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公开(公告)号：CN113571908B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110796528.4
申请日：2021-07-14
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明公开了一种收发共用的二维可重构光控波束形成网络装置，涉及相控阵雷达领域。该装置的第一光功分器的1路输出端与第一调制解调模块连接，N路输出端与调制解调阵列的一端连接；第一调制解调模块还与光色散延时单元连接；光色散延时单元与第二光功分器的输入端连接，第二光功分器的N路输出端与光开关延时单元连接；光开关延时单元还与调制解调阵列的另一端连接。本发明适用于基于微波光子真延时的技术实现的相控阵天线，实现了波束在方位向和俯仰向二维控制，并通过上述拓扑结构，使天线发射和接收都使用同一套延时网络，实现发射波束与接收波束的双向共用。
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公开(公告)号：CN115733447B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211434120.3
申请日：2022-11-16
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明公开一种具有温度补偿的轨到轨运算放大器，包括：偏置电流镜电路，轨到轨输入电路，与轨到轨输入电路适配连接的中间电路和轨到轨输出电路；所述中间电路包括两个晶体管和两个电阻，所述中间电路包括两个晶体管和两个电阻，对运算放大器进行温度补偿；所述轨到轨输出电路，用于增大所述第一运算放大单元所输出信号的输出摆幅；运算放大器采用AB类偏置输出结构。本发明的轨到轨运算放大器具有温度补偿、低功耗、高驱动能力的特点，相较于传统的轨到轨运算放大器,通过改变电路输出结构，采用晶体管和电阻分压的方式来优化温度系数，从而解决AB类轨到轨运算放大器在不同工艺角温度下相位裕度不稳定的问题，提升了运算放大器的稳定性。
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公开(公告)号：CN112102439B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010920175.X
申请日：2020-09-04
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: G06F9/451
Abstract: 本发明公开了一种目标特征图像绘制装置及动态绘制方法，所述绘制装置包括数据处理装置和图像显示装置，所述图像显示装置的显示区分为数据区和绘制区；所述数据区用于显示当前目标对应的数据库中相应目标的特征数据；所述绘制区根据所述当前目标的特征种类数分为多个绘制窗口，每个绘制窗口根据不同目标特征绘制相应目标特征的特征图像；其中，所述多个绘制窗口中至少有一个绘制窗口中的特征图像为动态绘制。本发明通过将显示区分为数据区和绘制区，并结合调用数据库中的相应数据，使大数据量特征图像可以通过动态绘制的方式，有效解决出图延迟问题，并有效克服数据过量加载对绘图软件造成的卡顿。
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公开(公告)号：CN117863168A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311558120.9
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明实施例公开一种基于机器视觉的板卡自动抓取方法及系统。在一具体实施方式中，该方法包括利用控制单元将安装在协作机械臂上的力矩夹爪和三维相机移动到板卡机箱具有开口的一侧的中心高度位置；利用所述三维相机获取所述板卡机箱中所有板卡的点云图像并发送至定位单元；利用基于机器视觉的所述定位单元识别待抓取板卡并经过多次位置修正和角度修正后得到所述待抓取板卡的真实坐标；利用所述控制单元根据所述真实坐标控制所述力矩夹爪自动抓取所述待抓取板卡。该实施方式提高了自主维护能力，减轻了作业人员工作负担，节约了人力并提升效率，有效降低成本，提高精度，实时性强。
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公开(公告)号：CN117755715A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311536793.4
申请日：2023-11-17
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: B65G7/12
