公开(公告)号：CN102449208B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN200980159593.3

申请日：2009-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  关章宪 ,  斋藤广明 ,  河合洋一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。

公开(公告)号：CN103534792A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023671.9

申请日：2012-05-04

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 旦野克典 ,  斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/322 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L29/16

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。

公开(公告)号：CN102471927B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN200980159861.1

申请日：2009-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  关章宪 ,  斋藤广明 ,  河合洋一郎

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，使所述SiC晶种接触C不饱和的状态的该熔液。

公开(公告)号：CN102471927A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200980159861.1

申请日：2009-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  关章宪 ,  斋藤广明 ,  河合洋一郎

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，使所述SiC晶种接触C不饱和的状态的该熔液。

公开(公告)号：CN102449208A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200980159593.3

申请日：2009-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  关章宪 ,  斋藤广明 ,  河合洋一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。

公开(公告)号：CN102224592A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146754.5

申请日：2009-11-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种p型SiC半导体，其包括含有作为杂质的Al和Ti的SiC晶体，其中Ti的原子数目浓度等于或小于Al的原子数目浓度。优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)＞5×1018/cm3；以及0.01％≤(Ti的浓度)/(Al的浓度)≤20％。更优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)≥5×1018/cm3；以及1×1017/cm3≤(Ti的浓度)≤1×1018/cm3。

公开(公告)号：CN103534792B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201280023671.9

申请日：2012-05-04

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 旦野克典 ,  斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/322 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L29/16

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。

公开(公告)号：CN102224592B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200980146754.5

申请日：2009-11-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种p型SiC半导体，其包括含有作为杂质的Al和Ti的SiC晶体，其中Ti的原子数目浓度等于或小于Al的原子数目浓度。优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)＞5×1018/cm3；以及0.01％≤(Ti的浓度)/(Al的浓度)≤20％。更优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)≥5×1018/cm3；以及1×1017/cm3≤(Ti的浓度)≤1×1018/cm3。