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公开(公告)号：CN1162970C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN01138402.6
申请日：2001-07-24
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
CPC classification number: H03K17/0822 , H02H1/043 , H02H3/087 , H03K2017/0806
Abstract: 包括稳态分量电流(Irefc)和瞬态分量电流(Ireft)的基准电流(Iref)被馈送给基准FET(QB)，从而使当流经主FET(QA)的负载电流(ID)不位于包含瞬态分量的过电流范围内时，所述主FET(QA)的源极电位(VSA)不低于所述基准FET(QB)的源极电位(VSB)。通过检测所述主FET(QA)源极电位(VSA)低于所述基准FET的源极电位(VSB)使所述基准电流(Iref)振动。振动次数被计数为预定次数，借此使所述主FET(QA)截止。
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公开(公告)号：CN102484470B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180003624.3
申请日：2011-08-03
Applicant: 矢崎总业株式会社
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/163 , H03K17/74
Abstract: 本发明公开一种负载控制设备，在该设备中即便设置用于噪声对策的第一电容器(C1)，检测过电流的电路也能够正确地工作。由于第二电容器(C2)设置FET(T1)的门极和漏极之间，当点(P1)的电压(V1)减小时，FET(T1)的一部分门极电流绕过该FET(T1)并且流向电容器(C2)，并施加在FET(T1)的门极的电荷量减少。因此，能够抑制FET(T1)的漏极电流的增加并且能够防止电压(V1)的突然变化。结果，能够防止电压(V1)减少到使比较器(CMP1)不能工作的程度，并且能够防止比较器(CMP1)不正常工作。
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公开(公告)号：CN102057573B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980120841.3
申请日：2009-06-02
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H03K17/082 , H02H3/087
CPC classification number: H02H3/087 , G01R19/16571 , H03K17/0822 , H03K17/18 , H03K2217/0027 , H03K2217/0063
Abstract: 本发明提供一种负载电路的过电流保护装置，其能够进行高精度过电流检测而不受放大器(AMP1)的偏移电压(Voff)的影响。如果在放大器(AMP1)中存在偏移电压(Voff)并且该偏移电压(Voff)具有正值(Voff＞0)的时候，电流源(IA)将从流经电阻器(R1)的电流(I1)中减去了电流(Ia)的电流供给到电阻器(R3)。此外，如果偏移电压(Voff)具有负值(Voff＜0)，那么电流源(IB)引起电阻器(R2)中的电压降，并且控制使得电压(Vds)成为等于在电阻器(R1)中产生的电压。结果，在电阻器(R3)中产生的电压(V3)成为从中消除了偏移电压(Voff)的影响的电压，从而使得能够进行从中消除了偏移电压(Voff)的影响的高精度过电流判定。
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公开(公告)号：CN102057574B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200980120995.2
申请日：2009-06-05
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H03K17/082
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K2217/0027
Abstract: 一种能够以高精度检测过电流而不受半导体元件(T1)的导通电阻的偏差±ΔRon影响的负载电路的过电流保护装置。假定电阻器R3与电阻器R1之间的比率(R3/R1)是放大系数m，由电阻器R4、R5生成的判定电压是V4，而MOSFET(T1)的导通电阻的平均值是Ron，负载电路的过电流保护装置控制流经电阻器R3的电流I3或者流经电阻器R5的电流IR5，使得当具有电流值(V4/m/Ron)的电流流入到MOSFET(T1)时，比较器CMP1的输出信号反转。例如，当导通电阻的偏差±ΔRon具有正值时，通过从流经R1的电流I1中减去与该偏差±ΔRon成比例的电流而生成电流I3，或者通过使流经R4的电流IR4加上与该偏差±ΔRon成比例的电流而生成电流I5。相反地，当导通电阻的偏差±ΔRon具有负值时，通过使与该偏差±ΔRon成比例的电流ΔI1与电流I1相加而生成电流I3，或者通过从电流IR4中减去与该偏差±ΔRon成比例的电流而生成电流IR5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101946398B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980105678.3
申请日：2009-02-20
