公开(公告)号：CN101308781A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810097146.7

申请日：2008-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 林直辉 ,  荒井俊明

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种半导体设备、薄膜晶体管基板以及显示设备及其制备方法，该制造半导体设备的方法包括步骤：在基板上形成半导体薄膜和由金属氧化物制成的绝缘膜的层叠结构；在层叠结构的顶上形成光吸收层；以及将具有能被光吸收层吸收的波长的能量束照射在光吸收层上，并通过光吸收层中产生的热来使绝缘膜和半导体薄膜同时结晶化。