公开(公告)号：CN101740564B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200910208848.2

申请日：2009-11-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/32 ,  H01L29/92 ,  H01L29/43 ,  G09F9/33 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管衬底和具有这种薄膜晶体管衬底的显示装置，这种薄膜晶体管衬底能够减小电容器中的层间短路缺陷。这种薄膜晶体管衬底包括：衬底；薄膜晶体管，在衬底上依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层和源-漏电极；以及电容器，在衬底上依次具有底电极、电容器绝缘膜和由氧化物半导体形成的顶电极。

公开(公告)号：CN101308781B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810097146.7

申请日：2008-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 林直辉 ,  荒井俊明

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种半导体设备、薄膜晶体管基板以及显示设备及其制备方法，该制造半导体设备的方法包括步骤：在基板上形成半导体薄膜和由金属氧化物制成的绝缘膜的层叠结构；在层叠结构的顶上形成光吸收层；以及将具有能被光吸收层吸收的波长的能量束照射在光吸收层上，并通过光吸收层中产生的热来使绝缘膜和半导体薄膜同时结晶化。

公开(公告)号：CN101604662A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910203384.6

申请日：2009-06-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明

IPC: H01L21/82 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3246 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供制造显示单元的方法以及显示单元，在第一电极具有包括金属和氧化物电导体的层叠结构的情况下，能够减少氧化物电导体的由溅射靶引起的微粒，且在金属和氧化物电导体之间获得有利的导电性。制造在第一电极和第二电极之间具有显示层的显示单元的方法，其中形成第一电极的步骤包括这样的步骤：在基板上形成层叠结构，该层叠结构依次包括有金属制作的第一层和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层；以及在形成层叠结构后提供表面氧化处理，由此在第二层的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜。

公开(公告)号：CN101123260B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200710138494.X

申请日：2007-08-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丰田基博 ,  荒井俊明

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵型显示装置及其制造方法，在该显示装置中像素电路使用多个薄膜晶体管形成，其中形成薄膜晶体管的沟道区域的薄半导体膜以不同的晶体状态制成。

公开(公告)号：CN101752426A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253625.8

申请日：2009-12-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明 ,  诸泽成浩 ,  德永和彦

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极；形成在栅电极上的栅绝缘膜；氧化物半导体薄膜层，该层在栅绝缘膜上形成对应于栅电极的沟道区；沟道保护层，该层被形成在栅绝缘膜和氧化物半导体薄膜层上至少与沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；和源/漏电极，该源/漏电极被形成在沟道保护层上并且电连接至氧化物半导体薄膜层，其中第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且第一沟道保护层和第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。

公开(公告)号：CN1917207A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610132298.7

申请日：2006-07-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L2227/323

Abstract: 一种显示装置，该显示装置包括多个以矩阵形式位于基板上的单位像素，各个单位像素在不同于像素中心的位置具有薄膜晶体管，且设置第一行中的单位像素和与第一行相邻的第二行中的单位像素，使得它们相对于与基板主表面垂直的第一虚拟平面对称。

公开(公告)号：CN101291554B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200810091216.8

申请日：2008-04-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/5281 ,  Y10S117/904

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置的制造方法以及显示装置，该半导体装置的制造方法，用于进行采用多个照射光学系统用能量束照射半导体膜的退火工艺，在该半导体膜上包括薄膜晶体管形成区域的元件形成区域排列成二维图案，其中，在该退火工艺中，用能量束照射的区域分成单束照射区域和边界区域，单束照射区域由多个照射光学系统中的每一个用能量束单独照射，而边界区域位于彼此相邻的单束照射区域之间，并且由进行单束照射区域的束照射的两个照射光学系统用能量束照射。

公开(公告)号：CN101330023B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200810128852.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丰田基博 ,  荒井俊明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、使用该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管的制造方法包括步骤：在绝缘基板上顺序形成栅电极、栅绝缘膜和非晶硅膜；仅在该非晶硅膜的将用作沟道区的区域中形成沟道保护膜；以及在该沟道保护膜和非晶硅膜上顺序形成n+硅膜和金属层。该方法还包括步骤：构图该非晶硅膜和n+硅膜以选择性留下与源和漏电极对应的区域，使用该沟道保护膜作为蚀刻停止层以选择性去除该n+硅膜和金属层的与该沟道区对应的区域从而从该n+硅膜形成源和漏区且还从该金属层形成源和漏电极。

公开(公告)号：CN100541744C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710138894.0

申请日：2007-05-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明 ,  稻垣敬夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供了一种能够抑制薄膜晶体管特性改变而不恶化其性能的薄膜晶体管的制造方法以及一种薄膜晶体管以及显示单元。在该方法种，通过经由光热转换层和缓冲层间接热处理形成晶体硅膜。通过图案化该缓冲层和绝缘膜，在晶体硅膜上对应于沟道区域的区域中选择性地形成沟道保护膜。进一步，当选择性地去除n+硅膜和金属层时，沟道保护膜作为刻蚀停止。当形成晶体硅膜时均匀提供热。进一步，在刻蚀中保护晶体硅膜的沟道区域。

公开(公告)号：CN101330023A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810128852.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丰田基博 ,  荒井俊明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、使用该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管的制造方法包括步骤：在绝缘基板上顺序形成栅电极、栅绝缘膜和非晶硅膜；仅在该非晶硅膜的将用作沟道区的区域中形成沟道保护膜；以及在该沟道保护膜和非晶硅膜上顺序形成n+硅膜和金属层。该方法还包括步骤：构图该非晶硅膜和n+硅膜以选择性留下与源和漏电极对应的区域，使用该沟道保护膜作为蚀刻停止层以选择性去除该n+硅膜和金属层的与该沟道区对应的区域从而从该n+硅膜形成源和漏区且还从该金属层形成源和漏电极。