公开(公告)号：CN105143979A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021117.6

申请日：2014-04-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  新城彻也 ,  染谷安信 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/02 ,  C08L65/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G61/02 ,  C08G61/124 ,  C08G73/026 ,  C08G2261/1422 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3424 ,  C08L65/00 ,  C08L79/02 ,  G03F7/091

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种包含聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物具有由下述式(1)表示的结构单元，式(1)中，X1表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的二价有机基，X2表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的有机基或甲氧基。

公开(公告)号：CN104185816A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201380015579.2

申请日：2013-03-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  坂本力丸 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  染谷安信 ,  柄泽凉

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/26

CPC classification number: H01L21/0271 ,  C08G12/26 ,  C08G12/40 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2059 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具有耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了含有具有下述式(1)所表示的结构单元的聚合物抗蚀剂下层膜形成用组合物。环A和环B均是苯环，n1、n2、和n3是0，R4和R6是氢原子，R5是萘基。提供了一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：在半导体基板上通过所述抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序，在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的工序，通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序，通过图案化的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，以及通过图案化的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

公开(公告)号：CN104067175A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006128.2

申请日：2013-01-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 染谷安信 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08L61/30 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08G16/0275 ,  C08G73/06 ,  C08G73/0627 ,  C09D161/26 ,  C09D179/04 ,  G03F7/094 ,  H01L21/3088

Abstract: 本发明提供用于形成兼有干蚀刻耐性、耐热性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。因而提供了含有具有下式(1)所表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物，优选式(1)中的R3为氢原子，n1和n2都是0。提供给了含有下述工序的半导体装置的制造方法：在半导体基板上使用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序、在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过光或电子束的照射和显影而形成抗蚀剂图案的工序、通过该抗蚀剂图案而蚀刻硬掩模的工序、通过图案化了的硬掩模而蚀刻该下层膜的工序、和通过图案化了的下层膜而加工半导体基板的工序。