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公开(公告)号：CN108439413A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810467385.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种四氯化硅的氢化方法，属于多晶硅生产技术领域。四氯化硅的氢化方法是向填充有电磁场调整材料和负载金属催化剂的气体放电反应器内通入四氯化硅和氢气，在电磁场的作用下反应。此方法能够提高四氯化硅低温氢化的效率，降低反应体系的温度。
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公开(公告)号：CN107500297B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710858756.3
申请日：2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在解决现有技术中颗粒硅籽晶制备的装置在制备颗粒硅籽晶的过程中极易产生硅粉尘，导致物料损失的问题，提供一种颗粒硅籽晶制备系统及方法。本发明提供的颗粒硅籽晶制备系统，多晶硅棒经破碎装置破碎后，得到多晶硅块料，多晶硅块料经熔融装置加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经分散装置分散为多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固。液滴在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。在本发明中采用激光器对多晶硅棒或多晶硅块进行破损，在破碎过程中没有引入其它物质，实现无接触式激光破碎，提高多晶硅棒或多晶硅块的纯度，且可得到高球度的多晶硅颗粒。
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公开(公告)号：CN107601510B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201710858917.9
申请日：2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的装置及方法，其能够制备出纯度高、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的装置，其包括用于将经导流口流出的熔融液硅分散的旋转装置。在实施过程中，经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；熔融多晶硅经导流口落在高速旋转的转盘上，高速转盘沿切向甩出分散多晶硅液滴，多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明中提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的装置，因此也具备有上述的有益效果。
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公开(公告)号：CN106865551B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710185866.8
申请日：2017-03-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供了一种用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴，属于多晶硅生产领域。喷嘴主要包括芯体，芯体包括第一内管和第一外管，第一外管套设于第一内管上，第一内管包括主通道，并且主通道的出气孔的通流面积比进气口的小。第一外管与第一内管之间的间隙形成辅通道。芯体通过连接部安装在底盘上。由于主通道的进气口的通流面积大于出气口的通流面积，气体在通过主通道时速度越来越快并最终到达还原炉的顶部。进入到辅助通道的气体通过辅助通道后，一部分气体到达还原炉的中部，另一部分从第一外管上的侧通气孔出来到达还原炉的底部。因此物料气体可以比较均匀地分布于整个还原炉中，使得还原反应充分进行。
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公开(公告)号：CN107285319A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710498274.1
申请日：2017-06-27
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
CPC classification number: C01B33/021 , C01P2004/32 , C01P2006/80
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，公开了一种颗粒硅籽晶及其制备方法。颗粒硅籽晶的制备方法包括熔融步骤：将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；分散步骤：将熔融多晶硅分散为多晶硅液滴；冷却步骤：将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。该方法避免了传统破碎方法得到颗粒硅籽晶时产生硅粉尘的缺陷，并且制得的颗粒硅籽晶具有较高的纯度和球度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106927466A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710217911.3
申请日：2017-04-05
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种48对棒还原炉炉体结构，炉体部分包括有外壁、夹层和内壁，内壁与夹层连接，夹层与外壁连接，夹层内设置有内件，内件包括X型加强筋及顶部物料进气管，内壁为三层复合结构，外层为壳体，中间层为纳米微孔隔热层，内层为纳米银涂层；在夹层内设有由底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的若干组X型加强筋，X型加强筋的两端分别与外壁及夹层连接固定；在炉体的夹层内设有由底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的炉体顶部物料进气管。本发明在内壁设置纳米微孔隔热材料和纳米银涂层能有效减少炉内热量散失，且X型加强筋能使炉体结构具有良好的机械强度及承压能力，确保炉内物料气体更流畅地循环，提高冷却散热效果，有利于多晶硅的快速、均匀成长。
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公开(公告)号：CN109052410B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201810983500.X
申请日：2018-08-27
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明涉及多晶硅制备技术领域，公开了一种三氯氢硅生产方法及其应用。在三氯氢硅生产方法中，采用两级气固分离。第一气固分离步骤能够将细硅粉排出至四氯化硅低温氢化炉外，第二气固分离步骤将排出氢化炉外的细硅粉作为三氯氢硅合成步骤的原料，解决了传统工艺中细硅粉被浪费的问题，可以实现硅粉的高度利用。这样，即可以保持低温氢化反应中四氯化硅的高转化率，也可以保证硅粉的利用率，同时还可以降低尾气中的硅粉含量，进而可以减缓最终尾气分离回收时的处理压力，能够避免管道结垢和堵塞问题。本发明实施例中的三氯氢硅生产方法能够应用于多晶硅的生产中。
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公开(公告)号：CN108439413B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810467385.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种四氯化硅的氢化方法，属于多晶硅生产技术领域。四氯化硅的氢化方法是向填充有电磁场调整材料和负载金属催化剂的气体放电反应器内通入四氯化硅和氢气，在电磁场的作用下反应。此方法能够提高四氯化硅低温氢化的效率，降低反应体系的温度。
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公开(公告)号：CN108295994A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810121285.2
申请日：2018-02-07
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高压电极以及应用该高压电极的多晶硅破碎装置，高压电极包括有高压电极本体，高压电极本体安装于导流罩中；导流罩具有电极安装槽和导流通道；多晶硅破碎装置，包括有破碎水槽、多晶硅棒支撑架、接地电极、高压电极、电源、导流管线和超纯水补充管线。本发明的高压电极设有导流通道，能够及时将高压电极溶解产生的局部高浓度金属液体导出破碎水槽外，避免金属杂质对多晶硅造成污染；破碎水槽内壁衬有陶瓷材料，可隔绝液体与水槽腔体的接触，避免水槽腔体对液体的污染，还可避免多晶硅碎块与破碎水槽接触造成污染。通过本发明的高压电极以及多晶硅破碎装置，可以实现多晶硅棒的无污染、高效率破碎。
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公开(公告)号：CN106082134B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610465263.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B13/11
Abstract: 本发明公开了一种臭氧制备方法，往反应器中加入催化剂，然后将含有氧气的原料气充入反应器中，并通入冷却介质，然后启动激励电源通过介质阻挡放电使原料气活化并形成均匀分布的非平衡等离子体，等离子体中的活性粒子在放电区域放置的催化剂上发生反应产生臭氧。该方法对原料气的来源和组成没有特别要求，氧气及含氧气的混合气均适用于该方法。该方法巧妙的将冷却装置设置在反应器内部，以空气等气体作为冷却介质，成本低、效率高该方法可以在温和条件下，将多种含氧气的原料气转化为臭氧，其工艺过程简单灵活，能耗低，具有十分广阔的应用前景。
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