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公开(公告)号：CN107523798B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201710857636.1
申请日：2017-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板连接提供负偏压的直流电压源；真空腔室的暴露内表面覆盖双层内衬材料，外层为防沾污层，内层为绝缘层，防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了离子注入掺杂的纯净度。
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公开(公告)号：CN106910680A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510976237.8
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L21/22 , H01L21/2215 , H01L21/2605
Abstract: 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散。该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
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公开(公告)号：CN102522366B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201110381993.8
申请日：2011-11-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级倒装芯片重新布线的机械压印制作方法。利用纳米金属颗粒溶液通过模具压印的方法进行倒装芯片的重新布线，将金属纳米颗粒有机溶液涂覆在硅圆片上，然后利用制备好的模具与晶圆片精确对齐，在一定的条件下，给模具以压力使得溶液在模具空腔内完全填充，蒸发溶液再冷却脱模，加温使分散的金属纳米颗粒熔融固化成连续的金属布线。本方法利用纳米金属颗粒溶液的粘度小，通过模具压印实现其流动，并且在低温低压下就可以熔化凝结成连续的块金属线。通过机械的方式在晶圆上实现重新布线，具有工艺简单，原材料利用率高，可靠性高，线条的宽度和间距可以灵活控制等优点。
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公开(公告)号：CN102492986B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110397590.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法，属于光电子技术领域。本衬底结构包括一衬底，衬底上依次设有底层掩膜层、顶层掩膜层；其中，底层掩膜层设有周期性分布的条形窗口，顶层掩膜层上设有周期性分布的“十”字形窗口，“十”字形窗口之间为“工”字形顶层掩膜区；顶层的“工”字形顶层掩膜区两端通过分立的介质层与底层掩膜层的条形掩膜区连接；顶层“十”字形窗口与底层条形窗口相互错开。本发明同时提供了该衬底结构的制备方法以及基于该结构的外延层生长方法。与现有技术相比，本发明提供了一种一步法异质外延的衬底结构，简化了生长工序，同时提高了无位错外延膜的有效宽度，更具有使用价值。
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公开(公告)号：CN1233695C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03100549.7
申请日：2003-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: C08G73/22
Abstract: 本发明公开了聚(苯撑苯并噁唑)及其预聚物与它们的制备方法，目的是提供一种合成聚(苯撑苯并噁唑)的预聚物，以解决聚(苯撑苯并噁唑)合成困难、生产条件苛刻、成型加工困难的问题。本发明所提供的为式(I)预聚物，是通过作为第一种酰氯化合物的对苯二甲酰氯或间苯二甲酰氯与二羟基二胺基苯类化合物为原料在有机缩合剂与有机极性溶剂存在下，常温一步法制得。本发明还公开了改性的聚(苯撑苯并噁唑)及其制备方法。本发明为聚(苯撑苯并噁唑)多领域应用提供了一个可行的前提。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114330510B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202111511703.7
申请日：2021-12-06
Applicant: 北京大学 , 腾讯科技(深圳)有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种模型训练方法、装置、电子设备和存储介质，该方法涉及人工智能领域中的深度学习方向，包括：获取教师模型和学生模型；获取第一预测结果，第一预测结果由教师模型对样本数据集中的样本数据进行预测得到；获取教师模型对第一预测结果的可信度，可信度用于表征第一预测结果的可信程度；根据可信度更新第一预测结果，将更新后的第一预测结果作为第二预测结果；获取第二预测结果与学生模型预测样本数据的结果之间的差异；基于差异，更新学生模型的参数，以训练学生模型。本申请实施例通过教师模型对样本数据预测的可信度，能够准确地确定出样本数据对应的标签，以提升对学生模型的训练效果和效率。
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公开(公告)号：CN117056807A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311027672.7
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京大学重庆大数据研究院
IPC: G06F18/241 , G06N3/0442 , G06N3/08 , G06F18/214 , G06V10/26 , G06V10/764
Abstract: 本发明提供的一种基于语义分割网络和长短期记忆网络的集成云检测方法，包括：获取多通道卫星的历史图像数据以及根据历史图像数据得到的云检测图像，并提取历史图像数据的特征信息；构建单像素点云检测模型，所述单像素云检测模型包括三个长短期记忆网络LSTM和一个全连接层，三个长短期记忆网络LSTM的输入和输出顺次连接形成串联结构，然后串联结构中的最后一个长短期记忆网络LSTM的输出与全连接层的输入连接；将特征信息输入至单像素点云检测模型中并对单像素点云检测模型进行训练；构建DeepLabv3plus语义分割网络，将特征信息输入至DeepLabv3plus语义分割网络中并对DeepLabv3plus语义分割网络进行训练；获取多通道卫星的实时图像数据，并提取实时图像数据的特征信息；将实时图像数据的特征信息分别输入至训练完成的单像素点云检测模型和DeepLabv3plus语义分割网络中进行处理，将DeepLabv3plus语义分割网络的输出结果与单像素点云检测模型的输出结果进行加权求和得到最终的云检测结果。
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公开(公告)号：CN107523798A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710857636.1
申请日：2017-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: C23C14/48
CPC classification number: C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板连接提供负偏压的直流电压源；真空腔室的暴露内表面覆盖双层内衬材料，外层为防沾污层，内层为绝缘层，防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了离子注入掺杂的纯净度。
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公开(公告)号：CN106920744A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510994328.4
申请日：2015-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/322
Abstract: 本发明公开了一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法。在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，可以激励硅中P、B、As、O、N、F等非金属原子扩散。该方法无需高温，方便快捷，成本低廉，受二次污染的程度远较高温为小，不仅可用于改善硅材料的性能，还可以在硅器件制作完成后，运用该方法改进器件的性能。
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