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公开(公告)号:CN102856324A
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201210345432.7
申请日:2012-09-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/06 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H04B10/25
Abstract: 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片,涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片,该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片,实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成,可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求,用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm BCD工艺制备。
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公开(公告)号:CN101719504B
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN200910112909.5
申请日:2009-12-03
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/08 , H01L21/822 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
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公开(公告)号:CN211585152U
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN201921956319.6
申请日:2019-11-13
Applicant: 厦门大学
IPC: A63B69/40
Abstract: 本公开提供了一种智能发球机,包括:第一挤球轮及第二挤球轮,间隔地相对设置,并且第一挤球轮及第二挤球轮能够转动,以对经过第一挤球轮及第二挤球轮之间的球体进行挤压以发射球体;第一间距调整电机及第二间距调整电机,第一间距调整电机驱动第一挤球轮,第二间距调整电机驱动第二挤球轮,通过第一间距调整电机及第二间距调整电机对第一挤球轮及第二挤球轮之间的间距进行调整,使得第一挤球轮及第二挤球轮之间的间距适应所通过的球体的直径;以及支撑装置,支撑第一挤球轮和第二挤球轮以及第一间距调整电机和第二间距调整电机,并且第一挤球轮及第二挤球轮的间距被调整时,第一挤球轮及第二挤球轮在支撑装置上移动。
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