块、基体和设置在基体上的多个电极，电极和基体之间具有一绝缘层，桥式梁的两端固定在电极上，质量块悬空固定在桥式梁的中间；其中，桥式梁为半导体氧化物纳米带，还包括一个用于测量桥式梁谐振频率的谐振频率检测电路。本发明的力传感器是微机电传感器与纳米材料的组合，采用半导体氧化物纳米带作为桥式梁，其结构可控且无缺陷，同时纳米带的柔韧性极佳，在力作用下能够有更大的形变等优点，这些优点可提高传感器的分辨率和精度。采用半导体氧化物纳米带作为桥式梁，可利用半导体氧化物纳米带的场效应管特性或其压电特性，使得传感器的测量方法有了更多的选择。
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