-
公开(公告)号：CN1538421A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031432.5
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括透明衬底和在该透明衬底上提供的多层薄膜。多层薄膜至少包括能通过光束照射以光学方式被检测的在两个或多个不同状态之间改变的记录层，以及光吸收层，该记录层和该光吸收层从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列。该记录层包含由分子式Gex(BiySb1－y)2Tex+3(其中，x≥5以及0＜y≤1)表示的材料作为主要成分。包括记录层的这种多层薄膜也适用于包括从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列的、位于该透明衬底上的第一信息层至第N信息层(N为2或更大的整数)的多层记录介质。在这种情况下，第一信息层至第N信息层的至少一个具有与多层薄膜相同的结构。
-
公开(公告)号：CN1145937C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN98116942.2
申请日：1998-08-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/24079
Abstract: 实现一种采用纹间平台和沟纹记录方式的串扰小的高密度反射率增大型光学信息记录媒体。它备有：具有沟纹3、邻接沟纹3、3间的平台4的基片1及设在基片1上的其反射率因光束照射而变化的记录层2。使记录后的反射率大于记录前的反射率。设光束波长为λ、基片1的折射率为n，将沟槽3的深度D设定在λ/8n以上3λ/8n以下范围内，且将记录后的反射光相位Φ1与记录前的反射光相位Φ0之差ΔΦ＝Φ1-Φ0设定在(-0.1+2m)π以上(0.1+2m)π以下(其中，m为整数)的范围内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1143289C
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN99111652.6
申请日：1999-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/006 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种能抑制交叉擦除、即使在高密度·高线速度的过量写入中也能使擦除率高、而且跳动小的信息记录再生的光学信息记录媒体。在透明基板1上依次重叠下侧保护层2、记录层3、上侧保护层4、中间层5、反射层6，构成媒体，导热系数按照反射层、中间层、上侧保护层的顺序依次增大，而且使记录层的厚度为4～16nm。设光吸收层的折射率为n1、消光系数为k1，光吸收层的厚度d1在0.1λ/(n1·k1)≤d1≤1.0λ/(n1·k1)的范围内。
-
公开(公告)号：CN1479287A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01141248.8
申请日：2001-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种光学信息记录媒体，在透明基板1上具备信息层21，信息层21由记录层3和介质层2构成，记录层3含Te、O和M(其中，M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选出的1种或多种元素)，记录层中的O原子的含有比例为25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例为1原子％以上至35原子％以下，介质层2的折射率n为1.5以上。由此提供即使在使用紫色的激光的高密度的信息的记录及重放中也能得到高C/N比的良好记录及重放特性的一次写的光学信息记录媒体及其制造方法、记录及重放方法和记录及重放装置。
-
公开(公告)号：CN1397948A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02140664.2
申请日：2002-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/00456 , G11B7/0062 , G11B7/126 , G11B7/2433 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2538 , G11B7/2585 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的课题是，提供可以以高线速度和高可靠性进行信息记录的光学信息记录介质、它的制造方法以及它的记录、播放方法。设置第1基板11、与第1基板11平行配置的第2基板12、配置在第1基板11和第2基板12之间的信息层20，信息层20包含记录层22和以与记录层22的距离在20nm以下的方式配置的电介质层(下侧电介质层21/上侧电介质层23)。记录层22是借助于从第1基板11侧入射的光束14的照射在可用光学方法识别的2种以上的不同状态之间变化的层，电介质层包含ZnS和Si作为其主成分。
-
公开(公告)号：CN1365108A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01145664.7
申请日：2001-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供反射率高、高密度的信息记录再现中也得到C/N比和灵敏度高的良好记录再现特性的补写型光信息记录媒体。该媒体具有透明基板、在该基板上配置的至少1个信息层,该信息层具有包含Te、O和M的材料构成的记录层,对于从透明基板侧入射的光束,与在记录层上记录信息之前的反射率相比,记录层上记录信息后的反射率低。其中,M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Bi中选择的至少1个元素。
-
公开(公告)号：CN1211789A
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：CN98116942.2
申请日：1998-08-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/24079
Abstract: 实现一种采用纹间平台和沟纹记录方式的串扰小的高密度反射率增大型光学信息记录媒体。它备有:具有沟纹3、邻接沟纹3、3间的平台4的基片1及设在基片1上的其反射率因光束照射而变化的记录层2。使记录后的反射率大于记录前的反射率。设光束波长为λ、基片1的折射率为n,将沟槽3的深度D设定在λ/8n以上3λ/8n以下范围内,且将记录后的反射光相位Φ1与记录前的反射光相位Φ0之差△Φ=Φ1－Φ0设定在(－0.1+2m)π以上(0.1+2m)π以下(其中m为整数)的范围内。
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.028 seconds)
