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公开(公告)号：CN105282877B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510337068.3
申请日：2015-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及用于半导体制造装置的陶瓷加热器。一种陶瓷加热器1，其含有在上表面具有晶片载置面2a且在内部具备线状的电阻发热体4的陶瓷基体2、和与该陶瓷基体2的下表面接合的筒状支撑体3；其中，电阻发热体4具有电路图案，该电路图案包含相对于陶瓷基体2以同心圆状配置的多个周向延伸部4a、和与这些多个周向延伸部4a连接的半径方向延伸部4b；从垂直于晶片载置面2a的方向对该电路图案和陶瓷基体2下表面的与筒状支撑体3的接合区域2b一起进行观察时，在接合区域2b内不存在周向延伸部4a。
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公开(公告)号：CN104465453B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201410039716.2
申请日：2014-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置用的晶片加热器，能够在晶片表面的整个面上以形成更均匀的膜厚的方式成膜。晶片加热器(10)由陶瓷制成，具备具有升降销通孔(11b)的晶片载置面(11a)，从晶片载置面(11a)侧开始依次埋设有等离子体CVD用的高频电路(13)和发热体电路(14)，在从与晶片载置面(11a)垂直的方向对这些高频电路(13)和发热体电路(14)这两个电路的图案进行投影的情况下，在形成于升降销通孔(11b)的周围且局部不存在高频电路(13)的环状区域内配置发热体电路(14)的一部分。
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公开(公告)号：CN105282877A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510337068.3
申请日：2015-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及用于半导体制造装置的陶瓷加热器。一种陶瓷加热器1，其含有在上表面具有晶片载置面2a且在内部具备线状的电阻发热体4的陶瓷基体2、和与该陶瓷基体2的下表面接合的筒状支撑体3；其中，电阻发热体4具有电路图案，该电路图案包含相对于陶瓷基体2以同心圆状配置的多个周向延伸部4a、和与这些多个周向延伸部4a连接的半径方向延伸部4b；从垂直于晶片载置面2a的方向对该电路图案和陶瓷基体2下表面的与筒状支撑体3的接合区域2b一起进行观察时，在接合区域2b内不存在周向延伸部4a。
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公开(公告)号：CN104576442A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410039786.8
申请日：2014-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/68742 , H05B3/265
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用陶瓷加热器，可以与升降销的根数、位置不同的多个机型对应。半导体制造装置用陶瓷加热器(11)具有晶片载置面，在内部具有发热体(13)，发热体(13)由具有呈同心圆状、旋涡状或圆弧状的电路图案的导线形成，构成该电路图案的多个曲线状导线中相距穿过晶片载置面的中心并与晶片载置面垂直的中心线预定距离的导线在至少六处以局部地具有小曲率半径的方式弯曲成圆弧状。在应用于半导体制造装置时，仅在该至少六处中的三处或四处设置贯通孔，在该贯通孔中安装升降销(4)。
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公开(公告)号：CN104465453A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410039716.2
申请日：2014-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/67098 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置用的晶片加热器，能够在晶片表面的整个面上以形成更均匀的膜厚的方式成膜。晶片加热器(10)由陶瓷制成，具备具有升降销通孔(11b)的晶片载置面(11a)，从晶片载置面(11a)侧开始依次埋设有等离子体CVD用的高频电路(13)和发热体电路(14)，在从与晶片载置面(11a)垂直的方向对这些高频电路(13)和发热体电路(14)这两个电路的图案进行投影的情况下，在形成于升降销通孔(11b)的周围且局部不存在高频电路(13)的环状区域内配置发热体电路(14)的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1593073B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN03801539.0
申请日：2003-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H05B3/20 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/02
Abstract: 一种晶片保持体，其中通过抑制了支撑和加热晶片时的局部热辐射，改善了晶片保持表面的均匀加热性能，和一种使用该晶片保持体制备半导体的系统，其适宜于即使大直径的晶片的加工。所述的晶片保持体(1)包括包埋于陶瓷基材(2)中的电阻加热元件(3)，和穿过反应室(6)的引线(4)，其中引线(4)分别容纳于导向构件(5)中。导向构件(5)与反应室(6)是气密密封的，并且导向构件(5)的内部也是气密密封的。导向构件(5)与陶瓷基材(2)相互不连接，并且在内部密封的导向构件(5)中的陶瓷基材(2)侧的气氛基本上与反应室(6)中的气氛相同。
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公开(公告)号：CN100583410C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN03109539.9
申请日：2003-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 本发明公开了一种半导体制造设备工件保持架，其基片保持表面具有优良的等温属性，其适用于在涂胶机/显影机中热固光刻胶，和烘低介电常数，即低k，的绝缘膜。工件保持架由基片保持架1和支撑基片保持架1的支撑部件4组成，其特点是支撑部件4的热传导率低于基片保持架1的热传导率。基片保持架1和支撑部件4或者不连接，或者如果连接，则两者具有相同的热膨胀系数2.0×10-6/℃或者更小。基片保持架1的主要成分最好是AlN，支撑部件4的主要成分最好是高铝红柱石。
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公开(公告)号：CN101331818A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200780000730.X
申请日：2007-04-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种传热部件(20)，其具有支撑体(1)和柱状体(2)，所有或一些柱状体设置成关于支撑体(1)以一角度倾斜。柱状体(2)与接触体(21)接触，且柱状体(2)沿着与接触体(21)的接触表面的形状弹性变形和/或塑性变形，从而沿着接触体(21)的波状和粗糙的凹凸形成直接接触，并引起热通过柱状体(2)移动。
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公开(公告)号：CN100426458C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN03801108.5
申请日：2003-03-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/68 , H01L21/203 , H05B3/68 , H01L21/31 , H01L21/027 , H05B3/74 , H05B3/02
Abstract: 一种半导体制造用保持体，被设置在接受反应气体的处理室内，该半导体制造装置用保持体具有：将被处理物(10)保持在表面的同时具备用于对被处理物进行加热的电阻发热体(2)的陶瓷制保持体(1)、和一端在被处理物保持表面以外的部位支持该陶瓷制保持体(1)而另一端被固定在处理室上的支持构件(6)，且设置在该陶瓷制保持体1的被处理物保持表面以外的部位的电阻发热体(2)的电极端子(3)以及引出线(4)被收容在绝缘管(5)内。根据本发明提供用于对埋设在保持体内的电阻发热体供电的电极端子以及引出线不会发生漏电和打火并且在保持体中可以获得±1.0%以内的均热性的半导体制造装置用保持体。
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公开(公告)号：CN1740385A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510089704.1
申请日：2003-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45521 , C23C16/4412 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , H01L21/68792
Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室1内加给反应气体，陶瓷托架2具有嵌入其中的电阻加热元件7。陶瓷圆柱形支承部件3的一端支承陶瓷托架2，另一端被固定在反应室1的一部分上。惰性气体供送管4和惰性气体排气管5每一个都在圆柱形支承部件3内有开口。最好使圆柱形支承部件3内的惰性气体保持在小于0.1MPa(一个大气压)。采用这样的布置，无需加给抗氧化密封或抗腐蚀密封，即可以防止设在陶瓷托架后表面上的各电极的氧化和腐蚀。这种制造半导体或液晶的装置还保证陶瓷托架中热的均匀性，并压缩损失的能耗。此外，还能减小装置的尺寸，并降低制造成本。
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