Abstract: 本发明涉及一种辅助插拔装置，设有把手，把手上可旋转地固定有至少两个支撑座，支撑座上通过榫卯结构可拆卸的连接有至少一个扩展块，支撑座和/或扩展块上可拆卸的连接有螺钉座，螺钉座上开设有安装孔。采用本方案，支撑座上设有榫卯结构，并通过榫卯结构可连接螺钉座或扩展块，螺钉座设置有安装孔，可通过往安装孔中穿入螺栓来固定对应的需移动的工件，从而带动工件移动；扩展块对螺钉座的横向位置起到扩展的效果，支撑座可旋转的固定在把手上，使得支撑座在把手上的角度可调，支撑座通过榫卯结构来连接螺钉座和扩展块，便于根据不同的运用场景，更换与支撑座连接的螺钉座和扩展块，调节方便，效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113814757B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111188810.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明涉及一种加工方法，涉及极化器领域，极化器加工装置包括基座组件、芯轴和压块，所述基座组件具有两个支撑部，每个所述支撑部上分别可拆卸的安装有所述压块，所述芯轴可拆卸的穿在两个所述支撑部内，所述芯轴具有两个基准面，两个所述基准面的上端相向倾斜，所述芯轴的顶面具有水平的Z轴定位面。加工方法采用所述极化器加工装置实现，利用芯轴进行刀具找正。极化器打孔精度有了明显改观。找正和极化器定位方便快捷，生产效率提高了80％，大大缩短了打孔生产周期。
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公开(公告)号：CN112764029B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202011490935.4
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: G01S13/90
Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种基于GPU的SAR实时成像实现方法和装置，包括：S100、CPU接收机载雷达获取的回波数据，并对所述回波数据进行预处理；S102、GPU接收所述经过预处理的回波数据，并对所述经过预处理的回波数据进行成像处理，得到成像结果；S104、GPU将所述成像结果返送给所述CPU。本发明根据成像需求采用了距离‑多普勒(R‑D)成像算法，并给出了算法的流程模块；根据机载SAR算法成像模块，采用了CPU+GPU的硬件处理平台进行算法实现，并对算法进行详细的任务划分，给出了详细的实现过程；通过对比GPU与DSP的实时性和成像结果，验证了本实现方法的正确性与有效性。
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公开(公告)号：CN115498034B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211118526.0
申请日：2022-09-13
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件及其制备方法。在一具体实施方式中，包括缓冲层；在缓冲层上方形成的GaN沟道层；在GaN沟道层上方形成的势垒层；在势垒层上方形成的栅极、源极和漏极；第一钝化层，其形成在栅极和漏极之间的区域以及栅极和源极之间的区域中；以及栅极场板，其电连接到栅极并形成在第一钝化层上方，该栅极场板上形成有图形化开孔。该实施方式通过图形化的场板结构，直接控制场板产生电场的强度大小、强度的均匀性和面积大小，能够平均峰值电场；同时也可以最大面积上抑制虚栅形成，有利于器件更稳定工作；而且可以有效提升场板金属的制程良率，也可以降低贵金属的使用量，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114619175B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210142341.7
申请日：2022-02-16
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: B23K37/00 , B23K37/04 , H05K3/34 , B23K101/42
Abstract: 本申请实施例公开一种焊接装置，包括：底板；位于底板上的可沿第一方向往复移动的调节板；位于调节板上的用以将跨接线压接在电路板上的固定组件；固定组件包括位于调节板上的用以放置跨接线和电路板的承载板；固定于承载板上的用以将跨接线压接在电路板上的顶板；承载板上设置有放置电路板的呈放区；呈放区的两相对边侧外包括形成于承载板上的用以支撑电路板的至少两个支撑部；至少一个支撑部外侧包括有由内至外依次形成于承载板边缘的第一凸台和第二凸台；第一凸台包括有沿第一方向间隔设置的至少两个第一卡槽，第二凸台包括有沿第一方向间隔设置的与第一卡槽对应设置的至少两个第二卡槽；焊接装置还包括：用以将跨接线焊接在电路板上的焊接件。
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公开(公告)号：CN113782250B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110987348.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明公开了一种高触变性低温共烧陶瓷内电极银浆及其制备方法和应用，该电极银浆，按质量百分比计，包括以下组分：银粉75‑82％；玻璃粉1‑3.5％；氧化铝0.3‑1％；其余为有机载体；所述的银粉由球形银粉和片状银粉组成；所述片状银粉的厚度为100‑200纳米，直径为3‑5微米；所述球形银粉的直径为0.5‑1.3微米；所述球形银粉和片状银粉的质量比为79‑81:19‑21。发明的电高触变性低温共烧陶瓷内电极银浆具有与LTCC生瓷基板的良好的共烧匹配性、印刷性、优良的导电性且制备工艺简单等优点。
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