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公开(公告)号:CN105440010A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201510593730.1
申请日:2015-09-17
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: C07D319/12 , C07D321/08 , H01M10/0567
CPC classification number: H01M10/0567 , C07D319/12 , C07D321/08 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供一种新型化合物、包含其的锂二次电池电解液以及包含本发明的锂二次电池电解液的锂二次电池,本发明的二次电池电解液的高温稳定性、低温放电容量及寿命特性非常优异。
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公开(公告)号:CN105428714A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510590956.6
申请日:2015-09-16
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0525 , C07F5/02
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2220/30 , H01M2300/0034 , H01M2300/0037 , C07F5/02
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池电解液及包含其的锂二次电池,具体地,提供一种高温稳定性、低温放电容量及寿命特性非常优异的二次电池电解液,所述二次电池电解液包含锂盐;非水性有机溶剂;以及下述化学式1所示的硼衍生物:所述化学式1中,R1至R4相互独立地为(C1-C10)烷基、(C6-C12)芳基或(C6-C12)芳基(C1-C10)烷基,R1至R2的烷基、芳基及芳烷基可以进一步被选自氰基、羟基、卤素、(C1-C10)烷基及(C6-C12)芳基中的一个以上的取代基取代。
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公开(公告)号:CN105359324A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201480038141.0
申请日:2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/052
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/382 , H01M4/405 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/027 , H01M2004/028
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池电解液及包含其的锂二次电池,本发明的二次电池电解液的具有高温稳定性、低温放电容量及寿命特性高的优点。
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公开(公告)号:CN112442372B
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202010908291.X
申请日:2020-09-02
IPC: C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 蚀刻组合物,使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物,其包括磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物和由以下式1表示的铵盐:[式1]#imgabs0#其中:L1‑L3独立地为取代或未取代的亚烃基,R1‑R4独立地为氢、取代或未取代的烃基基团,以及Xn‑为n价阴离子,其中n为1‑3的整数。
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公开(公告)号:CN115215873A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202210413396.7
申请日:2022-04-20
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开高新信息电子材料株式会社
IPC: C07D487/10 , C07D471/10 , C08G73/10 , C08L79/08 , C08J5/18
Abstract: 本发明涉及一种新型二氮杂螺环化合物及其用途,本发明的新型二氮杂螺环化合物可以非常有用地用作制备具有优异的光学特性的聚酰亚胺膜的单体。
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公开(公告)号:CN110527511B
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN201910422918.8
申请日:2019-05-21
IPC: C09K13/06 , H01L21/306 , H01L21/311 , C07F7/18 , C07F9/6596
Abstract: 一种蚀刻剂组合物,其包括由以下化学式1表示的硅烷化合物:[化学式1]其中R1‑R6独立地为氢、卤素、取代或未取代的C1‑C20烃基、苯基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三C1‑C20烷基甲硅烷基、磷酰基或氰基,L为直接键或C1‑C3亚烃基,A为n价基团,n为1‑4的整数。
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公开(公告)号:CN110527512B
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN201910433994.9
申请日:2019-05-23
IPC: C09K13/06 , C07F7/18 , C07F9/50 , C07F9/6596 , C07F9/53
Abstract: 一种蚀刻剂组合物,其包括磷酸和由以下化学式1表示的硅烷化合物:[化学式1]其中A为n价基团,L为C1‑C5亚烃基,R1‑R3独立地为氢、羟基、烃基或烷氧基,其中R1‑R3各自存在或通过杂元素相互连接,n为2‑5的整数。
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公开(公告)号:CN111100640B
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN201911017313.7
申请日:2019-10-24
Abstract: 本发明提供了一种具有高选择比的蚀刻组合物及其制备方法,所述蚀刻组合物能够选择性地去除氮化物膜并使氧化物膜的蚀刻速率最小化。本发明还提供了一种通过使磷酸酐与下式1表示的硅烷化合物反应而制备的蚀刻组合物添加剂,所述蚀刻组合物添加剂的制备方法和包含所述蚀刻组合物添加剂的蚀刻组合物:[式1]
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公开(公告)号:CN112768747A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202110179039.4
申请日:2016-06-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供锂二次电池用电解质和含有其的锂二次电池。本发明的二次电池用电解质具有优异的高温稳定性、优异的低温放电容量和优异的生命周期特性。
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公开(公告)号:CN112442373A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010827110.0
申请日:2020-08-17
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物、使用蚀刻组合物蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物,其包含:磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物以及由下式1表示的有机磷酸酯:[式1] 其中,R1至R3独立地为氢或者取代或未取代的烃基基团,并且R1至R3的至少一个为取代或未取代的烃基基团。
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