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公开(公告)号：CN107978683B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201711002821.9
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件。具体地，本发明涉及有机半导体材料以及包含所述半导体材料的电子器件，特别涉及电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含第一电子传输基质化合物和n型电掺杂剂；本发明还涉及包含所述电器件和/或电致发光器件的器件，特别涉及显示器件，特别涉及包含所述OLED的显示器件。
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公开(公告)号：CN108463898B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201680073099.5
申请日：2016-12-14
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管，所述有机发光二极管包含至少一个发光层、电子注入层和至少一个阴极电极，其中：‑所述电子注入层包含有机膦化合物，其中所述电子注入层不含金属、金属盐、金属络合物和金属有机化合物；‑所述阴极电极至少包含第一阴极电极层，其中‑所述第一阴极电极层包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属和/或第3族过渡金属的第一零价金属；并且‑所述电子注入层布置成与所述第一阴极电极层直接接触。
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公开(公告)号：CN108431289A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680065794.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10-2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
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公开(公告)号：CN107978685A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711038165.8
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5076 , C07D221/18 , C07D239/70 , C07D251/24 , C07D495/04 , H01L51/0054 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/5012 , H01L51/508 , H01L2251/301 , H01L2251/533 , H01L2251/554
Abstract: 本发明涉及包括氧化还原掺杂的电子传输层和辅助电子传输层的有机电致发光器件。具体地，本发明涉及有机电致发光器件，特别地涉及包括至少两个电子传输层的ETL堆叠体的有机发光二极管(OLED)，其中第一电子传输层包含第一电子传输基质化合物并且第二电子传输层包含第二电子传输基质化合物和氧化还原n型掺杂剂；以及涉及包括所述OLED的装置。
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公开(公告)号：CN118772142A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410407956.7
申请日：2024-04-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D471/04 , H10K85/60 , H10K50/16
Abstract: 本发明涉及一种化合物、半导体材料、有机发光二极管和显示装置。具体地，本发明涉及一种化合物。本发明还涉及一种包含所述化合物的半导体材料、一种包含所述半导体材料的有机发光二极管以及一种包含所述有机发光二极管的显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111602259B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201880082306.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
Abstract: 本发明涉及一种电子器件及其制备方法，所述电子器件含有包含硼酸盐络合物的半导体层，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。
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公开(公告)号：CN118434821A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280081402.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管和包含其的显示装置或发光装置，所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层、电子注入层和电子传输层叠层。
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公开(公告)号：CN118414894A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280081455.3
申请日：2022-12-08
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管、用于制备其的方法和包含其的显示器件或照明器件，所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层、电子注入层和电子传输层叠层。
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公开(公告)号：CN117859413A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280056158.3
申请日：2022-08-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H10K50/16 , H10K85/60 , C07D239/74 , C07D239/70 , C07D239/26 , C07D403/10 , C07D405/10 , C07D241/12 , C07D221/18
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管和包含其的显示装置或照明装置，所述有机发光二极管包含不透明衬底、阳极、阴极、发光层、电子注入层和电子传输层叠层。
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