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公开(公告)号：CN100587820C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200410058643.8
申请日：2004-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/252 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 在本发明的信息记录介质中，在基片(1)的一面上形成有记录层(4)和第一介电层(2)和第二介电层(6)。在记录层中，通过光照射或施加电能来进行信息的记录和/或再生。所述介电层是：含有选自由Sn、Ga和Zn组成的GM组中的至少一种元素的氧化物，和选自由Al、Si和B组成的GL组中的至少一种元素的氧化物和/或氮化物的氧化物基材料层或氧化物-氮化物基材料层；或含有选自La和Ce中的至少一种元素的氟化物，和选自GM组中的至少一种元素的氧化物的氧化物-氟化物基材料层。
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公开(公告)号：CN101522431A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037581.4
申请日：2007-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在记录层的厚度为3nm左右的非常薄的情况下记录信息时的记录灵敏度高、且消除性能也好的信息记录介质。在通过照射光或施加电能而能记录信息的信息记录介质(15)中，至少具有引起相变化的记录层(104)，记录层(104)将选自Zn、Si和C中的至少一种元素和Sb含有共计85原子％以上，优选其组成以组成式Sb100－a1M1a(原子％)(其中，M1为选自Zn、Si和C中的至少一种元素，a1表示以原子％表示的组成，并且满足0＜a1≤50。)来表示。
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公开(公告)号：CN100362582C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200410056457.0
申请日：2004-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , C23C14/08 , C23C14/205 , C23C14/542 , C23C14/568 , G11B7/24038
Abstract: 本发明提供一种即使在对半透明的信息层进行高密度记录时信号品质也良好的光学信息记录介质及其制造方法以及制造装置。本发明的光学信息记录介质，在圆盘状的透明基板以及保护基板之间至少设有半透明的信息层，该信息层具有光束引导用的螺旋状沟槽，还包括通过在能由来自所述透明基板侧的光束的照射光学检测出来的至少2个状态之间呈现变化、从而能够进行记录及再生的记录膜，并且在进行记录以及再生的全部区域上，所述沟槽的内周侧以及外周侧的斜面部分的膜厚的差在±10%以内。
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公开(公告)号：CN101069238A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200580040945.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明公开一种信息记录介质及其制造方法，其中作为电介质层材料不含有硫，信号质量高且重写特性优秀，且减少了层数的低成本的信息记录介质。因此，在记录或再生信息的信息记录介质中，具有含Ce－F的层，含Ce－F的层作为电介质层。
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公开(公告)号：CN1682299A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822063.6
申请日：2003-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 一种光学信息记录媒质包括基底以及设置在该基底上的至少m(m是2或大于2的整数)个信息层，m个信息层中的每一个包括记录层，并且如果将m个信息层按照从激光束入射侧开始的顺序称作第一到第m信息层，那么当把包含在第j(j是满足1≤j≤m－1的整数)信息层中的记录层当作第j记录层时，并且在第j记录层处于状态A时第j信息层的透射率为TAj(％)，以及在第j记录层处于状态B时第j信息层的透射率为TBj(％)时，在第j信息层中满足以下关系式：0≤|TAj－TBj|/(TAj，TBj)max≤0.10其中(TAj，TBj)max是Taj和TBj中较大的值，并且第一到第(m－1)记录层中的至少一个记录层由复折射率与第m记录层的复折射率不同的材料制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1682297A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821723.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。
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公开(公告)号：CN1670848A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052928.5
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1670831A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052932.1
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1604211A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083508.9
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的信息记录媒体(15)，其特征在于包括：衬底(14)和设置在衬底(14)上的信息层(16)，上述信息层(16)包括：记录层(104)，其通过照射激光束或施加电能量，而能够在晶相和非晶相之间产生相变化；含Cr层(103或105)，其中至少含有Cr和O，该层布置成与上述记录层(104)的第1面相连接；以及含Ga层(105或103)，其中至少含有Ga和O，该层布置成与上述记录层的第2面相连接。
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公开(公告)号：CN1551161A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410042285.1
申请日：2004-05-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/0013 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明的光学信息记录媒体包括在基底(5)上设置的信息层(8)。信息层(8)包括：记录层(2)，通过用预定波长的激光束(7)照射可以相对所述记录层记录和再现信息；第一保护层(1)，相对记录层(2)，设置在激光入射侧；和第二保护层(3)，相对记录层(2)，设置在激光入射侧的相对侧。对于用于记录和再现的预定波长的激光，第一保护层(1)的折射率n1和第二保护层(3)的折射率n2满足关系n2＜n1。
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