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公开(公告)号：CN118496768B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410976869.3
申请日：2024-07-22
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
Abstract: 本发明提供了一种化学机械精抛液，其为包含以下成分的水溶液：2～20 wt.%的高纯磨料、0.01～1 wt.%的改性环糊精以及0.001～0.05 wt.%的脂肪醇聚氧乙烯醚类表面活性剂。本发明还提供了所述化学机械精抛液在硅晶圆的化学机械抛光中的应用以及一种硅晶圆的化学机械抛光方法。本发明提供的化学机械精抛液中含有分子量相对较低的改性环糊精，配合脂肪醇聚氧乙烯醚类表面活性剂用于硅晶圆的化学机械抛光，能够明显减少晶圆表面的LPD缺陷，并能够进一步降低粗糙度，而且，本发明的抛光液成分数量少，经济性好且制备方法简便，工艺易控，非常具有工业实用价值。
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公开(公告)号：CN118406439A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410873230.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，提供一种化学机械抛光组合物及其在钨化学机械抛光中的应用。本发明提供的化学机械抛光组合物能够兼顾良好的抛光速率和较低的缺陷水平。所述组合物包括分散介质、磨料、催化剂、氧化剂、第一腐蚀抑制剂、第二腐蚀抑制剂和EOE改善剂，还任选地包括稳定剂和pH调节剂；其中，所述第一腐蚀抑制剂选自分子中氨基和亚氨基的总数为1‑4，并且至少含有一个羧基的化合物中的一种或多种；所述第二腐蚀抑制剂选自分子中氨基和亚氨基的总数为2，并且至少含有一个酰胺基，且不含有羧基、羟基、烯基和炔基的化合物中的一种或多种；所述EOE改善剂选自高哌嗪及其衍生物中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN115725241B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211460388.4
申请日：2022-11-17
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/02 , H01L21/306 , B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅抛光组合物及其应用，所述多晶硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为助剂。本发明的抛光组合物中同时添加聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为表面活性剂，绿色低毒，在保持较高多晶硅去除速率的条件下，有效抑制碟形凹陷的产生，与现有技术相比，具有明显优势。
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公开(公告)号：CN117551392A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311501323.4
申请日：2023-11-13
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种硅片抛光组合物及其应用，所述硅片抛光组合物以二氧化硅水溶胶为抛光磨料，并添加有两类不同酸度系数pKa的有机碱作为速率稳定剂，其中一类有机碱或其共轭酸的酸度系数pKa至少有一个为9.5‑10.5，另一类有机碱或其共轭酸的酸度系数pKa至少有一个为11.5‑12.5。本发明的硅片抛光组合物，两种有机碱协同添加可在保证硅片良好表面质量的前提下，维持抛光组合物循环去除速率稳定，大幅度延长抛光液使用寿命，与现有技术相比，具有显著优势。
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公开(公告)号：CN116731613A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210192100.3
申请日：2022-03-01
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅介电层化学机械抛光液及其应用，所述化学机械抛光液包含如下质量百分含量的组分：0.1%‑2%的氧化铈磨料、0.01%‑0.5%的抗氧化剂，其余部分为去离子水。本发明的化学机械抛光液具有高的二氧化硅去除速率、表面质量好、稳定性优异等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115873507A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211556099.4
申请日：2022-12-06
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种含亲电亲核双功能有机硼化合物的钨化学机械抛光液，该抛光液还包含经硅烷偶联剂处理的研磨颗粒、催化剂、稳定剂、氧化剂、腐蚀抑制剂，余量为水。本发明的钨化学机械抛光液使用的亲电亲核双功能有机硼化合物可以增加体系稳定性，同时可以提高抛光后的表面质量。
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公开(公告)号：CN115785819A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211414477.5
申请日：2022-11-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种硅片抛光组合物及其应用，所述硅片抛光组合物以二氧化硅水溶胶及有机碱为主要抛光组分，额外添加有酯类化合物、碱金属盐化合物。本发明通过在硅片抛光组合物中额外加入酯类化合物、碱金属盐化合物，可以有效减少CMP机台在硅片抛光过程中产生的震动频率，从而实现硅片在CMP过程中的均匀平稳去除，进一步提高硅晶圆的表面质量，延长设备使用寿命。
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公开(公告)号：CN115725241A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211460388.4
申请日：2022-11-17
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/02 , H01L21/306 , B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅抛光组合物及其应用，所述多晶硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为助剂。本发明的抛光组合物中同时添加聚醇醚类物质和烷基葡糖酰胺类物质作为表面活性剂，绿色低毒，在保持较高多晶硅去除速率的条件下，有效抑制碟形凹陷的产生，与现有技术相比，具有明显优势。
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公开(公告)号：CN114958206A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110198261.9
申请日：2021-02-22
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法，该抛光液包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜化学机械抛光过程中，本发明的铜化学机械抛光液能够满足前两步抛光步骤合并成一步抛光的使用要求，从而优化铜的抛光工艺、提高抛光效率。
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公开(公告)号：CN114032033B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111420369.4
申请日：2021-11-26
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种高效、高精度硅片抛光组合物及其制备方法和应用，所述硅片抛光组合物以二氧化硅水溶胶为主抛光磨料，并添加有纳米氧化亚硅粒子作为辅助磨料。通过在碱性二氧化硅水溶胶中加入纳米级氧化亚硅颗粒，能够实现高硅片抛光速率及抛光后硅片表面低的表面粗糙度，与现有技术相比，具有显著优势。
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