一种惯性碰撞过滤器
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108421311B

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201810145281.8

    申请日:2018-02-12

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明涉及空气过滤设备技术领域,尤其涉及一种惯性碰撞过滤器。本发明惯性碰撞过滤器包括由上而下设置的基板、中间板及粘附层,中间板开设有入气孔,中间板与基板之间形成有纵向贯通的流出通道,在基板上开设有与流出通道相通的通孔,粘附层粘附于中间板上并封闭入气孔。本发明惯性碰撞过滤器可以采用多种材料组成,因而其成本可以大幅下降。相比于现有的商业PM2.5悬浮颗粒污染物过滤器,惯性碰撞过滤器的通孔面积更大,因而可有效地降低压力差,避免阻塞。同时,在较大的风速下,仍然可以保持较高的空气过滤效率。

    一种氢气传感器结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN111089882A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN202010002563.X

    申请日:2020-01-02

    Abstract: 本发明描述了一种氢气传感器结构及其制备方法,属于氢气传感器领域。技术方案:该新型传感器结构是基于纳米钯颗粒、碳纳米管和聚偏氟乙烯(PVDF)为原料。采样静电纺丝和浸渍的方法进行混合而成。其具体制备方法是使用静电纺丝工艺把PVDF制作成纤维薄膜,把碳纳米管和钯颗粒在乙醇的混合下搅拌均匀,再把PVDF薄膜浸渍在该溶液中,然后100度干燥即可制作成氢气传感器。有益效果:本发明所述的传感器具有灵敏度高、恢复快和成本低等优点。

    一种外延层转移方法
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110838435A

    公开(公告)日:2020-02-25

    申请号:CN201910975301.9

    申请日:2019-10-14

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明涉及一种外延层转移方法,属于半导体技术领域。本发明的外延层转移方法包括如下步骤:S1、在母衬底表面形成多孔界面层;S2、在多孔界面层上生长外延层;S3、将外延层通过粘结技术粘合到支撑衬底上进行外延层的转移,然后将外延层与母衬底分离。本发明通过在母衬底和外延层的界面加入一层多孔硅锗合金层,从而能够无需H离子注入即可在低温条件方便地转移外延层,从而降低了热预算和加工成本。

    一种贵金属掺杂的PVDF纳米纤维复合膜的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN110090565A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201910293179.7

    申请日:2019-04-12

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种贵金属掺杂的PVDF纳米纤维复合膜的制备方法及其应用,特点是包括以下步骤:(1)在超薄高透光无纺织布上采用磁控溅射的方法淀积银金属厚度达150nm得到过滤网膜框架;(2)将N,N-二甲基甲酰胺与丙酮按7:3的比例混合后,搅拌并加入一定量的PVDF粉末和硝酸银粉末,超声处理后恒温磁力搅拌,静置24h后获得前驱液;(3)将高压直流电源火线接于针头外壁,零线接于过滤网膜框架作为静电纺丝收集衬底,在针筒中加入前驱液,通过静电纺丝方式获得贵金属掺杂的PVDF纳米纤维复合膜;优点是具有超高PM0.5过滤效率、低空气过滤压阻、高品质因子和良好的过滤稳定性。

    一种低损耗大带宽的光学隔离器
    35.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118151421A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410271136.X

    申请日:2024-03-11

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗大带宽的光学隔离器,通过一根总线波导、两个环形跑道形波导、YIG种子层及磁光薄膜构成光学隔离器主体结构,每个环形跑道形波导均包括两个半圆形波导和两个直波导,两个半圆形波导和两个直波导依次连接形成环形,将两个环形跑道形波导分别称为第一环形跑道形波导和第二环形跑道形波导,YIG种子层附着在第二环形跑道形波导中位于后侧的直波导的上端面上,且将其完全覆盖住,磁光薄膜附着在YIG种子层上且将其完全覆盖住;优点是在可融入半导体工业生产线,能够适用于工业大规模生产的同时,采用较小的尺寸同时实现较低损耗和较大隔离带宽。

    一种非晶硅平板型荧光太阳集光器的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN111641383B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202010300184.9

