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公开(公告)号：CN116859518B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310763258.6
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明提供了一种实现负值权重的Fano共振微环谐振腔，包括，微环，以及布置在所述微环两侧的第一直线波导和第二直线波导，其中，所述第一直线波导、所述第二直线波导的耦合区域向外延伸形成第一三角形结构和第二三角形结构。本发明微环谐振腔的第一直线波导和第二直线波导由于存在三角形结构的存在，当光在耦合点传输时，光程变长，传输速度变慢，导致第一直线波导和第二直波导中传输光的相位因子降低为负值，实现微环卷积池中的微环谐振腔的输出端口输出负值权重。
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公开(公告)号：CN117748298B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311570254.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种应变平衡高势垒的中波红外大功率量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在所述InP衬底上制备的有源层，有源层包括多个级联周期，每个级联周期包括注入区和有源区；所述注入区在应变InAlAs势垒层嵌套插入AlAs高势垒层。本发明通过插入AlAs高势垒层调整注入势垒和出口势垒增强基态能级和有源区上能级E3的耦合强度以及提供足够大的微带能量宽度，从而使得有源区中低于下激射能级E2的更低能级的电子可以被有效传输到注入区的微带。将输出峰值增益提高到97以上，有效增大功率输出，而且优化过的材料组分种类更少，相比于目前报道的最大单管功率器件降低了外延生长的难度。
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公开(公告)号：CN115657338B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202211328980.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料调制光子晶体纳米梁的光存储器，包括：孔径啁啾型光子晶体纳米梁，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置的第一侧形成P型掺杂区，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置的第二侧形成N型掺杂区，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置溅射相变材料；其中，所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置与P型掺杂区之间形成间距，所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置与N型掺杂区之间形成间距。本发明使用相变材料能够很好的克服通过热光效应或者电光效应对硅基波导的折射率进行调谐不稳定的缺点。
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公开(公告)号：CN117761920A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311571482.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于“BP‑AHA”异质集成的多模式微环谐振调制器包括，全通型微环，以及沉积在全通型微环内部的漏极、沉积在全通型微环外部的源极；源极和漏极之间由BP‑AHA结构连接，并且在BP‑AHA结构顶部沉积栅极。本发明可以通过栅极施加电压进行电压调制，也可以通过空间激光进行调制，实现了单器件的多模式调制，有一定的应用场景。
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公开(公告)号：CN117747687A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311568685.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法，红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在第一Ge层外延生长的Ge1‑xSnx外延层，GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在第二Ge层外延生长的Si1‑yGey薄膜层。本发明在Ge1‑xSnx中插入Si1‑yGey薄膜层，采用周期交替生长外延方法，利用外延中断特点释放应力，形成Ge1‑xSnx/Si1‑yGey应变平衡多量子阱结构或超晶格，调控高锡组分锗锡材料中的应变，实现较厚高质量晶体材料和抑制锡分凝目的，并有效提升高锡组分材料的外延厚度，进而有助于提升器件量子效率，实现高锡组分的高性能、高量子效率和长探测截止波长的红外探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117722957A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311573239.3
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明提供了一种磁栅式光纤光栅大量程位移传感器，包括：第一磁探头、第二磁探头和磁栅尺；第一磁探头包括第一等强度梁、第一光栅光纤和第一永磁体；第一等强度梁的自由端固定第一永磁体；第二磁探头包括第二等强度梁、第二光栅光纤和第二永磁体；第二等强度梁的自由端固定所述第二永磁体；第一永磁体的磁极与第二永磁体的磁极同向布置；磁栅尺包括等间距阵列的多个磁栅永磁体，并且相邻两个磁栅永磁体的磁极反向布置；第一永磁体和第二永磁体之间的间距L满足如下关系：L＝(m±1/4)τ，其中，m为正整数，τ为相邻两个同向布置的所述磁栅永磁体的间距。本发明提高实现了温度解耦控制，实现大量程的位移精确测量。
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公开(公告)号：CN116540362B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310317271.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明提供了一种微环谐振器权重高精度校准系统，包括：阵列布置的多个激光器，以及与多个激光器对应连接的多个马赫曾德调制器；其中，多个马赫曾德调制器的RF端用于输入不同频率的测试信号，多个马赫曾德调制器的BIAS端用于输入不同频率的调制信号，测试信号的频率高于调制信号的频率；多个马赫曾德调制器连接波分复用器，波分复用器连接多个串联的微环谐振器；微环谐振器连接电流源，电流源用于向多个所述微环谐振器输入相同频率的扫描信号，其中，调制信号的频率高于扫描信号的频率。本发明对微环谐振器的权重进行校准，有效提高了微环谐振器的精度。
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公开(公告)号：CN112633284B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011444516.7
申请日：2020-12-08
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06V30/148 , G06V10/82 , G06N3/084 , G06N3/04
Abstract: 为了解决传统深度学习硬件系统功耗高、速度慢的问题，本发明提出了一种使用红外激光的纯光深度学习手写数字识别方法，其特征在于，包括电源、CO2激光器、激光器驱动模块、手写数字掩膜板、标校激光器、衍射光栅、标校图像传感器、中红外光电探测器、二维位移平台、电机驱动器、采集模块、计算机控制软件。本发明结构简单、功耗低，对手写数字识别平均准确率高，在特征检测和图像分类领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116577867A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310309293.0
申请日：2023-03-28
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料混合Fano共振的调制器，包括：绝缘体上硅层，在所述绝缘体上硅层上形成微环谐振器，其中，所述微环谐振器包括环形波导和直线波导，所述直线波导对应所述环形波导的中心位置开设气孔，所述环形波导上覆盖一层GST相变材料层。本发明可输出高性能Fano线性，在具有连续传播模式的直线波导中插入气孔，从而产生相位突变，然后与具有离散传播模式的环形波导进行耦合，进而产生Fano共振，通过调制微环谐振器上GST相变材料折射率，利用Fano共振实改变微环谐振器的谐振波长和出射光的光强，从而实现神经元权值功能。
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公开(公告)号：CN116544300A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310303911.0
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的制备方法包括：S1、在GaSb衬底上溅射SiO2层；S2、在SiO2层上粘附光刻胶层，并通过掩膜板对光刻胶层进行曝光；S3、对曝光后的光刻胶层进行图案化处理；S4、对SiO2层进行蚀刻，并去除光刻胶层；S5、在SiO2层的间隙内生长InAs/GaSb II类超晶格台；S6、蚀刻去除SiO2层；S7、在InAs/GaSb II类超晶格台的台面及侧壁制备金属电极。本发明针对传统的衬底外延后再进行刻蚀的方法提出改进，提出先对衬底进行刻蚀图形化，再进行外延生长，极大地避免了外延部分化学键的断裂，有效抑制了传统II类超晶格红外探测器存在的较大的表面暗电流。
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