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公开(公告)号：CN115711989A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211308252.1
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G01N33/543 , G01N21/25 , G01N21/41
Abstract: 本发明提供了一种基于毛细管的抗体固载检测系统所述检测系统包括：可调谐光源、光谱分析仪，以及回音壁结构，所述回音壁结构包括输入单模光纤、毛细管和输出单模光纤，其中，所述输入单模光纤第一端形成第一倾斜端面，所述输出单模光纤的第二端形成第二倾斜端面，所述第一倾斜端面与所述第二倾斜端面与所述毛细管外壁接触耦合，所述毛细管的微管腔内表面进行抗体固载；所述可调谐光源连接所述输入单模光纤的第三端，所述光谱分析仪连接所述输出单模光纤的第四端。本发明利用面积较小的角度切割光纤端面进行端面耦合激发回音壁谐振，从而提高系统的棒鲁性。
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公开(公告)号：CN115642192A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211300907.0
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于InAs/GaSb的长红外超晶格的制备方法包括：在465℃的温度下，在脱氧处理后的GaSb衬底生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5；在420℃的温度下，在GaSb缓冲层上生长100个周期的InAs/GaSb超晶格，其中，包括：在GaSb缓冲层上生长GaSb超晶格，其中，Sb与Ga的五三束流比为2；间隔一段时间后，在GaSb超晶格上生长第一InSb层；间隔一段时间后，在第一InSb层上生长InAs超晶格，其中，As与In的五三束流比为7；间隔一端时间后，在InAs超晶格上生长第二InSb层。本发明通过在InAs/GaSb超晶格中主动插入InSb层用以平衡InAs层和GaSb层晶格失配带来的影响。同时在不同层间生长时加入中断时间，使得原子在材料表面有足够时间进行迁移，使表面形貌更好。
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公开(公告)号：CN113033796A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011456487.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种全光非线性衍射深度神经网络的图像识别方法。设计出一种基于泄漏(Leaky ReLU,LReLU)修正线性激活函数的非线性衍射深度神经网络方法用于图像识别。首先，设置衍射深度神经网络物理参数，包括光源波长、像元尺寸、每层像元个数和光栅层间距，利用光学瑞利‑索末菲(Rayleigh‑sommerfeld)衍射公式计算光波传输系数，进而建立单个像元输出函数；然后，每个像元输出值送入LReLU激活单元，形成非线性映射；最后，建立完整的全光非线性衍射深度神经网络前向传播模型，神经网络参数采用随机梯度下降算法进行优化。本方法结果表明，相比于现有的全光衍射深度神经网络，本发明所提供的方法具有更强的非线性数据可分能力，分类精度高，且计算简便。
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公开(公告)号：CN112710248A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011442908.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供一种基于全保偏光纤反射式双折射干涉应变传感器，传感器包括第一保偏光纤、第二保偏光纤和耦合器，第一保偏光纤旋转45°与第二保偏光纤熔接，第二保偏光纤端部涂覆有镀金层；耦合器三端分别连接起偏器、手动检偏器和第一保偏光纤端部。本发明通过错熔保偏光纤作为传感头进行应变实验，装置简单且易于制作；所发明的器件结构简单，稳定性可靠，灵敏度高；成本较低、重复性高，易于实现器件的批量加工。
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公开(公告)号：CN115939236B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202211315089.1
申请日：2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供了一种中长波双色红外探测器，包括：GaSb衬底；在GaSb衬底生长的GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层生长的长波通道下接触层，其中，长波通道下接触层为100nm厚的14InAs/7GaSb超晶格，并进行Si掺杂；在长波通道下接触层生长的长波通道吸收层，其中，长波通道吸收层为1600nm厚的14InAs/7GaSb超晶格；在长波通道的吸收层生长的公共势垒层，其中，公共势垒层为100nm厚的AlGaSb；在公共势垒层生长的中波通道吸收层，其中，中波通道吸收层为2000nm厚的InAs/InAsSb超晶格；在中波通道吸收层生长的中波通道上接触层，其中，中波通道上接触层为100nm厚的InAs/InAsSb超晶格，并进行Si掺杂；在中波通道上接触层生长的顶电极层，在GaSb缓冲层生长的底电极层。本发明降低器件暗电流，提高器件探测性能，具有良好的探测效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117748297B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311568948.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种长波红外大功率量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层；有源层包含多个级联周期，单个级联周期包括势垒层、第一深阱层、三个晶格匹配的浅阱层、三个复合阱层和第二深阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和AlAs高势垒层；三个晶格匹配的浅阱层包括第一浅阱层、第二浅阱层和第三浅阱层；三个复合阱层包括第一复合阱层、第二复合阱层和第三复合阱层。本发明引用单周期有源区设计中引入特定复合比的复合阶梯阱来实现不同波长激射的设计思想，结合晶格匹配和应变平衡体系的优点，在势垒嵌套AlAs高势垒，设计出较了高增益的能带结构，在能带方面提升长波红外量子级联激光器输出功率。
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公开(公告)号：CN117747687B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311568685.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法，红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在第一Ge层外延生长的Ge1‑xSnx外延层，GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在第二Ge层外延生长的Si1‑yGey薄膜层。本发明在Ge1‑xSnx中插入Si1‑yGey薄膜层，采用周期交替生长外延方法，利用外延中断特点释放应力，形成Ge1‑xSnx/Si1‑yGey应变平衡多量子阱结构或超晶格，调控高锡组分锗锡材料中的应变，实现较厚高质量晶体材料和抑制锡分凝目的，并有效提升高锡组分材料的外延厚度，进而有助于提升器件量子效率，实现高锡组分的高性能、高量子效率和长探测截止波长的红外探测。
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公开(公告)号：CN115732594B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211308872.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
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公开(公告)号：CN115755278A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211308299.8
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有捕获和运输功能的悬挂芯光纤光镊系统，包括光纤光源，与所述光纤光源依次连接的单模光纤和悬挂芯探针光纤，其中，所述单模光纤和悬挂芯探针光纤错位熔接，并且所述单模光纤和悬挂芯探针光纤的熔接位置，置于第一毛细管内，所述第一毛细管通过第二毛细管连接微机械泵；其中，所述悬挂芯探针光纤内具有一个微通道，并且在所述悬挂芯探针光纤内至少包括一根第一光纤芯，所述第一光纤芯对准所述单模光纤的第二光纤芯。本发明可以实现目标微粒的捕获与输运，在生物医学领域的单细胞动态操纵和精确诊断疾病方向有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN115732594A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211308872.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
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