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公开(公告)号:CN102163542B
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201110005767.X
申请日:2011-01-07
IPC: H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供可抑制性能劣化的薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片。具备准备其上面形成有相互分离的2个电子元件(13)的基板(S1)的工序;以支撑基板(S2)经由电子元件(13)与基板(S1)相对的方式通过粘结层(15)贴合基板(S1)与支撑基板(S2)的工序;除去基板(S1)而使电子元件(13)与粘结层(15)露出的工序;将露出的电子元件(13)和粘结层(15)与包含因加热而使粘着力下降的材料的划片胶带(11)贴附的工序;除去支撑基板(S2)的工序;从划片胶带(11)和电子元件(13)剥离粘结层(15)而露出电子元件(13)的工序;通过加热划片胶带(11)而使电子元件(13)从划片胶带(11)分离的工序。
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公开(公告)号:CN102024460B
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201010293115.6
申请日:2010-09-20
Abstract: 本发明涉及薄膜元件及其制造方法、使用其的磁头悬架组件、硬盘驱动器。薄膜元件的制造方法具备以下工序:将包含电极膜的层叠体形成于基板上的工序;将层叠体加工成规定的形状并将薄膜元件部形成于基板上的工序;以支撑基板经由薄膜元件部与基板相对的方式用粘结膜将支撑基板贴合于基板的工序;在贴合工序之后,除去基板的工序;在基板的除去工序之后,将低刚性膜形成于除去了基板的一侧的薄膜元件部上的工序;以及在低刚性膜的形成工序之后,除去支撑基板以及粘结膜的工序,在低刚性膜的形成工序与支撑基板以及粘结膜的除去工序之间不将基板设置于低刚性膜上。
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公开(公告)号:CN102163542A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201110005767.X
申请日:2011-01-07
IPC: H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供可抑制性能劣化的薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片。具备准备其上面形成有相互分离的2个电子元件(13)的基板(S1)的工序;以支撑基板(S2)经由电子元件(13)与基板(S1)相对的方式通过粘结层(15)贴合基板(S1)与支撑基板(S2)的工序;除去基板(S1)而使电子元件(13)与粘结层(15)露出的工序;将露出的电子元件(13)和粘结层(15)与包含因加热而使粘着力下降的材料的划片胶带(11)贴附的工序;除去支撑基板(S2)的工序;从划片胶带(11)和电子元件(13)剥离粘结层(15)而露出电子元件(13)的工序;通过加热划片胶带(11)而使电子元件(13)从划片胶带(11)分离的工序。
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