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公开(公告)号：CN106076311B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610489180.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 渤海大学
IPC: B01J23/14 , B82Y30/00 , C02F1/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明属功能材料制备技术领域，涉及一种二氧化钛/二氧化锡复合氧化物超细纳米颗粒的制备方法，将钛酸四丁酯和四氯化锡,溶解在草酸水溶液中，在加热并且搅拌的条件蒸干水后，进行交联反应，然后在马弗炉进行热处理即获得二氧化钛/二氧化锡复合氧化物超细纳米颗粒。本发明工艺简便易行，纯度高，分散均匀，杂质含量低，产品制备成本低，性能优异。本发明所制备的二氧化钛/二氧化锡复合氧化物超细纳米颗粒作为光催化材料使用具有较高的催化活性，在降解染料废水及室内有害气体，光催化消毒等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105664718B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610042515.7
申请日：2016-01-22
Applicant: 渤海大学
IPC: B01D59/28
Abstract: 本发明属现代电子和半导体工业中，硅同位素分离领域，特别是一种多塔串联分离生产富集28Si、29Si和30Si的方法及装置，具体生产步骤如下：（1）SiF4气体与络合剂反应生成络合物；（2）将络合物与SiF4气体进行化学交换反应；（3）将络合物进行裂解反应；产生的SiF4气体除去络合剂后，再进入第一化学交换塔组件；产生的络合剂回输至第一络合塔；（4）将第一络合塔顶部富集的29Si和30Si的气相送至第二化学交换塔组件，再与络合物进行化学交换反应；（5）将络合物送至第二裂解塔进行裂解反应。本发明硅同位素分离丰度高，分离效率理想，可有效降低单个设备高度。
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公开(公告)号：CN105536821B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510874619.X
申请日：2015-12-03
Applicant: 渤海大学
IPC: B01J27/053 , C07C41/50 , C07C43/30
Abstract: 本发明属氧化制二甲氧基甲烷固体催化剂领域，尤其涉及一种甲醇高选择性氧化制二甲氧基甲烷的双效催化剂的制备方法，按如下步骤实施：（1）称取草酸和硫酸盐，加入含乙醇的蒸馏水，搅拌，使固体溶解得溶液A；（2）向步骤（1）所述溶液A中加入偏钒酸铵，搅拌，使偏钒酸铵固体溶解得溶液B；（3）将焙烧后的TiO2与步骤（2）所述溶液B混合；室温搅拌均匀后，静置；将步骤（3）所得产物转移至反应釜中进行加热处理；处理结束后，将步骤（4）所得产物取出反应釜，冷却，将反应釜中白色沉淀产物过滤，洗涤，真空干燥；将干燥所得粉末焙烧，即得目的产物。本发明目的产物具有良好V2O5的分散性，同时具有氧化活性和酸中心。
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公开(公告)号：CN105948106B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610489159.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明属功能材料制备技术领域，涉及一种窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的制备方法，向草酸水溶液中滴加氯化亚锡的甲醇溶液，在恒温并且搅拌的条件下反应直到前驱物沉淀生成，过滤、水洗、干燥，然后在马弗炉进行热处理即获得窄带隙二氧化锡半导体纳米材料。本发明工艺简便易行，纯度高，杂质含量低，产品制备成本低，性能优异，可以工业化批量生产。本发明制备的目的产物窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的禁带宽度为2.4～2.6 eV，具有良好的导电、隔热、透明，以及光催化等性能。
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公开(公告)号：CN105905940A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610222104.6
申请日：2016-04-12
Applicant: 渤海大学
IPC: C01G23/053 , B01J23/755
CPC classification number: C01G23/053 , B01J23/755 , B01J35/004 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/80
Abstract: 本发明属功能材料制备技术领域，涉及一种钛酸镍/二氧化钛复合纳米材料的制备方法，将乙酰丙酮镍和乙酰丙酮钛,在醇溶液中溶解混合均匀后，在一定温度下进行交联反应，然后在马弗炉进行热处理即获得钛酸镍/二氧化钛复合纳米材料。本发明工艺简便易行，纯度高，杂质含量低，产品制备成本低，性能优异，可以工业化批量生产。本发明所制备的钛酸镍/二氧化钛复合纳米材料作为光催化材料使用具有较高的催化活性，在降解染料废水及室内有害气体，光催化消毒等领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105883924A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610339152.3
