公开(公告)号：CN109069980A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780021046.3

申请日：2017-03-27

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  藤森洋治 ,  冈田和己 ,  大塚智弘

IPC: B01D53/047 ,  B01D53/053

Abstract: 本发明的目的在于提供一种气体分离方法及气体分离装置，其可兼顾除去对象气体成分的除去性能和回收对象气体成分的回收率。将原料气体g0供给至吸附单元10的一侧的吸附槽11导出透过气体g1。将另一侧的吸附槽12的压力设置为比吸附时的压力更低而导出脱吸气体g2。配合吸附单元10的运转周期，或根据所述原料气体g0的状态，将透过气体g1或脱吸气体g2中的、应该优先除去的优先除去对象气体成分在所述除去对象气体成分中的浓度或者分压比所述原料气体g0低的气体作为返回吸附单元10的返回气体。

公开(公告)号：CN104428858B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380036748.0

申请日：2013-03-21

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 中岛节男 ,  大塚智弘 ,  功刀俊介

IPC: H01G9/20

CPC classification number: H01G9/2068 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明提供一种电气模块，其是具有配置在同一面上的多个单元的电气模块，包括第一电极和与所述该第一电极相对配置的第二电极，在这些所述第一电极与所述第二电极之间夹设有电解质地粘贴，并且具备与所述第一电极连接的第一电极端子和与所述第二电极连接的第二电极端子，所述电气模块使用了第一结构与第二结构中的至少一者，该第一结构是通过沿厚度方向贯穿所述第一电极而设置的开口部将连接于所述第二电极的所述第二电极端子向所述第一电极的外部表面侧取出，该第二结构是通过沿厚度方向贯穿所述第二电极而设置的开口部将连接于所述第一电极的所述第一电极端子向所述第二电极的外部表面侧取出。

公开(公告)号：CN101816064B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880109735.0

申请日：2008-09-26

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘 ,  功刀俊介 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其课题在于，使硅的蚀刻速度提高。其中，在氟系原料的CF4和Ar的混合气体中添加露点成为10℃～40℃的量的水，在大气压下进行等离子体化。将等离子体化后的气体和来自臭氧发生器13的含有臭氧的气体混合，得到反应气体。反应气体包含1vol％以上的臭氧、COF2等非自由基氟系中间物质和0.4vol％以上的HF等氟系反应物质，氟原子数(F)和氢原子数(H)的比为(F)/(H)＞1.8。将该反应气体喷射到温度10℃～50℃的硅膜91(被处理物)上。

公开(公告)号：CN101617393B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880005459.3

申请日：2008-02-20

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 大塚智弘 ,  石井彻哉 ,  中岛节男

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的抑制硅蚀刻中的处理不均，条均一性。在大致大气压下，从喷出口41向被处理物10喷出含有氟化氢和臭氧的处理气体，同时，使包括喷出口41的处理头39相对于被处理物10在左右往返或单程移动，蚀刻在被处理物10的表面形成的硅。以使在被处理物10的表面上形成的凝结层18的厚度t成为规定厚度以下的方式将所述移动速度设定为规定以上，优选设定为3～4m/分钟以上。

公开(公告)号：CN101427353B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200780014194.9

申请日：2007-04-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32366

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其可以提高硅的蚀刻速度。在该蚀刻方法中，在含有氟且不具有与硅的反应性的作为氟系原料的CF4中，添加露点成为10℃～40℃的量的水；使得到的低露点氟系原料通过大气压附近的等离子空间(26)，这样，生成含有非自由基的作为氟系中间气体的COF4且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)>1.5的氟系反应性气体；向温度设定在10℃～50℃的被处理物喷射含有可以使硅氧化的作为氧化性气体的O3和在所述等离子空间(26)中生成的氟系反应性气体的反应性气体；氟系中间气体的COF4与水反应进而成为能够对氧化硅进行蚀刻的HF等氟系蚀刻气体。

公开(公告)号：CN101427353A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014194.9

申请日：2007-04-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32366

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其可以提高硅的蚀刻速度。在该蚀刻方法中，在含有氟且不具有与硅的反应性的作为氟系原料的CF4中，添加露点成为10℃～40℃的量的水；使得到的低露点氟系原料通过大气压附近的等离子空间(26)，这样，生成含有非自由基的作为氟系中间气体的COF4且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)＞1.5的氟系反应性气体；向温度设定在10℃～50℃的被处理物喷射含有可以使硅氧化的作为氧化性气体的O3和在所述等离子空间(26)中生成的氟系反应性气体的反应性气体；氟系中间气体的COF4与水反应进而成为能够对氧化硅进行蚀刻的HF等氟系蚀刻气体。