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公开(公告)号：CN105870623A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610404560.2
申请日：2016-06-07
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q13/08 , H01Q13/106
Abstract: 本发明公开了一种加载超表面的宽带圆极化高增益低剖面微带缝隙天线，能在5.1～6.3GHz频带实现圆极化辐射，从上到下依次包括紧密接触的上层介质基板(2)、开有缝隙的金属铜接地板(3)和下层介质基板(4)，上层介质基板(2)的上表面设有金属贴片组(1)，下层介质基板(4)的下表面设有共面波导馈电结构(5)。本发明的金属贴片组和上层介质基板构成超表面结构，实现线极化波到圆极化波的转换；共面波导馈电结构与金属铜接地板共同构成带有地板的共面波导，从信号导带向天线馈电。本发明基于微带缝隙天线同时采用超表面加载技术，利用共面波导馈电，使得天线具备在宽频带内圆极化特性、增益高、剖面低的优点，且结构简单、加工方便。
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公开(公告)号：CN102790283A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210258857.4
申请日：2012-07-24
Applicant: 电子科技大学 , 无锡成电科大科技发展有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于亚铁磁体的可调谐三频负磁导率超材料及制备方法，属于微波材料技术领域。所述材料由亚铁磁体与印制有一种金属单环双磁谐振结构的印制电路板层叠而成。具体实现方法是由印制有单环双磁谐振结构阵列的印制电路板实现两个负磁导率频段，由亚铁磁体在外加直流磁场控制下实现另一负磁导率频段；通过改变外加直流磁场强度，同时智能控制三个负磁导率频段。本发明所构造的三频负磁导率超材料具有智能特性，能用于可调谐三频负折射率超材料、可调谐三频带通/带阻滤波器、可调谐三频电磁隐形材料和吸波材料等领域。
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公开(公告)号：CN118500442A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410696384.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明公开了一种用于天文/惯性组合导航联合仿真算法测试系统，包括：路径生成器模块、内置传感器模型模块、用户自定义传感器模型模块、算法控制器模块、用户自定义算法模块、仿真报告生成器模块、系统总控模块、控制台模块、磁盘模块。本发明采用纯软件实现，内置星敏感器、加速度计、陀螺仪模型，参数可自由控制以评估不同精度的传感器，降低验证成本，即对硬件要求低，无需购买额外传感器，对验证环境要求低，克服了现有天文/惯性组合导航算法验证需要大量设备、维护成本高、验证时间长的缺点，具有成本低、易拓展、易维护、人机交互友好性高的特点，有效降低天文/惯性组合导航算法的验证成本和提高验证效率。
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公开(公告)号：CN118233269A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410195222.7
申请日：2024-02-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种NOMA‑OFDM体制的通导融合信号设计方法，应用于卫星导航增强技术与通信领域，针对现有技术在多用户复杂场景下的定位精度不高的问题；本发明设计基于5G中NOMA信号体制设计了通导融合信号帧结构，将5G通信系统与导航定位系统在信号体制上进行融合。基于NOMA‑OFDM信号体制，通过采用不同的梳状结构和不同位置下的块状结构来设计测距导频信号。本发明可根据不同用户在当前状态下对通信和定位的要求，灵活配置测距导频信号，满足多用户同时进行通信和定位服务需求，极大提高通信资源利用率、远近用户的位置服务质量和通信可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111929636B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010547426.4
申请日：2020-06-16
Applicant: 宜宾电子科技大学研究院
IPC: G01S1/08 , G06Q10/087
Abstract: 本发明公开了一种金属容器智能识别与标记定位方法，包括以下步骤：S1、调节输入发射功率：通过对连上读写器的天线自适应调节发射功率，使得调整后的发射功率Pts满足当前天线只覆盖单个库位，实现第一次金属容器智能识别的功能；S2、进行金属容器正偏标记定位；S3、二次自适应调节输入的发射功率。本发明采用两次自适应调节发射功率，提高了RFID系统用于容器智能识别和标记定位方法的自适应性和内部稳健性。其中第一次自适应发射功率可作为容器智能识别单库位的读写器工作功率，利用对应库位的天线号实现容器的自动化可靠识别；第二次自适应发射功率可作为给定正位区域范围下的容器二次标记定位的读写器工作功率，能够实现容器正偏位置的精准定位。
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公开(公告)号：CN110137691B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910499655.0
申请日：2019-06-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开一种基于周期性磁性材料的超宽带吸波器，应用于电磁场与微波技术领域，针对现有的吸波器存在的工作频段还不够宽以及吸波器的厚度较厚的问题，本发明的吸波器由若干吸波器单元周期性排列构成，吸波器单元从上至下依次为：第一层磁性材料、第二层磁性材料以及金属反射板；在所述第一层磁性材料的中心位置挖孔，在第二层磁性材料的中心位置挖孔，在第一层磁性材料的四个角各挖去四分之一孔，且第一层磁性材料、第二层磁性材料的孔结构相同尺寸不同；本发明基于周期性磁性材料的超宽带吸波器可以实现电磁波宽频段的吸波，且结构紧凑简单、易于加工与装配、相对厚度薄。
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公开(公告)号：CN111693906A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010587423.3
申请日：2020-06-24
Applicant: 电子科技大学 , 苏州芯镁信电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基腔光机械系统洛伦兹力磁场传感器加工方法，包括以下步骤S1、准备SOI衬底；S2、在SOI衬底表面蒸镀一层绝缘介质层，在绝缘介质层上蒸镀一层金属薄膜形成洛伦兹线圈结构；S3、通过图形化处理和等离子体增强蚀刻工艺在SOI衬底上蚀刻出大质量块、固定块、悬臂梁以及周期排列的腐蚀孔；S4、采用电子束曝光刻蚀技术，刻蚀出光子晶体结构；S5、采用HF气体腐蚀大质量块、固定块以及光子晶体区域下方SOI衬底埋氧层。本发明采用了新型的金属氧化物和氟化物作为介质层，并使用HF干法释放工艺，解决了传统介质层无法耐受HF溶液的问题，极大的缩短了工艺时间，且不存在局部F离子浓度不均匀的状况，刻蚀更加均匀。
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公开(公告)号：CN109617589A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811569233.8
申请日：2018-12-21
Applicant: 电子科技大学 , 淮北幻境智能科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种使用天线阵列产生射频准艾里波束的装置，一种使用天线阵列产生射频准艾里波束的装置，其特征在于，包括馈电网络和与馈电网络相连接的多个天线单元。本发明提供了一种生成射频准艾里波束的装置，可以选择独立天线阵列或者自适应天线阵列作为发射装置，通过馈电网络精确地对每个常规天线单元进行馈电，利用天线阵列生成了一种波束，该波束在一定传播范围内具有横向自加速特性和近似无衍射特性，因此可以认为生成准艾里波束。
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公开(公告)号：CN109524770A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811425056.6
申请日：2018-11-27
Applicant: 电子科技大学 , 淮北幻境智能科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于Pancharatnam-Berry超表面的微波近似无衍射波束发射装置，包括介质基板以及制备于介质基板上的Pancharatnam-Berry超表面阵列，所述Pancharatnam-Berry超表面阵列由若干个矩形C-字互补型金属开口谐振环单元组成。本发明提供的基于Pancharatnam-Berry超表面的微波近似无衍射波束发射装置，基于Pancharatnam-Berry超表面技术的微波近似无衍射波束的产生、赋形等工作机制，电磁特性分析理论等技术方法，得出微波近似无衍射波束的电磁模型，利用该工作机制，设计方法和电磁模型，能够快速准确的进行微波近似无衍射波束发射装置的设计。
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