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公开(公告)号：CN105209974B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201480025526.3
申请日：2014-05-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G14/073 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成具有高干蚀刻耐性与扭曲耐性，且对高低差、凹凸部显示良好的平坦化性、埋入性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含通过包含芳香族环的有机化合物A和醛B的反应得到的树脂，所述醛B具有至少2个具有酚式羟基的芳香族碳环基，且具有该芳香族碳环基通过叔碳原子结合而成的结构。醛B为下述式(1)。Ar1和Ar2分别表示碳原子数6～40的芳基。得到的树脂为式(2)。包含芳香族环的有机化合物A为芳香族胺或含有酚式羟基的化合物。还包含溶剂。还包含酸和/或产酸剂、交联剂。一种抗蚀剂图案的形成方法，用于半导体的制造，包含将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上，并烧成从而形成下层膜的工序。
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公开(公告)号：CN104838315B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201380065075.1
申请日：2013-12-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , Y10T428/31942
Abstract: 提供具有高的干蚀刻耐性、扭曲耐性、耐热性等的用于光刻工序的抗蚀剂下层膜。光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物，所述聚合物含有式(1)的单元结构，式(1)中，A表示源于多羟基芳香族化合物的碳原子数为6～40的羟基取代亚芳基，B表示碳原子数为6～40的亚芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，X+表示H+、NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、或季铵离子，T表示氢原子、或可被卤素基、羟基、硝基、氨基、羧酸酯基、腈基、或它们组合成的取代基取代的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，B和T可与它们所结合的碳原子一起形成碳原子数为4～40的环。
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公开(公告)号：CN108292098A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680070329.2
申请日：2016-11-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构，(式(1)中，A表示具有至少2个氨基的2价基团，该基团是由下述化合物衍生的基团，所述化合物具有稠环结构并且具有将该稠环上的氢原子取代的芳香族基团，B1、B2各自独立地表示氢原子、烷基、苯环基、稠环基或它们的组合，或者B1与B2可以与它们所结合的碳原子一起形成环。)。
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公开(公告)号：CN104067175B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380006128.2
申请日：2013-01-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08G12/26 , C08G16/0275 , C08G73/06 , C08G73/0627 , C09D161/26 , C09D179/04 , G03F7/094 , H01L21/3088
Abstract: 本发明提供用于形成兼有干蚀刻耐性、耐热性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。因而提供了含有具有下式(1)所表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物，优选式(1)中的R3为氢原子，n1和n2都是0。提供给了含有下述工序的半导体装置的制造方法：在半导体基板上使用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序、在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过光或电子束的照射和显影而形成抗蚀剂图案的工序、通过该抗蚀剂图案而蚀刻硬掩模的工序、通过图案化了的硬掩模而蚀刻该下层膜的工序、和通过图案化了的下层膜而加工半导体基板的工序。
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公开(公告)号：CN107407883A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680012680.6
申请日：2016-02-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0046 , C07C67/347 , C07C69/753 , C07C2601/02 , C07C2604/00 , C08F20/36 , C09D133/14 , G03F7/0752 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/168 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题是提供对包含碳氟化合物的气体具有高干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的形成方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜的形成方法，将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在基板上，将涂布有上述抗蚀剂下层膜形成用组合物的基板在氮气、氩气或它们的混合物的气氛下，在240℃以上的温度烘烤至少1次，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含：相对于富勒烯1分子加成有下述式(1)：(式中，2个R各自独立地表示碳原子数1～10的烷基。)所示的丙二酸二酯1～6分子的富勒烯衍生物、具有至少2个环氧基的化合物以及溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106662819A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580036571.3
申请日：2015-08-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/24 , C08G14/06 , C08G14/073 , C08G14/09
Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用抗蚀剂下层膜，其为了呈现良好的涂布成膜性而在抗蚀剂溶剂(光刻中使用的溶剂)中具有高溶解性，且具有比抗蚀剂小的干蚀刻速度选择比。本课题的解决方法是一种包含酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述酚醛清漆树脂含有通过芳香族化合物(A)的芳香环与含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)反应而得到的结构体(C)。芳香族化合物(A)是用于构成酚醛清漆树脂中包含的结构体(C)的成分。含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)用式(1)表示。含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)为2‑羟基苄醇、4‑羟基苄醇、或2,6‑二叔丁基‑4‑羟基甲基苯酚。
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公开(公告)号：CN102084301A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126339.3
申请日：2009-07-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02282 , C08G77/04 , C08G77/60 , C08L83/04 , G03F7/405 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/0337 , H01L21/3121 , H01L21/3122
Abstract: 本发明的课题在于得到适合于“反式构图”，用于形成覆盖抗蚀图案的膜的理想涂布组合物。为了解决上述课题，使用含有有机聚硅氧烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和季铵盐或季盐的光刻用涂布组合物，或者使用含有聚硅烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和选自交联剂、季铵盐、季盐和磺酸化合物中的至少1种添加剂的光刻用涂布组合物，上述聚硅烷的末端具有硅烷醇基、或该硅烷醇基和氢原子。
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公开(公告)号：CN110698331B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201910993087.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C43/178
Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。
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公开(公告)号：CN110698331A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910993087.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C43/178
Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。
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公开(公告)号：CN108028194A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052691.7
申请日：2016-09-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: C03C15/00 , H01L21/306 , H01L33/22 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供基板表面的粗化方法。本发明的表面粗化方法包括下述工序：第1工序，在基板的表面上涂布含有无机粒子(a1)和有机树脂(a2)的组合物(a3)，然后进行干燥和固化，从而在该基板上形成有机树脂层(A)；第2工序，通过用含有氟化氢、过氧化氢或酸的溶液蚀刻形成了有机树脂层(A)的基板从而使该基板的表面粗化。特别优选的方式中，蚀刻利用含有氟化氢和氟化铵、或过氧化氢和铵的溶液进行，有机树脂层(A)以相对于有机树脂(a2)100质量份而言无机粒子(a1)为5～50质量份的比例含有无机粒子(a1)和有机树脂(a2)，组合物(a3)使用作为无机粒子(a1)的二氧化硅或氧化钛分散在有机溶剂中而得的二氧化硅溶胶或氧化钛溶胶、与有机树脂(a2)的溶液的混合物。本方法可应用于LED的光取出层或太阳能电池的低反射玻璃。
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