公开(公告)号：CN1822225A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510129559.5

申请日：2005-12-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山上由展

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/409 ,  G11C11/417 ,  G11C11/419 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/412 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，其确保对所有存储单元进行的写操作，而与由制造误差等引起的存储单元的性能上的起伏无关，并且可以减少写操作时间和功耗。根据写放大器控制信号WAE控制存储单元1和虚拟存储单元1a的写操作。根据写完成信号WRST确定写操作结束时刻，该写完成信号WRST表示虚拟存储单元1a的储存状态。设计虚拟存储单元1a和外围电路使得虚拟存储单元1a所需的写时间大于或等于存储单元1所需的写时间的最大值。

公开(公告)号：CN1591684A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056092.1

申请日：2004-08-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山上由展

IPC: G11C11/4193

CPC classification number: G11C11/419

Abstract: 一种半导体存储器件包括：字线、位线对、存储单元(1)、位线预充电电路(2)和写放大器(3)、以及虚拟字线、虚拟位线对、虚拟存储单元(1a、1b和1c)以及存储单元存储节点检测电路6。通过虚拟存储单元(1b和1c)的作用，保证了用于虚拟存储单元(1a)的写定时基本上等于用于存储单元(1)的写定时。在被包含于虚拟存储单元(1a)中的存储节点(S1和S2)的状态变化的基础上，存储单元存储节点检测电路6产生写完成信号WRST。结果，提供一种具有最佳写定时和低功耗的半导体存储器件。