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H02P7/29
Abstract: 本申请提供一种能够抑制电子开关的生热和抑制伴随风扇的旋转和风扇的振动而产生的噪音的电机负载控制装置。设置其中第一电子开关(T1)和第二电子开关(T2)并联连接的开关部(17)，并且通过具有预定占空比和预定频率的PWM信号来驱动第一电子开关(T1)，而在使驱动第一电子开关的该PWM信号延迟了预定时间的情况下来驱动第二电子开关(T2)。结果，与一个电子开关的情况相比，能够减小每个电子开关的发热量，并且能够减小整个装置的辐射程度。此外，能够通过随机改变延迟时间来减小由PWM控制所产生的噪声或振动。
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公开(公告)号：CN102576626A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080042294.4
申请日：2010-12-21
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
Abstract: 提供一种用于继电器电路的发热抑制装置，利用该发热抑制装置，可以减少在继电器电路工作期间由励磁线圈产生的发热量。公开的发热抑制电路包括：设置在励磁线圈(Xc)与地面之间的电阻器(R1)；以及设置在第一点(p1)与点(p2)之间的二极管(D1)。在开关(SW1)已经接通之后即刻直到继电器触点(Xa)闭合之前，励磁电流(Ia)经由二极管(D1)朝向地面流动，从而施加于励磁线圈的电压变为基本等于电源电压(VB)，并且能够可靠地使继电器触点闭合。此外，当继电器触点(Xa)闭合时，励磁电流(Ia)经由电阻器(R1)流向地面，从而施加于励磁线圈(Xc)的电压降低，并且能够减少发热量。
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公开(公告)号：CN101682320B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200980000294.5
申请日：2009-03-18
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
CPC classification number: H03K17/0822 , B60Q11/00 , H02H3/087 , H03K17/302 , H05B39/04
Abstract: 本发明涉及一种电力供给装置，由于在半导体元件(T1)的漏极电压(V1)变为低于比较器(CMP1)的同相输入最小电压之前关断该半导体元件(T1)，所以能够确定地保护负载电路。此外，假设第一判定电压是(L_V1)而第二判定电压是(V3)，当电压(V1)变为“V1＜L_V1”时，执行重试操作。当“V1＜L_V1”的次数达到N1次时，或者当L_V1＜V3＜V1的次数达到N2次时，保持半导体元件(T1)的关断状态以保护负载电路。此外，当电压(V1)由于连接器(11)的不良接触而突然下降时，电压(V1)的最小值不是稳定值，并且不保持半导体元件(T1)的关断状态。
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公开(公告)号：CN102057574A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980120995.2
申请日：2009-06-05
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H03K17/08 , H02M1/00 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K2217/0027
Abstract: 一种能够以高精度检测过电流而不受半导体元件(T1)的导通电阻的偏差±ΔRon影响的负载电路的过电流保护装置。假定电阻器R3与电阻器R1之间的比率(R3/R1)是放大系数m，由电阻器R4、R5生成的判定电压是V4，而MOSFET(T1)的导通电阻的平均值是Ron，负载电路的过电流保护装置控制流经电阻器R3的电流，使得当具有电流值(V4/m/Ron)的电流流入到MOSFET(T1)时，比较器CMP1的输出信号反转。例如，当导通电阻的偏差±ΔRon具有正值时，通过从电流I1中减去与该偏差±ΔRon成比例的电流ΔI1而生成电流I3。相反地，当导通电阻的偏差±ΔRon具有负值时，通过使与该偏差±ΔRon成比例的电流ΔI1与电流I1相加而生成电流I3。
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公开(公告)号：CN101946398A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105678.3
申请日：2009-02-20
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H02P7/29
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电子开关的生热和抑制伴随风扇的旋转和风扇的振动而产生的噪音的电机负载控制装置。设置其中第一电子开关(T1)和第二电子开关(T2)并联连接的开关部(17)，并且通过具有预定占空比和预定频率的PWM信号来驱动第一电子开关(T1)，而在使驱动第一电子开关的该PWM信号延迟了预定时间的情况下来驱动第二电子开关(T2)。结果，与一个电子开关的情况相比，能够减小每个电子开关的发热量，并且能够减小整个装置的辐射程度。此外，能够通过随机改变延迟时间来减小由PWM控制所产生的噪声或振动。
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