公开(公告)号：CN206505886U

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201720242532.5

申请日：2017-03-14

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 张强 ,  胡银富 ,  冯进军

IPC: H01J25/34 ,  H01J23/09 ,  H01J23/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于微带线的行波管直角输能结构，该直角输能结构包括：包括内导体、介质窗片和外导体的同轴窗以及包括介质基底及形成在介质基底上的导体的微带线；所述微带线的导体垂直于所述内导体与内导体位于行波管外的一端电连接；所述内导体位于行波管内的一端与螺旋线电连接，本实用新型同时公开了一种带有所述直角输能结构的行波管，本实用新型通过采用基于微带线的直角输能结构实现贴着行波管的表面输入或输出螺旋线上的能量，降低了行波管输能结构的高度，从而降低了行波管的径向尺寸，便于行波管应用于相控阵天线系统中。

公开(公告)号：CN203588963U

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201320696904.3

申请日：2013-11-07

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 马乔生 ,  卢朝政 ,  鲜海鹏

IPC: H01J23/09

Abstract: 本实用新型涉及微波电子学领域，尤其是涉及一种无引导磁场相对论返波管振荡器。本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有技术存在的现有技术返波管需要一个很强的轴向引导磁场的问题，提供一种无引导磁场相对论返波管振荡器，采用在通过内置阳极箔来引导阴极产生的电子束的方式。这就克服现有RBWO需要一个很强的轴向引导磁场的问题，该阳极箔同时起到反射返波的作用。一种无引导磁场相对论返波管振荡器，包括阴极端、壳体、漂移段、慢波结构、内导体等。本实用新型应用于返波管振荡器设计领域。

公开(公告)号：CN205177767U

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201521052870.X

申请日：2015-12-16

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所 ,  西北核技术研究所

Inventor： 张运俭 ,  孟凡宝 ,  滕雁 ,  丁恩燕 ,  曹亦兵 ,  李正红 ,  马乔生 ,  吴洋

IPC: H01J25/46 ,  H01J23/09

Abstract: 本实用新型公开了一种21GHz同轴相对论返波振荡器，包括：阳极，其为包含有慢波结构的圆柱波导腔；阴极，其设置在所述圆柱波导腔内并通过绝缘子连接在所述阳极的一个端面上；电子束引导栅网，其设置在所述圆柱波导腔内并位于所述阴极的电子发射端的下游；同轴内导体，其为圆柱体结构；所述同轴内导体的一端设置在所述圆柱波导腔内，另一端通过金属支架连接在所述阳极的另一个端面上；且所述同轴内导体与所述阴极、所述圆柱波导腔形成同轴结构。本实用新型采用电子束透过率大于90％的电子束引导栅网引导电子束进入束波互作用区，降低了所需的外部磁场强度，使得器件需要的引导磁场降低至0.5T，减小了器件外部庞大的引导磁场系统的尺寸以及对能源提供的需求。

公开(公告)号：CN209641619U

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201920312780.1

申请日：2019-03-13

Applicant: 西安众力为半导体科技有限公司

Inventor： 罗景涛 ,  严可为

IPC: H01J23/09 ,  H01J25/10

Abstract: 本公开涉及一种电子束器件，包括：半导体衬底以及半导体衬底表面的GaN/AlGaN复合层，GaN/AlGaN复合层的一端设有阴极，GaN/AlGaN复合层的另一端设有阳极，阴极和阳极之间设有调制输入端和调制输出端。由于GaN/AlGaN复合层是由排列整齐的晶格原子构成的半导体材料，在阳极和阴极之间施加电压偏置时，GaN/AlGaN复合层的异质结界面处的电子束流穿行于这些晶格原子中，其漂移速度将会受到极大的限制，因此，该电子束流在一个时间周期内的运行距离就相应地减小了，这样，可以大大地缩小电子束器件的尺寸，实现电子束器件的微型化，解决了传统电子束器件尺寸过大的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205177765U

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201521033879.6

申请日：2015-12-11

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 张运俭 ,  孟凡宝 ,  丁恩燕 ,  李正红 ,  马乔生 ,  吴洋

IPC: H01J23/12 ,  H01J23/09

Abstract: 本实用新型公开了一种强流电子束径向向内发射无磁场高功率微波器件，包括：阳极，其具有容纳腔；阴极，其通过绝缘子与阳极连接并位于容纳腔内；同轴内导体，其与阳极连接并位于容纳腔内；同轴内导体与容纳腔形成同轴结构；耦合板，其连接在同轴内导体的端面上；四个具有相同圆心不同半径的环形金属栅网，其固定连接在栅网支撑区及同轴内导体上，四个环形金属栅网与耦合板、同轴内导体组成谐振腔。将电子束发射方式改为径向，并利用金属栅网来分隔腔体，由于电子束径向发射，因此电子束的截面较大，能在电流密度较低的情况下传输更高的束流强度；同时径向结构使空间电荷效应较小，空间极限电流大，可允许有较大的束电流输入，而不产生虚阴极效应。