申请日：2016-05-23
Applicant: 渤海大学
CPC classification number: Y02E60/13 , C01G45/02 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2006/80 , H01G11/46 , H01M4/502
Abstract: 本发明属功能材料制备技术领域，涉及一种三氧化二锰等级结构材料的制备方法，向草酸水溶液中滴加可溶性锰盐水溶液，在恒温并且搅拌条件下反应直到前驱物沉淀生成，反应结束后，再经过滤、水洗、干燥和煅烧后即获得三氧化二锰等级结构材料。产品是由大量的氧化锰纳米粒子组装而成的片状等级结构材料。片的尺寸在10～20μm之间，氧化锰纳米粒子的尺寸在20～30 nm之间。该工艺制备成本低，操作容易控制，具有较高的生产效率，可以实现工业化大量生产。本发明所制备的三氧化二锰等级结构材料作为电极材料使用具有较高的比电容，和良好循环性能。
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公开(公告)号：CN105664718A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610042515.7
申请日：2016-01-22
Applicant: 渤海大学
IPC: B01D59/28
CPC classification number: B01D59/28
Abstract: 本发明属现代电子和半导体工业中，硅同位素分离领域，特别是一种多塔串联分离生产富集28Si、29Si和30Si的方法及装置，具体生产步骤如下：（1）SiF4气体与络合剂反应生成络合物；（2）将络合物与SiF4气体进行化学交换反应；（3）将络合物进行裂解反应；产生的SiF4气体除去络合剂后，再进入第一化学交换塔组件；产生的络合剂回输至第一络合塔；（4）将第一络合塔顶部富集的29Si和30Si的气相送至第二化学交换塔组件，再与络合物进行化学交换反应；（5）将络合物送至第二裂解塔进行裂解反应。本发明硅同位素分离丰度高，分离效率理想，可有效降低单个设备高度。
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公开(公告)号：CN105470002A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510848187.5
申请日：2015-11-27
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明属无机非金属材料制备领域，尤其涉及一种钴酸镍多孔微米带/泡沫镍复合电极材料制备方法，将洁净的泡沫镍浸入到草酸水溶液中,在室温并且搅拌的条件下，向上述溶液中滴加可溶性镍盐和可溶性钴盐混合水溶液。搅拌反应直到泡沫镍表面上生长出微米结构前驱体，取出泡沫镍，依次清洗、干燥和煅烧后即得钴酸镍多孔微米带/泡沫镍复合电极材料。本发明工艺简便易行、产品纯度高、制备成本低，所得产品具有新颖的形貌，并且牢固的生长在高导电性的泡沫镍表面。钴酸镍多孔微米带的厚度在50~80nm之间，长度在3~5μm左右，宽度在300~500μm左右，纳米孔道尺寸在5~20nm之间，且产品的均一性、分散性都很好。
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公开(公告)号：CN105271438A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510707828.5
申请日：2015-10-27
Applicant: 渤海大学
IPC: C01G51/00
Abstract: 本发明属无机非金属材料制备领域，尤其涉及一种双海胆形貌的钴酸镁多孔结构电极材料制备方法，其以可溶性镁盐、可溶性钴盐、尿素和氟化铵在醇/水混合溶液中充分溶解后，进行水热反应，过滤、洗涤后，再经过干燥、煅烧冷却后即得双海胆形貌的钴酸镁多孔结构电极材料。本发明工艺简便易行、产品纯度高、制备成本低，所得产品是形貌新颖的双海胆形貌，整体粒径的尺寸在5～8 mm之间，每个刺的直径在5~50 nm 之间，长度在3~5 mm之间。且产品的均一性、分散性都很好，将其应用于超级电容器，大大提高了现有容量器的性能，且生产工艺较简单，易于应用于实际大规模生产。
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公开(公告)号：CN105244191A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510705545.7
申请日：2015-10-27
Applicant: 渤海大学
Abstract: 本发明属无机非金属材料制备领域，尤其涉及一种钴酸锰多孔纳米片/泡沫镍复合电极材料制备方法，其以可溶性锰盐、可溶性钴盐、尿素和氟化铵在醇/水混合溶液中充分溶解。将洗净并干燥好的泡沫镍浸入到上述混合溶液中,进行水热反应，洗涤干燥后得到长有纳米片列阵的泡沫镍，再经过干燥、煅烧冷却后即得钴酸锰多孔纳米片/泡沫镍复合电极材料。本发明工艺简便易行、产品纯度高、制备成本低，所得产品具有新颖的形貌，并且牢固的生长在高导电性的泡沫镍表面。钴酸锰纳米片的厚度在50~80nm之间，长宽在1mm左右，且产品的均一性、分散性都很好，可以直接应用于超级电容器电极材料，且生产工艺较简单，易于应用于实际大规模生产。
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