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公开(公告)号：CN101697364A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910071052.7
申请日：2009-10-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，在微晶硅基薄膜太阳电池的制备方法中，在沉积完电池的n层后且下一个电池还没有进入到反应室中时，采用空腔室辉光方式进行反应腔室中含磷区域的处理，然后再沉积新电池的p层材料。本发明的优点和积极效果：本发明在单室内沉积完上一个电池的n层后，在下一个电池进入反应室前，仅采用原位微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池沉积所用的反应气体来进行空腔室辉光的磷污染处理技术，以便降低对随后沉积下一个电池的p层材料特性的影响。这种方法既不增加新的设备改造投资，又不需要引入额外的其它非反应气体，并且可以有效降低磷污染，同时提高电池效率。
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公开(公告)号：CN100511728C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710061325.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用绒面临时衬底制备柔性转移衬底太阳电池的方法，该方法将金属衬底浸入电解液中进行表面处理，使金属衬底具有绒面结构，然后在绒面金属铝箔上制备前电极、然后激光切割、制备P-I-N层、激光切割、制备背电极、激光切割和层压聚合物衬底，最后再去除金属衬底制成柔性转移衬底太阳电池。所述本发明中作为柔性转移衬底的金属衬底表面平整且具有绒面结构，使在其表面沉积的前电极也随之具有一定的绒度，从而使所制备的太阳电池具有很好的陷光结构，提高太阳电池效率。
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公开(公告)号：CN101430970A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810154057.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种以聚乙烯吡咯烷酮为成膜剂的光阳极浆料，原料包括乙醇、乙酰丙酮、聚乙二醇、曲拉通、松油醇，以聚乙烯吡咯烷酮为成膜剂；该浆料的制备步骤是：将聚乙烯吡咯烷酮在常温下溶解于酒精中；将光阳极粉、乙酰丙酮、曲拉通、松油醇放入上述溶剂中，研磨30分钟，使其成粘液状即可。本发明的优点是：用聚乙烯吡咯烷酮作为成膜剂，不但价钱便宜，而且使制备的光阳极浆料具有更优异的性能，如成膜性、粘接性；由于聚乙烯吡咯烷酮是一种水溶性的高分子化合物，具有优异的溶解性，吸湿性、热膨胀性和络合性好；利用PVP制备的薄膜，提高了TiO2薄膜吸附染料的数量和电池的短路电流密度，进而提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101373669A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810152279.X
申请日：2008-10-10
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开一种染料敏化太阳电池用有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜，纳米多孔半导体薄膜，是由染料敏化纳米太阳电池用的常规纳米多孔半导体薄膜和具有上转换功能的上转换材料的组合，或是采用化学的或物理的方法直接合成具有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜。常规纳米多孔半导体薄膜和上转换材料的组合，是通过机械搅拌或超声混合的方式组合成纳米多孔半导体薄膜，或是直接将稀土离子掺入到常规的纳米多孔半导体薄膜中，形成具有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜。上转换材料和常规纳米多孔半导体薄膜之间的比例为0.01－1之间。本发明它可将红外光上转换为染料敏化纳米材料易于吸收的可见光，可以有利于增强染料分子吸收更宽谱域的太阳光，这样将进一步提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101369609A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810152280.2
申请日：2008-10-10
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/055 , H01L31/048 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 一种具有上转换材料的太阳电池及其制备方法。太阳电池，包括有薄膜太阳电池、上转换器件和背反射层，薄膜太阳电池、上转换器件和背反射层通过乙烯－醋酸乙烯共聚物封装材料，依次结合在一起构成密封式电池整体。薄膜太阳电池为非晶硅薄膜太阳电池。上转换器件是由实现将近红外光谱转换为可见光的呈现粉末态物质、或玻璃态物质、或薄膜态物质。制备方法：采用常规方法制备薄膜太阳电池；制备上转换器件；制备背反射层；将上述三个阶段所得材料依次结合在一起制成具有上转换材料的太阳电池。本发明能够进一步提高太阳电池的光电转换效率。充分利用上转换材料的功能，将宽谱域红外上转换为可见光，将薄膜太阳电池与该具有上转换功能的材料相结合，形成一种新型高效太阳电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101246942A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810052484.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器，方法是将发光二极管和激光器直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。半导体发光二极管结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LED的N层；位于LED的N层上的LED发光层；位于LED的发光层上的LED的P层；形成在P层上的LED顶部电极。半导体激光器结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LD的N层；位于LD的N层之上的LD的有源层；位于LD的有源层之上的LD的P层；形成在LD的P层之上的LD的顶部电极。本发明可实现LED和LD器件的底发光，可提高LED和LD的发光效率。
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公开(公告)号：CN101217174A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810052036.9
申请日：2008-01-09
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种简便的、可减轻甚至消除染料敏化太阳电池光阳极的微裂纹的修复方法。该方法针对烧结后有微裂纹的多孔TiO2电极，处理方法为：在易水解的浓度为0～0.4M的钛盐或钛醇盐(TiCl4、TiOSO4、Ti(SO4)2、Ti(OC3H7)4、Ti(OC4H9)4)水溶液中处理，处理条件：室温～90℃，时间0.1～48小时，然后再经过400～500℃烧结，可使电极的显微裂纹明显减轻甚至消除。
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公开(公告)号：CN101187015A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710150228.9
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室异形电极。它的功率电极板在功率馈入端口附近设有对应的附加电极片，所述附加电极片平行于功率电极板水平面，所述附加电极片的厚度小于功率电极板，所述附加电极片连接在功率电极板的功率电极面的边缘。本发明的异形功率电极可以在任意激发频率和任意面积大小的PECVD反应室中采用。这种异形功率电极利用电极功率馈入端口的附加电极改变电极表面电流分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。
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公开(公告)号：CN101187014A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710150227.4
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室电极。它包括功率电极板和功率馈入端口，所述功率电极板在功率电极面与功率电极馈入端口之间，设有电极槽。应用本发明的这种电极可获得具有均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室。本发明通过优化大面积甚高频功率源馈入方式、电极结构等，解决大面积电极板电位分布均匀性，是研发大面积VHF－PECVD薄膜沉积和刻蚀系统的基础，这种刻槽式电极利用电极功率馈入端口沟槽分布改变电极表面电流的分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。
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公开(公告)号：CN1725090A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510014464.9
申请日：2005-07-12
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/1368 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种在大面积玻璃衬底上制备大面积全集成型多晶硅TFT有源基板和多个小面积有源基板的技术。通过双边垂直设置驱动电路的方法，采用电路外延交叉点为有源岛形成的对准基点设计方法，与电路长边等长的连续诱导口和ITO掩盖层，来实现MILC多晶硅TFT的电路与MIC多晶硅TFT的矩阵的有机集成，从而避开由于在晶化过程中玻璃衬底收缩所造成的后道加工掩膜板对准错位的问题。采用该项技术，可制备出高质量的多晶硅TFT电路的全集成系统。该项技术为用于大面积衬底流片的工业化生产技术。
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