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公开(公告)号：CN116731613A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210192100.3
申请日：2022-03-01
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅介电层化学机械抛光液及其应用，所述化学机械抛光液包含如下质量百分含量的组分：0.1%‑2%的氧化铈磨料、0.01%‑0.5%的抗氧化剂，其余部分为去离子水。本发明的化学机械抛光液具有高的二氧化硅去除速率、表面质量好、稳定性优异等特点。
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公开(公告)号：CN115873507A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211556099.4
申请日：2022-12-06
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种含亲电亲核双功能有机硼化合物的钨化学机械抛光液，该抛光液还包含经硅烷偶联剂处理的研磨颗粒、催化剂、稳定剂、氧化剂、腐蚀抑制剂，余量为水。本发明的钨化学机械抛光液使用的亲电亲核双功能有机硼化合物可以增加体系稳定性，同时可以提高抛光后的表面质量。
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公开(公告)号：CN115785819A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211414477.5
申请日：2022-11-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种硅片抛光组合物及其应用，所述硅片抛光组合物以二氧化硅水溶胶及有机碱为主要抛光组分，额外添加有酯类化合物、碱金属盐化合物。本发明通过在硅片抛光组合物中额外加入酯类化合物、碱金属盐化合物，可以有效减少CMP机台在硅片抛光过程中产生的震动频率，从而实现硅片在CMP过程中的均匀平稳去除，进一步提高硅晶圆的表面质量，延长设备使用寿命。
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公开(公告)号：CN115725241A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211460388.4
申请日：2022-11-17
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/02 , H01L21/306 , B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅抛光组合物及其应用，所述多晶硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为助剂。本发明的抛光组合物中同时添加聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为表面活性剂，绿色低毒，在保持较高多晶硅去除速率的条件下，有效抑制碟形凹陷的产生，与现有技术相比，具有明显优势。
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公开(公告)号：CN114032033B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111420369.4
申请日：2021-11-26
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种高效、高精度硅片抛光组合物及其制备方法和应用，所述硅片抛光组合物以二氧化硅水溶胶为主抛光磨料，并添加有纳米氧化亚硅粒子作为辅助磨料。通过在碱性二氧化硅水溶胶中加入纳米级氧化亚硅颗粒，能够实现高硅片抛光速率及抛光后硅片表面低的表面粗糙度，与现有技术相比，具有显著优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119592957A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311159718.0
申请日：2023-09-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种减少Key hole的钨插塞化学机械抛光液及其应用，所述钨插塞化学机械抛光液包含如下质量百分含量的组分：2％～20％的研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.01％～0.05％的保护助剂，和去离子水；其中，所述保护助剂为含有共轭结构且含有氨基和羧基的化合物。本发明的钨插塞化学机械抛光液具有抛光速率快、Key hole缺陷少、表面质量好等特点。
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公开(公告)号：CN117403233A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210802105.3
申请日：2022-07-07
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高速率的钨插塞化学机械抛光液及其应用，所述钨插塞化学机械抛光液包含如下质量百分含量的组分：2%～20%研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.01%～0.05%的速率促进剂，余量为去离子水。本发明的钨插塞化学机械抛光液具有抛光速率快、表面质量好、稳定性优异等特点。
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公开(公告)号：CN116478624A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310477179.9
申请日：2023-04-28
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种钨化学机械抛光液，该抛光液包含研磨颗粒、催化剂、稳定剂、氧化剂、腐蚀抑制剂，还包含取代的硼酸频哪醇酯，余量为水。本发明的钨化学机械抛光液使用的取代的硼酸频哪醇酯能够增加抛光液稳定性，提高去除速率。
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公开(公告)号：CN116445917A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210009385.2
申请日：2022-01-06
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种的钨插塞化学机械抛光液，所述抛光液由抛光液A和抛光液B组成，所述抛光液A包含如下质量百分含量的组分：2%‑20%研磨剂、0.5％～5％的氧化剂，其余部分为去离子水；所述抛光液B包含如下质量百分含量的组分：0.01％～0.5％的催化剂，其余部分为去离子水。本发明的抛光组合物具有抛光速率快、表面质量好、稳定性优异等特点。
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公开(公告)号：CN114806414B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210480119.8
申请日：2022-05-05
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅抛光组合物、制备方法及其应用，所述硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有哌嗪类物质和含有呋喃环的水溶性有机弱酸作为助剂。本发明的硅抛光组合物中同时添加哌嗪类物质和含有呋喃环的水溶性有机弱酸作为稳定性助剂，可有效抑制磨料团聚，延长抛光液的储存时间和使用寿命，与现有技术相比，具有明显优势。
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