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公开(公告)号：CN111863608B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202010735726.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L23/552 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制备方法。所述大功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；对所述外延层进行氧化处理和光刻处理，形成注入窗口；通过所述注入窗口对所述外延层进行多次重金属离子注入，且后一次注入所述重金属离子形成的离子注入区位于前一次注入所述重金属离子形成的离子注入区的上方。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升晶体管的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证晶体管本身的高性能指标。另外，本发明与常规的晶体管的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN115206447A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210762598.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法，涉及硅工艺的模拟技术技术领域。包括如下步骤：构建表面带有真空层的单晶硅的模型，在恒温条件下，间隔预设反应时间，重复在真空层的随机位置将O2分子和H2O分子以该温度所对应的气体速率向单晶硅表面发射，使单晶硅表面发生氧化反应，退火后，得到氧化试样；氧化试样包括氧化层；获取氧化层的结构参数，重复上述步骤，获取并分析氧化层的结构参数，结构参数至少包括Si‑H键、Si‑O‑H键的数目。本发明从微观角度出发，通过模拟湿氧热氧化工艺的方法掌控和分析氧化层中H的存在形式和电子性质，达到经济高效地预测和优化工艺及相应使用器件的目的。
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公开(公告)号：CN115186567A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210769893.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06T17/00 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种针对太阳耀斑辐射器件后损伤效应的计算方法，包括：构建飞行器敏感体的结构模型，并对所述结构模型添加球形外壳结构；获得所述太阳质子粒子源的积分能谱或微分能谱，然后将所述积分能谱或所述微分能谱导入求解器，得到所述积分能谱或所述微分能谱辐照所述球形外壳结构后的粒子能谱及累计通量；删除所述球形外壳结构，将所述粒子能谱导入求解器，对所述结构模型进行辐照，得到所述粒子能谱辐照后的所述结构模型的辐射损伤数据；对所述辐射损伤数据进行分析，分析粒子对所述飞行器敏感体的辐射损伤效应。本发明提供的计算方法能够精确模拟在辐射屏蔽层存在条件下太阳耀斑对飞行器敏感体的损伤情况，更加符合真实环境。
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公开(公告)号：CN115171806A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762643.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种第三主族单硫化合物二阶非线性光学性质的计算方法，包括：构建Janus第三主族单硫化合物M2XY；采用VASP对优化后的M2XY进行自洽计算，并测试其截断能，然后进行非自洽计算，分别使用PBE和HSE06方法计算优化后的M2XY的带隙，从而得到剪切能量；将剪切能量值输入Elk软件计算优化后的M2XY的二阶非线性极化率，并计算带间和带内跃迁对二阶非线性极化率的贡献。本发明提供的第三主族单硫化合物二阶非线性光学性质的计算方法步骤简单、易于操作，且计算耗时较少、精度高，能够快速准确计算材料的二阶非线性极化率，在光电子器件、激光及集成光学方面有明显的优势和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115165814A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759752.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种模拟声子辅助光致发光谱的方法，涉及半导体材料的模拟技术技术领域，具体适用于固体材料，包括如下步骤：构建含有缺陷的晶胞模型，定义ABCD四种状态，同时计算基态系统位形状态A不同声子模式对应的声子基矢；通过杂化密度泛函自洽计算，获得各态势总能，构建位形图和ZPL能量；提取所述总能、声子基矢和原子质量，通过计算获得黄昆因子和光谱数据，将其导入绘图软件，得到光致发光谱。本发明所述的计算方法实现对固体材料声子辅助光致发光性质的精确模拟计算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115146413A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210830004.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/14 , G06F113/14 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种二维褶皱材料纳米管性能分析方法，包括以下步骤：将不同宽度的二维褶皱材料分别沿两个周期方向卷曲，构建得到不同管径大小的扶手椅型二维褶皱纳米管和锯齿型二维褶皱纳米管，然后对其进行原子弛豫，获得稳定的结构；分别计算纳米管的能带和态密度；计算不同应力条件下纳米管的能带结构，分析其电学行为；计算纳米管的杨氏模量。本发明通过模拟计算方法使二维褶皱材料沿两个不同周期方向卷曲，构建得到扶手椅型二维褶皱纳米管和锯齿型二维褶皱纳米管，并通过第一性原理计算方法对构建得到的纳米管电学性质以及应变对其电学行为的调控进行了系统研究，能够了解不同二维褶皱纳米管的性能，为新材料的设计提供了思路。
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公开(公告)号：CN106137218A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610614860.3
申请日：2016-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: A61B5/1455
CPC classification number: A61B5/1455 , A61B5/14532
Abstract: 本发明公开了一种非侵入红外复合吸收精测血糖变化的方法，所述方法首先根据葡萄糖分子振动和COMSOL模拟仿真结果确定复合探测源的选择波长；然后利用生物组织的选择性透过和血糖的特征吸收建立透射光强与糖浓度之间的数学关系，并利用人体测试部位的热辐射定标温度，为模型提供实时有效的动态参数，减小因待测个体和部位的差异而造成的误差；最后利用葡萄糖的手性旋光现象以垂直偏振的方式消除光强直流项，提高灵敏度，实现了动态修正的低浓度血糖的非侵入红外探测。
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公开(公告)号：CN115165814B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210759752.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种模拟声子辅助光致发光谱的方法，涉及半导体材料的模拟技术技术领域，具体适用于固体材料，包括如下步骤：构建含有缺陷的晶胞模型，定义ABCD四种状态，同时计算基态系统位形状态A不同声子模式对应的声子基矢；通过杂化密度泛函自洽计算，获得各态势总能，构建位形图和ZPL能量；提取所述总能、声子基矢和原子质量，通过计算获得黄昆因子和光谱数据，将其导入绘图软件，得到光致发光谱。本发明所述的计算方法实现对固体材料声子辅助光致发光性质的精确模拟计算。
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公开(公告)号：CN111883218B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010735168.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属硫化物非线性光学性质的调控方法及装置，方法包括：将过渡金属硫化物结构中的一个原子替换为标定原子，获得新的原子晶格；优化新的原子晶格的晶格参数，获得优化后的晶格参数；根据优化后的晶格参数依次进行自洽计算和非自洽计算，获得预处理后的晶格参数，根据预处理后的晶格参数确定电子带隙；根据预处理后的晶格参数进行非自洽计算，获得波函数，根据波函数进行GW‑BSE计算，获得光学带隙；根据光学带隙和电子带隙确定带隙差，根据带隙差确定修正参数；根据修正参数和控制参数进行模拟，获得多个二阶非线性非零响应光谱。本申请的技术方案，提高了过渡金属硫化物的非线性光学性质，降低了计算模拟过程的复杂度。
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公开(公告)号：CN115146457A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762618.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , H01L21/66 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法，包括以下步骤：构建无缺陷和有缺陷的半导体材料结构，然后指定材料的带电状态a，a‑1和a+1，对半导体材料进行优化，使原子均处于各自的平衡位置；计算构建得到的几种半导体材料结构的能量；采用公式计算半导体材料中缺陷的俘获截面。本发明通过模拟计算的方式能够快速、准确计算半导体材料中的俘获截面，从而评估半导体材料的抗辐射性能，解决了传统的俘获截面计算过程中实验测试周期长、效率低的问题。
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