公开(公告)号：CN117717402A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202410080156.9

申请日：2024-01-19

Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)

Inventor： 邴运韬 ,  李磊 ,  原春辉

IPC: A61B17/34

Abstract: 本发明涉及一种套管针，属于医疗器械技术领域，解决了现有技术中气囊受腹壁阻力作用，易与套管针脱离的问题。本发明的套管针包括外管和气囊单元，气囊单元设置在外管上，气囊单元用于将所述外管与腹壁固定连接。本发明的套管针的防护套为锥形防护套，防护套的外径由外管的外壁向气囊的方向逐渐扩大，在将本发明的套管针向腹壁插入的过程中，防护套能够分开腹壁，隔绝腹壁开口与气囊的端部，阻挡腹壁推拉气囊，防止气囊脱离外管。

公开(公告)号：CN109473347B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201811485406.8

申请日：2018-12-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  李磊 ,  臧之昊 ,  张黎莉 ,  徐万劲 ,  张健

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明涉及一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体掺杂技术领域。该方法首先将硅样品抛光并清洗；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部放置连接射频电源的极板，在极板上放置大硅片；将杂质源和硅样品置于大硅片上，杂质源放置在硅样品周围；进行电容耦合等离子体处理；最后将硅样品进行快速热退火处理，得到掺杂硅样品。本发明的方法能够有效地将杂质激活，等离子体的自偏压能够使氦离子与样品表层晶格发生碰撞，从而局部地破坏硅晶格周期性，而正是由于这一改变，硅样品在快速退火处理中，间隙位的杂质原子在周期性已经被部分破坏的硅中较容易地进入代位位置，从而被有效激活，使空穴浓度上升。

公开(公告)号：CN106920744B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510994328.4

申请日：2015-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  谢兮兮 ,  侯瑞祥 ,  李磊 ,  徐万劲

IPC: H01L21/322

Abstract: 本发明公开了一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法。在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，可以激励硅中P、B、As、O、N、F等非金属原子扩散。该方法无需高温，方便快捷，成本低廉，受二次污染的程度远较高温为小，不仅可用于改善硅材料的性能，还可以在硅器件制作完成后，运用该方法改进器件的性能。

公开(公告)号：CN105931951B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201610420343.2

申请日：2016-06-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  李磊 ,  侯瑞祥 ,  徐万劲

IPC: H01L21/223

Abstract: 本发明公布了一种在室温环境下向砷化镓材料中引入杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使杂质源的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入砷化镓材料中。本方法由于不需高温，不仅可以用于砷化镓晶片的掺杂，还可以用于砷化镓器件的掺杂，与传统的高温扩散和离子注入工艺相比，既便捷又经济。

公开(公告)号：CN107574181A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710964220.X

申请日：2017-10-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 李磊 ,  潘加伟

IPC: C12N15/82 ,  A01H6/20 ,  A01H6/82 ,  A01H6/46 ,  C12N15/113

Abstract: 本发明公开了调控植物光合作用的miR408及其应用。本发明发现植物miR408对光合作用具有调控功能，在植物中过表达miR408，气体交换和光谱性质两方面的光合参数测定的结果表明，miR408转基因植物的光合作用显著改善，miR408及其编码基因可用于创制高光合作用的植物新品种，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102522366A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110381993.8

申请日：2011-11-25

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 金鹏 ,  李磊

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种晶圆级倒装芯片重新布线的机械压印制作方法。利用纳米金属颗粒溶液通过模具压印的方法进行倒装芯片的重新布线，将金属纳米颗粒有机溶液涂覆在硅圆片上，然后利用制备好的模具与晶圆片精确对齐，在一定的条件下，给模具以压力使得溶液在模具空腔内完全填充，蒸发溶液再冷却脱模，加温使分散的金属纳米颗粒熔融固化成连续的金属布线。本方法利用纳米金属颗粒溶液的粘度小，通过模具压印实现其流动，并且在低温低压下就可以熔化凝结成连续的块金属线。通过机械的方式在晶圆上实现重新布线，具有工艺简单，原材料利用率高，可靠性高，线条的宽度和间距可以灵活控制等优点。

公开(公告)号：CN114330510A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111511703.7

申请日：2021-12-06

Applicant: 北京大学 ,  腾讯科技(深圳)有限公司

Inventor： 李磊 ,  林衍凯 ,  任宣丞 ,  赵光香 ,  李鹏 ,  周杰 ,  孙栩

IPC: G06K9/62 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本申请实施例公开了一种模型训练方法、装置、电子设备和存储介质，该方法涉及人工智能领域中的深度学习方向，包括：获取教师模型和学生模型；获取第一预测结果，第一预测结果由教师模型对样本数据集中的样本数据进行预测得到；获取教师模型对第一预测结果的可信度，可信度用于表征第一预测结果的可信程度；根据可信度更新第一预测结果，将更新后的第一预测结果作为第二预测结果；获取第二预测结果与学生模型预测样本数据的结果之间的差异；基于差异，更新学生模型的参数，以训练学生模型。本申请实施例通过教师模型对样本数据预测的可信度，能够准确地确定出样本数据对应的标签，以提升对学生模型的训练效果和效率。

公开(公告)号：CN106910681B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510977322.6

申请日：2015-12-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  李磊 ,  侯瑞祥 ,  姚利 ,  徐万劲

IPC: H01L21/223

Abstract: 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷，在室温环境下实现，不仅可用于改善砷化镓材料的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。

公开(公告)号：CN106098543B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201610412679.4

申请日：2016-06-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  侯瑞祥 ,  李磊 ,  徐万劲

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使固态杂质源中的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入硅材料中。本方法由于不需高温，不仅可以用于硅晶片的掺杂，还可以用于硅器件的掺杂，相比传统的杂质引入手段，既便捷又经济。

公开(公告)号：CN108155297A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201611100965.3

申请日：2016-12-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  姚利 ,  谢兮兮 ,  李磊

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公布了一种利用层压法来制备石墨烯顶电极的方法，首先利用湿法或干法转移方法，将石墨烯转移到PDMS上；然后将石墨烯连同PDMS层压到半导体器件的有机功能层上，PDMS上的石墨烯通过范德瓦尔斯力紧紧粘附在有机功能层上，作为器件的顶电极。本发明通过直接层压石墨烯顶电极来制备全透明的有机发光二级管或其他以石墨烯为顶电极的半导体器件，简单便捷、成本低廉。