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公开(公告)号：CN115165299B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210769910.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种空间原子氧环境表征方法、装置、计算机设备及存储介质，属于航空航天技术领域。所述方法包括获取卫星当前时刻的空间位置坐标、运行速度、运行姿态、时间参数，然后根据运行位置、速度及姿态，结合原子氧环境模型和水平风环境模型，获取航天器任务期间实时在轨位置的原子氧数量密度数据、风速数据、航天器自身的复杂结构数据，根据这些数据实现了对空间原子氧环境的实时表征，解决了考虑航天器结构形状的原子氧效应问题。
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公开(公告)号：CN111856164B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010735718.0
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明提供了一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法，包括以下步骤：S100、选择P型半导体材料制备成衬底；S200、在衬底上制备N型外延层；S300、在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；S400、在外延层上生长氧化层；S500、对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；S600、将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置，检测栅极处的空穴电流；S700、在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态。本发明基于MOS场效应管制备工艺，在N型半导体材料衬底上形成正电荷测试结构，并通过调置不同电极之间的电压，快速检测正电荷状态，达到高效高灵敏度检测氧化层中正电荷的目的。
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公开(公告)号：CN111855705B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010735200.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、选择半导体材料制备成衬底；S200、在所述衬底的上表面制备背面电极；S300、在所述背面电极上生长氧化物层；S400、对所述氧化物层的一边进行刻蚀，刻蚀部位漏出所述背面电极；S500、在所述氧化物层的上表面制备正面电极；S600、在所述正面电极上开设多个沟槽，所述多个沟槽呈网格状分布，制得测试样品；S700、对所述测试样品开展辐照试验，检测辐射诱导缺陷。通过本发明的检测方法，可以在氧化物层制备特定的缺陷检测结构，实现电子和空穴快速鉴定与检测，达到高效高灵敏度检测与判定氧化物层中辐射诱导缺陷的目的。
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公开(公告)号：CN111766497B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010735257.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高精度微弱瞬态电流测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：信号施加电路，用于向被测器件施加偏置电压、激励信号和同步信号，其中，偏置电压使被测器件反向偏置，同步信号对激励信号进行同步控制，以使被测器件产生周期性的微弱电流变化量；信号采样电路，用于获取同步信号，并根据同步信号对微弱电流变化量进行周期性的采样，确定多组同步电流数据；数据处理电路，用于对多组同步电流数据形成的数字序列进行积分处理，确定检测微弱电流信号。本发明通过同步信号，对同步电流数据形成的数字序列进行周期性的积分运算，利用重频叠加的方法，有效获取检测微弱电流信号，保证了测试检测微弱电流信号的准确度和高效性。
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公开(公告)号：CN115270422A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210768473.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种基于地球辐射带模型的空间环境仿真计算方法、装置及可读存储介质，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：根据地球辐射带模型得到飞行器在轨运行状态；根据所述地球辐射带模型和所述飞行器在轨运行状态，得到飞行器的空间辐射带环境数据；将所述空间辐射带环境数据经过处理后，得到飞行器的空间环境表征视图。与现有技术比较，本发明通过对飞行器仿真过程的实时量化表征数据进行二次处理和计算，从而使用户能够更好的分析出飞行器任务设计的优劣，与不同位置的空间环境恶劣情况，从而做出设计上的优化，为工程人员对空间环境数据的仿真计算与理解提供必要、有效的手段和方法，有效保证航天器在轨高可靠运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115238561A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210759795.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种研究SiC MOSFET电离总量和单粒子烧毁协同效应的方法，包括：对SiC MOSFET在不同偏置条件下进行电离总剂量辐照试验；记录电离总剂量辐照试验过程中所述SiC MOSFET的电性能变化数据，并分析提取所述SiC MOSFET的关键性能参数；将所述辐照SiC MOSFET进行单粒子烧毁试验，并分析单粒子烧毁试验与电离总剂量辐照之间的协同关系；通过仿真软件研究两者之间的协同作用。本发明通过比较不同条件处理后SiCMOSFET单粒子烧毁后的性能，总结SiC MOSFET的电离总剂量效应与单粒子烧毁效应的影响规律，从而研究两者之间的协同效应。
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公开(公告)号：CN115206462A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210759784.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/06 , G06F113/26 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种基于流动气体法模拟单晶碳化硅干氧热氧化工艺的方法，涉及微电子和器件工艺模拟技术领域。包括如下步骤：构建碳化硅晶体的模型，在模型中的碳化硅晶体表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使碳化硅晶体处于初始状态；加热碳化硅晶体至反应温度，在恒温状态下，间隔第一预设时间，重复在随机位置将一组O2分子以反应温度下所对应的气体速率向碳化硅晶体表面发射，至碳化硅晶体表面发生氧化反应；待氧化反应结束并达到平衡状态后，对模型退火，优化后得到氧化样品；获取氧化样品的结构特征参数。本发明能够模拟干氧热氧化工艺方法形成的氧化样品中的界面缺陷的产生过程，有利于获得界面缺陷产生及消减的控制方法。
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公开(公告)号：CN115206442A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210759866.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明提供了一种不同掺杂体系器件的缺陷演化模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：建立纯硅体系模型；向所述纯硅体系模型中引入掺杂元素，得到掺杂体系模型；基于所述掺杂体系模型，将入射粒子辐照器件后产生的初级撞出粒子的信息作为输入条件，利用分子动力学方法模拟所述器件的缺陷演化过程，输出演化结构；统计所述演化结构中的缺陷信息，并获取所述缺陷信息与所述掺杂体系模型中的掺杂信息、所述初级撞出粒子的信息之间的关系。本发明通过分子动力学方法实现了对不同掺杂体系的半导体器件缺陷演化情况的模拟，模拟过程极尽地贴合实际情况，模拟结果可与实验数据相互对比，且计算方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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公开(公告)号：CN115204023A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210762501.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种航天器表面原子氧或紫外通量的蒙特卡罗仿真方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：将航天器表面剖分成多个多边形网格单元，将所述随机实验参数统一到所述航天器的本体坐标系；按照航天器组件结构关系将所有所述多边形网格单元分成第一结构单元和第二结构单元；获取在运动轨道各点的模拟粒子总数和运动方位，得到处于所述运动方位的模拟粒子的位置坐标和相对运动方向，并通过所述第一结构单元和所述第二结构单元计算每个所述模拟粒子碰触的多边形网格单元，最后，得到航天器表面原子氧通量或紫外通量。与现有技术比较，本发明能够降低大规模蒙特卡罗模拟的时间，提高计算精度和效率。
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公开(公告)号：CN115203922A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210768494.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种考虑姿态的原子氧来流与迎风面实时表征方法及装置，所述方法包括获取每一仿真时刻下飞行器的空间位置、运动速度和运行姿态，并根据位置、速度及姿态，结合原子氧环境模型和横向风环境模型，得到飞行器所处的原子氧数量密度环境以及横向风环境，并根据飞行器的速度及飞行器所处的横向风速度，获得原子氧来流速度，实现了对复杂结构航天器的空间原子氧环境中的考虑来流速度与飞行器自身姿态变化的正迎风面原子氧实时表征。
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