公开(公告)号：CN105408531B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201480041513.5

申请日：2014-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B17/00 ,  C30B19/12 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供了一种可防止SiC晶片的库存或浪费的发生的具有外延层的SiC基板的制造方法。逐片地制作具有外延层的SiC基板的方法，其包括在晶种基板上使外延层生长，以及使SiC基板生长，并且进一步包括将得到的具有外延层的SiC基板从前述晶种基板拆下的工序。

公开(公告)号：CN106884205A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611075636.8

申请日：2016-11-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典

IPC: C30B29/36 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B19/068 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  C30B29/64 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供不含多晶、除侧面端部外不含裂纹的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴(12)下端面的晶种基板(14)与配置在坩埚(10)内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液(24)接触从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴(12)的端面的外形小于晶种基板(14)的顶面的外形，晶种基板(14)的顶面具有与晶种保持轴(12)的下端面的整个面相接而被保持的中央部(15)、和不与晶种保持轴(12)的下端面相接的外周部(16)，该方法包括：在晶种基板(14)的顶面配置碳片材(30)，使得覆盖中央部(15)和外周部(16)中的至少外周部(16)。

公开(公告)号：CN102471927B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN200980159861.1

申请日：2009-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  关章宪 ,  斋藤广明 ,  河合洋一郎

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，使所述SiC晶种接触C不饱和的状态的该熔液。

公开(公告)号：CN105408531A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480041513.5

申请日：2014-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B17/00 ,  C30B19/12 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供了一种可防止SiC晶片的库存或浪费的发生的具有外延层的SiC基板的制造方法。逐片地制作具有外延层的SiC基板的方法，其包括在晶种基板上使外延层生长，以及使SiC基板生长，并且进一步包括将得到的具有外延层的SiC基板从前述晶种基板拆下的工序。

公开(公告)号：CN102471927A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200980159861.1

申请日：2009-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  关章宪 ,  斋藤广明 ,  河合洋一郎

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，使所述SiC晶种接触C不饱和的状态的该熔液。

公开(公告)号：CN102449208A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200980159593.3

申请日：2009-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  关章宪 ,  斋藤广明 ,  河合洋一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。