公开(公告)号：CN105624790A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610114580.6

申请日：2016-03-01

Applicant: 南开大学 ,  泰山体育产业集团有限公司

Inventor： 孔勇发 ,  郑大怀 ,  刘士国 ,  许京军 ,  徐培明 ,  卞志勇 ,  陈绍林 ,  张玲 ,  刘宏德

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  G02F1/03 ,  G02F2/02

CPC classification number: C30B29/30 ,  C01G33/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/9646 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/30 ,  G02F1/0018 ,  G02F1/3551 ,  G02F2202/20 ,  C30B15/00 ,  G02F1/03 ,  G02F2/02

Abstract: 本发明属于非线性光学晶体技术领域，涉及一种铋镁双掺铌酸锂晶体，其特征在于铌酸锂晶体中同时掺入Bi2O3和MgO，其中[Li]和[Nb]的摩尔比为0.90～1.00。Bi2O3掺入量为0.25～1.00mol％，MgO的掺杂量为3.00～9.00mol％。本发明提供的铋镁双掺铌酸锂晶体的光折变效应增强、灵敏度提高；同时抗光损伤能力也显著提高，并且易于生长；所述晶体可应用于激光频率转换、参量振荡、调Q开关、电光调制、全息存储及全息显示等领域。

公开(公告)号：CN102689928B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201210203315.7

申请日：2012-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙军 ,  许京军 ,  李威 ,  杨金凤 ,  张玲 ,  孔勇发 ,  张华

IPC: C30B29/30

Abstract: 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法，包括：将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上，晶体周围裸露的A用铂金片覆盖；再用碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到贫锂多晶粉末B，将B装入坩埚上部；然后将坩埚在高温炉中进行扩散处理，扩散温度为1300~1500℃，扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定，扩散温度越高、晶体厚度越小扩散时间越短，反之越长。经过扩散处理后，可以获得高质量的近化学计量比钽酸锂晶体。

公开(公告)号：CN102689927A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210203084.X

申请日：2012-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙军 ,  许京军 ,  李威 ,  张华 ,  张玲 ,  孔勇发 ,  杨金凤

IPC: C01G33/00 ,  C30B1/10 ,  C30B29/30

Abstract: 一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法,包括：将碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂铌酸锂晶体放置在A上，晶体周围裸露的A用铂金片覆盖；再用碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到贫锂多晶粉末B，将B装入坩埚上部；然后将坩埚在高温炉中加热进行扩散处理，扩散温度为1000~1150℃，扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定，扩散温度越高、晶体厚度越小需要的扩散时间越短，反之时间越长。经过扩散处理后，可以获得高质量的近化学计量比铌酸锂晶体。

公开(公告)号：CN100497758C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610129356.0

申请日：2006-11-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘士国 ,  孔勇发 ,  赵艳军 ,  许京军 ,  陈绍林 ,  黄自恒 ,  张玲

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/04

Abstract: 掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol%。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr4+，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol%)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。

公开(公告)号：CN1283853C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200410019732.1

申请日：2004-06-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙军 ,  张玲 ,  孔勇发 ,  李兵 ,  刘士国 ,  黄自恒 ,  陈绍林 ,  许京军

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的制备，特别是成分均匀的铌酸锂晶体的制备工艺，属于光电材料制备技术领域。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，熔体的成分不断发生变化，结晶的固体成分也不断发生变化。因此难以得到成分均匀的铌酸锂晶体。为此本发明公开了一种近化学比铌酸锂晶体制备工艺，其技术方案是：在双坩埚直拉法生长铌酸锂晶体的工艺中，随着晶体的生长，往熔体中加入Nb∶Li＝64∶36的熔融原料颗粒，使熔体的成分维持不变。本发明的有益效果：加入熔体有利于扩散，使晶体生长速度加快，提高生产效率；原料是含量36mol%的Li，是Li含量小于50mol%的Li2O·Nb2O5体系中熔点最低的共晶点原料，有利于熔体的加入。