-
公开(公告)号:CN105645961A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201511025901.7
申请日:2015-12-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/565 , C04B41/88
CPC classification number: C04B35/565 , C04B41/009 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3821 , C04B2235/424 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明涉及一种负温度系数SiC热敏陶瓷及其制备方法,所述负温度系数SiC热敏陶瓷由碳化硅和固相烧结过程中原位复合的碳组成,所述碳在所述负温度系数SiC热敏陶瓷的重量百分含量为3~6wt%,所述负温度系数SiC热敏陶瓷热敏感指数β为:20℃-80℃下为6000K-10000K,80℃-220℃下为2000K-3000K,220℃-400℃下为10000K-15000K。本发明提供了一种高导热,高耐腐蚀性负温度系数(negative temperature coefficient)NTC碳化硅(SiC)热敏陶瓷,经测试该陶瓷材料具有负温度系数热敏特性,随着温度的升高电阻率降低;在一定电场强度下测定,在温度20℃-400℃之间变化时,电阻率在5-106Ωcm变化。
-
公开(公告)号:CN101581552B
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN200910051660.1
申请日:2009-05-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: F28F1/00 , C04B35/622 , C04B35/565 , C04B35/63 , C04B35/64
CPC classification number: F28F21/04
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅热交换管及其制备方法,属于工程陶瓷材料技术领域。本发明采用固相或液相烧结助剂,经均匀混合的亚微米级碳化硅粉体为原料粉体,以纤维素为有机塑化剂,以及其他润滑剂、分散剂和消泡剂等,通过真空练泥、陈腐和挤出成型获得管材坯体。坯体经过干燥、热处理和高温烧结。烧结后的碳化硅热交换管,直度小于2.5mm/m,等效外径小于400mm,径厚比可以为5~20,致密度高,热导率高,热膨胀系数低,热交换效率高,能够广泛应用于石油化工、冶金、轻工等行业的关键热交换器部件。
-
公开(公告)号:CN101403667A
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200810202871.6
申请日:2008-11-18
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于制备连接件标准抗弯强度测试样品的夹具,属于连接件抗弯强度测试领域。本发明包含主体、侧板、底板和配重板四个部分,通过螺栓四部分可以连接成一体。主体中加工有一组互相平行的“]”形槽和一条横向槽,通过“]”形槽的对中作用保证连接样品的尺寸和形状精度,横向槽便于样品的装夹操作和防止焊料粘连夹具。此外,配重板可以保证工艺过程中所需要的压力。本发明一次可以制备多个测试样品。
-
公开(公告)号:CN117986020B
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202410093300.2
申请日:2024-01-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种液相烧结碳化硅陶瓷密封环素坯成型用粉体及成型方法。所述液相烧结碳化硅陶瓷密封环素坯成型用粉体包括碳化硅、烧结助剂与粘结剂;其中,以所述碳化硅和烧结助剂总质量为100wt%计,所述碳化硅的含量为91~95wt%,所述烧结助剂的含量为5~9wt%;所述粘结剂含量为碳化硅与烧结助剂总质量的2~6wt%;所述液相烧结碳化硅陶瓷密封环素坯成型用粉体的粒径范围为10~100μm,休止角为28°~31°。
-
公开(公告)号:CN116874305B
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202310646180.X
申请日:2023-06-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/591 , C04B35/596 , C04B35/622 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及一种Si3N4‑SiC‑Zr2CN复相陶瓷吸波材料及其制备方法。所述Si3N4‑SiC‑Zr2CN复相陶瓷吸波材料包括:Si3N4基体透波相与SiC‑Zr2CN吸波相;其中,所述Si3N4基体透波相的含量为40~70wt%,SiC‑Zr2CN吸波相的含量为30~60wt%,Zr2CN的含量为1~25wt%,优选为2~20wt%。
-
公开(公告)号:CN116655390A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310654301.5
申请日:2023-06-05
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584
Abstract: 本发明涉及一种磁电耦合陶瓷吸波材料及其制备方法。所述磁电耦合陶瓷吸波材料包含透波相Si3N4、介电损耗相SiC和磁损耗相FeSix组成;其中1/3≤x≤2。
-
公开(公告)号:CN103553616A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201310504623.8
申请日:2013-10-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/524 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法,所述制备方法包括:(1)浆料制备:将聚碳硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料,其中所述催化剂为铁、镍、和/或二茂铁;(2)真空高压浸渍:将C纤维预制体浸入所述浆料中,于真空状态下保持0.1~1小时,然后通入高压惰性气体至1~10MPa,保压1~4小时;(3)交联固化:将浸渍过的C纤维预制体放于空气中6小时以上进行交联固化制得预成型体;以及(4)高温裂解:将所述预成型体在保护气氛下以2~10℃/分钟的升温速率升温至1000~1300℃保温1~4小时,以在所述聚碳硅烷热解过程中在金属催化剂作用下原位生长SiC纳米线,从而制得所述原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料。
-
公开(公告)号:CN101581552A
公开(公告)日:2009-11-18
申请号:CN200910051660.1
申请日:2009-05-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: F28F1/00 , C04B35/622 , C04B35/565 , C04B35/63 , C04B35/64
CPC classification number: F28F21/04
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅热交换管及其制备方法,属于工程陶瓷材料技术领域。本发明采用固相或液相烧结助剂,经均匀混合的亚微米级碳化硅粉体为原料粉体,以纤维素为有机塑化剂,以及其他润滑剂、分散剂和消泡剂等,通过真空练泥、陈腐和挤出成型获得管材坯体。坯体经过干燥、热处理和高温烧结。烧结后的碳化硅热交换管,直度小于2.5mm/m,等效外径小于400mm,径厚比可以为5~20,致密度高,热导率高,热膨胀系数低,热交换效率高,能够广泛应用于石油化工、冶金、轻工等行业的关键热交换器部件。
-
公开(公告)号:CN101402220A
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200810202870.1
申请日:2008-11-18
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B28B3/12
Abstract: 本发明涉及一种泡沫陶瓷的自动对辊挤压机,属于泡沫陶瓷制备领域。本发明包括动力系统、挤压系统、送料接料系统、辊距调节系统、浆料回收系统、速度调节系统组成,链轮结构带动同步垂直升降螺栓可以很好的解决挤压过程中辊距调节问题,同时读数机构可以精确显示辊距;变频器调速可以解决生产工艺中对转速的要求;浆料回收装置可以提高原料利用率,节约成本。整个装置自动化程度高,效率优化。
-
-
-
-
-
-
-
-