    申请日:2020-04-16

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于长余辉微米颗粒的非晶硅平板型荧光太阳集光器的制备方法及其应用,特点是其制备方法包括铬离子与铕离子共掺杂锶铝锗酸盐发光中心材料制备的步骤:将发光中心粉末与硫醇烯共聚物复合得到非晶硅平板型荧光太阳集光器的步骤,在非晶硅平板型荧光太阳集光器的四周粘贴带导电金属PCB板的非晶硅太阳能电池板、其上表面设置顶部减反层且其下表面设置底部金属反射层得到光伏发电装置;优点是光电转换效率高且发光寿命长,且应用到光伏发电装置中可有效减少入射光子表面反射损耗、平板型光波导内传输损耗,从而显著提高在弱光照条件下的光学收集效率以及光电转换效率。

    一种单晶硅平板型荧光太阳集光器的制备方法

    公开(公告)号:CN112366242B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202011143174.5

    申请日:2020-10-23

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于核壳量子点掺杂PHPS/PMMA的单晶硅平板型荧光太阳集光器的制备方法,特点是包括发光中心材料铜铝铟硫/硒化锌核壳量子点制备的步骤;将全氢聚硅氮烷、聚甲基丙烯酸甲酯混合后不断搅拌,混合均匀,得到前驱液A,将CAIS/ZnSe核壳量子溶解于二甲苯中,搅拌混合得到前驱液B;然后将前驱液A和前驱液B按体积比10:1的比例在旋涡混合器上混合振荡后超声处理,置于真空干燥箱中抽气后装入模具中,采用真空加热的方法进行紫外光固化,固化脱模后,再经过切割、抛光工艺,即得到基于核壳量子点掺杂PHPS/PMMA的单晶硅平板型荧光太阳集光器,优点是光子输运效率高且集光效率高。

    一种平板型荧光太阳集光器的测试装置及其集光效率和光增益系数测试方法

    公开(公告)号:CN111537199B

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202010360213.0

    申请日:2020-04-30

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种平板型荧光太阳集光器的测试装置及其集光效率和光增益系数测试方法,特点是该测试装置包括太阳光模拟器、样品台、积分球、单色仪、光功率测试仪、光电探测器和控制主机;太阳光模拟器将模拟的太阳光照射到样品台上待测平板型荧光太阳集光器样品的上表面,平板型荧光太阳集光器样品侧面通过不透光的橡胶密封圈与积分球的进光口相连,积分球的出光口通过光纤与单色仪的进光口相连,单色仪分别与光电探测器和光功率测试仪连接,单色仪、光功率测试仪和光电探测器分别与控制主机的输入端连接,控制主机的输出端连接计算机显示器,可利用该装置进行平板型荧光太阳集光器集光效率和光增益系数测试,优点是准确直观、精确度高。

    一种基于三氧化钼纳米片的硫化氢气体传感器制备方法

    公开(公告)号:CN112730531A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011556781.4

    申请日:2020-12-24

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明涉及到硫化氢气体传感器领域,特别涉及到一种基于三氧化钼纳米片的硫化氢气体传感器制备方法。技术方案:在传感器中先将三氧化钼纳米片粉末分散在去离子水或者乙醇中形成悬浮液,然后均匀涂覆在金叉指电极上并在不超过150℃的温度下下加热以形成薄膜;传感器的工作温度在200‑350℃范围内;传感器的实时监测信号是在1V的直流电压下,传感器的电阻值的变化。本发明的效果和益处是:相对于报道的硫化氢气体传感器,利用三氧化钼纳米片材料的气体传感器具有更好的选择性,且灵敏度高,制备简单。

    一种EEPROM上电读写保护电路

    公开(公告)号:CN110827866B

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201911067944.X

    申请日:2019-11-04

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种EEPROM上电读写保护电路,所述电路包括上电复位电路、基准电压产生电路、比较器、电阻R1、电阻R2、振荡器、计时器、二输入与门1、二输入与门2、反相器等模块。本发明在传统的上电复位电路基础上增加了振荡器、计时器以及一些逻辑电路,不但能够灵活的设定上电延时时间,而且会避免上电过程中反复的掉电带来的EEPROM读写操作风险。本发明可任意控制电源上电过程中EEPROM的读写等待时间,上电过程中和正常供电时的任何异常掉电都能够快速响应,避免EEPROM的异常读写。

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