-
公开(公告)号：CN111693906A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010587423.3
申请日：2020-06-24
Applicant: 电子科技大学 , 苏州芯镁信电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基腔光机械系统洛伦兹力磁场传感器加工方法，包括以下步骤S1、准备SOI衬底；S2、在SOI衬底表面蒸镀一层绝缘介质层，在绝缘介质层上蒸镀一层金属薄膜形成洛伦兹线圈结构；S3、通过图形化处理和等离子体增强蚀刻工艺在SOI衬底上蚀刻出大质量块、固定块、悬臂梁以及周期排列的腐蚀孔；S4、采用电子束曝光刻蚀技术，刻蚀出光子晶体结构；S5、采用HF气体腐蚀大质量块、固定块以及光子晶体区域下方SOI衬底埋氧层。本发明采用了新型的金属氧化物和氟化物作为介质层，并使用HF干法释放工艺，解决了传统介质层无法耐受HF溶液的问题，极大的缩短了工艺时间，且不存在局部F离子浓度不均匀的状况，刻蚀更加均匀。
-
公开(公告)号：CN111693906B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010587423.3
申请日：2020-06-24
Applicant: 电子科技大学 , 苏州芯镁信电子科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅基腔光机械系统洛伦兹力磁场传感器加工方法，包括以下步骤S1、准备SOI衬底；S2、在SOI衬底表面蒸镀一层绝缘介质层，在绝缘介质层上蒸镀一层金属薄膜形成洛伦兹线圈结构；S3、通过图形化处理和等离子体增强蚀刻工艺在SOI衬底上蚀刻出大质量块、固定块、悬臂梁以及周期排列的腐蚀孔；S4、采用电子束曝光刻蚀技术，刻蚀出光子晶体结构；S5、采用HF气体腐蚀大质量块、固定块以及光子晶体区域下方SOI衬底埋氧层。本发明采用了新型的金属氧化物和氟化物作为介质层，并使用HF干法释放工艺，解决了传统介质层无法耐受HF溶液的问题，极大的缩短了工艺时间，且不存在局部F离子浓度不均匀的状况，刻蚀更加均匀。
-
公开(公告)号：CN115962765A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211307550.9
申请日：2022-10-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01C19/56 , G01C19/5691
Abstract: 本发明公开一种新型腔光机械式微半球陀螺仪，应用于惯性测量领域，针对传统微半球陀螺仪中存在的加工工艺复杂、制作成本高、成品率低、可靠性差等关键技术难题；本发明采用腔光力系统进行驱动与检测，其结构简单，区别于传统的电极驱动与检测不需要表面金属化，降低了整体加工难度；本发明用腔光力系统代替了传统的电容检测结构，显著提高了检测微弱角速度的能力，从而提高了角速度探测灵敏度；本发明利用腔光力系统独有的光弹性效应提供微半球谐振子的机械品质因数。
-
公开(公告)号：CN114609888B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210223881.8
申请日：2022-03-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种原子钟‑腔光机械系统互锁型光生微波源，具体基于腔光机械系统的高效光机械振荡、光弹性效应以及全光链路特性，利用腔光机械振荡器代替CSAC架构中的MEMS振荡器，具有超高稳定度，可以有效弥补CSAC架构的缺陷，减小对电子电路及器件的依赖，进一步改善CSAC的短时间稳定性，降低CSAC的功耗；同时利用CSAC架构中铯/铷原子的超高稳定度射频信号输出，可以有效解决光机械振荡器输出信号稳定度差的技术问题，具有尺寸小，功耗低，系统简单，输出信号有超高稳定度的特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118112283A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410061820.5
申请日：2024-01-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01P15/03
Abstract: 本申请提供一种高精度硅波导集成光子晶体腔的光力式微加速度计，包括：硅微机械振子结构、光子晶体微腔结构和硅波导结构；所述光子晶体微腔结构包括：结构相同的第一光子晶体微腔结构和第二光子晶体微腔结构；所述第一光子晶体微腔结构包括：第一光子晶体结构、第二光子晶体结构、以及第一空气槽；所述硅波导结构包括：结构相同的第一硅波导结构和第二硅波导结构；所述第一硅波导结构包括：第一直波导、第一渐变波导、第一光子晶体波导、第一光子晶体波导‑微腔耦合结构、第二光子晶体波导、第二渐变波导和第二直波导；具有探测精度与灵敏度较高的有益效果；适用于惯性测量的技术领域。
-
公开(公告)号：CN116073218A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310139342.0
申请日：2023-02-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种量子增强型原子钟‑腔光机械系统互锁型光生微波源，应用于光生微波技术领域，针对现有的芯片级微波源中存在的加工工艺复杂、尺寸大、可靠性差，频率稳定度低等关键技术难题，本发明利用腔光机械振荡器代替CSAC架构中的MEMS振荡器，具有超高稳定度，可以有效弥补CSAC架构的缺陷，减小对电子电路及器件的依赖，进一步改善CSAC的短时间稳定性，降低CSAC的功耗；同时利用CSAC架构中铯/铷原子的超高稳定度射频信号输出，可以有效解决光机械振荡器输出信号稳定度差的技术问题，具有尺寸小，功耗低，系统简单，输出信号有超高稳定度的特点。
-
公开(公告)号：CN118938394B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410972021.3
申请日：2024-07-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于SOI的长距离硅波导释放加工方法，应用于MOEMS传感器领域，针对现有释放加工技术中存在的HF气体通过硅波导两侧凹槽把下方的SiO2层也腐蚀掉，硅波导由于没有支撑而发生塌断，从而导致加工失败的问题；本发明利用氟化镁强抗氟化氢气体腐蚀的特性，采用一系列微纳加工工艺实现对集成长距离硅波导区域的保护，极大提高了硅波导加工成功率，避免了在长距离硅波导释放加工中非常容易出现的硅波导塌断、偏移、弯曲等加工缺陷。
-
公开(公告)号：CN118938394A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410972021.3
申请日：2024-07-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于SOI的长距离硅波导释放加工方法，应用于MOEMS传感器领域，针对现有释放加工技术中存在的HF气体通过硅波导两侧凹槽把下方的SiO2层也腐蚀掉，硅波导由于没有支撑而发生塌断，从而导致加工失败的问题；本发明利用氟化镁强抗氟化氢气体腐蚀的特性，采用一系列微纳加工工艺实现对集成长距离硅波导区域的保护，极大提高了硅波导加工成功率，避免了在长距离硅波导释放加工中非常容易出现的硅波导塌断、偏移、弯曲等加工缺陷。
-
公开(公告)号：CN114609888A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210223881.8
申请日：2022-03-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种原子钟‑腔光机械系统互锁型光生微波源，具体基于腔光机械系统的高效光机械振荡、光弹性效应以及全光链路特性，利用腔光机械振荡器代替CSAC架构中的MEMS振荡器，具有超高稳定度，可以有效弥补CSAC架构的缺陷，减小对电子电路及器件的依赖，进一步改善CSAC的短时间稳定性，降低CSAC的功耗；同时利用CSAC架构中铯/铷原子的超高稳定度射频信号输出，可以有效解决光机械振荡器输出信号稳定度差的技术问题，具有尺寸小，功耗低，系统简单，输出信号有超高稳定度的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.041 seconds)
