一种硅料品质的智能鉴别方法及鉴别装置

    公开(公告)号:CN107121436A

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201710285638.8

    申请日:2017-04-27

    Abstract: 本发明提供一种硅料品质的智能鉴别方法及鉴别装置,属于硅料生产技术领域。鉴别方法包括将硅料放置于输送装置上,在传送过程中经检测装置检测硅料的表面形貌,收集形貌信息,并基于收集到的形貌信息通过预设的深度学习模型计算待识别形貌信息与形貌信息样本的相似度取值对待识别形貌信息进行识别,控制装置控制输送装置按不同分类将硅料分别输送至相应的装放装置中。鉴别装置包括用于输送硅料的输送装置、检测装置、控制装置和用于盛放分类后的硅料的多个装放装置,检测装置与控制装置配合对硅料进行分类。此鉴别装置的鉴别方法避免了人工鉴别分类对硅料的二次污染,同时,其鉴别更加准确。

    一种48对棒还原炉底盘
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106915746A

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201710218196.5

    申请日:2017-04-05

    Abstract: 本发明公开了一种48对棒还原炉底盘,包括有底盘本体和电极,电极具有48对,分列成四道圆环状结构设置于底盘上形成四圈电极环,从内往外依次为电极一环、电极二环、电极三环和电极四环;每一圈电极环的两侧均设有一圈由若干出气口构成的出气环和一圈由若干进气口构成的进气环;进气环共设置有三圈,其中电极一环的内侧和电极四环的外侧各设有一圈。本发明的主要有益效果有:可以促进硅棒表面的物料气循环,获得优质的多晶硅棒;可以实现钟罩内壁的内部冷却,缩减钟罩内壁的清洁频次,降低炉内热辐射损失并提高生产效率;可以提高物料转化率,降低生产能耗。

    一种消除硅芯异常的方法
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106191994A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610539047.4

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本发明涉及一种消除硅芯异常的方法,该方法包括对进入炉内的循环氢进行两步预处理,第一步处理为循环氢进入还原炉前用特殊介孔分子筛对循环氢中的三氯氢硅等大分子进行吸收;第二步处理为在还原炉底盘装有涂覆特殊媒介的内件,经特殊介孔分子筛处理的循环氢进入还原炉内后,循环氢中氮气或氧气逐渐富集在炉底盘附近并与特殊媒介逐渐反应生成氮化物或氧化物外壳;特殊介孔分子筛、特殊媒介和氮化物或氧化物外壳不会对产品质量造成影响,从而能有效地解决硅芯异常问题,提高多晶硅产品质量。

    一种密闭式硅芯自动存取装置

    公开(公告)号:CN106185138A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201510426897.9

    申请日:2015-07-20

    Abstract: 本发明一种密闭式硅芯自动存取装置,具体为:密闭的存储空间(7),及两侧的输送带II存储箱(5)进出的入口(2)和出口(16)、通风孔(6),输送带Ⅰ(1)、输送带II(12)分别贯穿于入口(2)和出口(16),入口(2)和出口(16)分别设闸门Ⅰ(17)、闸门II(18),箱体外侧固定设棒形的把手(10),密闭的存储空间(7)内设机械手II(11)和机械手I(4),及位于其上可与棒形的把手(10)相配合的勾(19)。有益效果:操作便捷、省时省力、采用自动化控制,并具有良好的封闭空间,避免了硅芯的多环节污染。(12)、输送带Ⅰ(1)、存储箱(5)、可使存放硅芯的

    一种固体粉末磨样装置及制备方法

    公开(公告)号:CN105855013A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610444539.5

    申请日:2016-06-17

    Abstract: 本发明公开一种固体粉末磨样装置及制备方法。该装置由振动磨机架、振动磨机架盖板、驱动振动磨的电机以及设置于振动磨机架上的研磨钵组成,所述振动磨机架上设置有用于移动研磨钵的机械手和用于驱动机械手运动的手抓电机,在振动磨机架内还设置有用于收集物料的废料收集箱。本装置采用机械臂手抓,将原本人工取放研磨钵的操作,替换为机械操作,降低劳动量;振动磨机架盖板为研磨钵提供了支架;所述废料收集箱能够将磨好的试料在封闭的腔体内统一收集;采用本发明后,增加了磨样机的自动化程度,提高工作效率,减少人力投入方便废料收集,减少粉尘对人体的危害。

    氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理方法

    公开(公告)号:CN105784459A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610145266.4

    申请日:2016-03-15

    Abstract: 本发明旨在提供氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理方法,其特征在于:多个小型独立的密闭装置主体与相对应地伸缩臂9连接,所述小型独立的密闭装置主体分内层接口13和外层接口14,内外层接口设有与样品瓶20相匹配的螺纹21,根据分析项目可连接不同尺寸的样品瓶20,外层螺纹侧壁设有卡扣22并与保温外罩15卡接。该密闭装置解决了对氯硅烷和多晶硅体金属和表金属痕量杂质元素的前处理,同时批量处理样品,且节省时间,实现了对前处理资源最大化利用。

    一种无接触破碎多晶硅的方法

    公开(公告)号:CN103816973A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201410057558.3

    申请日:2014-02-20

    Inventor: 季静佳 王体虎

    Abstract: 本发明公开了一种无接触破碎多晶硅的方法,更具体的说,本发明公开了一种利用激光技术破碎多晶硅的方法。本发明的无接触破碎多晶硅的方法,把至少一束激光射向多晶硅棒或者多晶硅块,多晶硅棒或者多晶硅块的表面或者体内的局部区域吸收激光能量后,该多晶硅棒或多晶硅块的局部区域被瞬时加热。被加热的多晶硅棒或多晶硅块的局部区域膨胀,在多晶硅柱或多晶硅块的表面或体内产生热膨胀应力,致使多晶硅棒或多晶硅块破碎。

    一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法

    公开(公告)号:CN102320609A

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201110229932.X

    申请日:2011-08-11

    Abstract: 一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法,本发明涉及多晶硅的生产中多晶硅碳头料石墨部分与高纯硅的分离的物理方法。该方法包括多晶硅碳头料的破碎前处理、喷砂分离碳头料、分离后碳头料的DI水漂洗、DI水漂洗后碳头料的DI超声波水漂洗、DI超声波水漂洗后碳头料的化学清洗、分离得到碳头料的检查包装七个步骤。该方法的特点是:利用喷砂装置射出的高速磨料4直接作用于碳头料石墨部位5将石墨(石墨纸)5与高纯多晶2硅剥离;采用磨料4硬度与多晶硅5硬度相当,并选择合适的磨料粒度将处理过程中的损耗降至最低。相较原有化学腐蚀分离碳头料的方法,喷砂法安全可靠,不易燃不易爆;喷砂法一次即可将石墨完全剥离,有效节省人力物力;喷砂机磨料可重复使用,节约环保。

    多晶硅智能生产方法及系统

    公开(公告)号:CN109978287A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910410451.5

    申请日:2019-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅智能生产方法及系统,包括如下步骤:第一,数字化研发设计利用仿真模拟软件对多晶硅生产中的主要设备、核心部件及关联参数进行仿真模拟;第二,智能化控制执行系统运行将仿真模拟分析得到的结果输入到智能化控制执行系统运行;第三,大数据分析通过采集的工艺数据,结合存储的历史生产工艺参数进行比对、人工智能深度计算,得到优化的分析结果;第四,结果输出将优化的分析结果与预定目标值进行比较,根据比较的结果进行输出。本发明实现多晶硅生产的智能控制,高效优化,达到降低消耗,提升质量的目的。

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