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公开(公告)号：CN100440348C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610100582.6
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN101194310A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020272.1
申请日：2006-05-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2533 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种在高线速度且宽线速度范围内，确保高的记录消去性能和优良的记录保存性的信息记录介质。此种信息介质通过如下构成得到作为整体具有可产生相变化的组成的记录层，即：由在厚度方向上叠层的第1至第M(M为2以上的整数)的结构层，在将位于激光入射侧的第m的结构层设为第m结构层(m为整数，且满足1≤m≤M)的情况下，邻接的第m结构层与第m+1结构层具有相互不同的元素组成。在该信息记录介质中，构成记录层的至少一个第m结构层优选包含从Te、Bi、Sb、Ge、In、Ga、Al、Sn、Pb、Se及Si中选择的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN100346412C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410002006.9
申请日：2004-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种信息记录介质及其制造方法，在基板(1)的表面上形成记录层(4)以及介质层(2)和(6)，记录层(4)通过照射光束或施加电能在晶相与非晶相之间产生相变，介质层(2)和(6)是例如由式(MO2)N(Cr2O3)100-N(摩尔%)(式中M仅为Hf或者Hf和Zr，20≤N≤80)所示的材料组成的Hf/Zr-Cr-O系材料层。根据本发明提供一种在记录层与介质层之间即使不设置界面层也能确保高可靠性和良好反复重写性能的信息记录介质。
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公开(公告)号：CN100341060C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03821723.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。
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公开(公告)号：CN1320541C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03822063.6
申请日：2003-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 一种光学信息记录媒质包括基底以及设置在该基底上的至少m(m是2或大于2的整数)个信息层，m个信息层中的每一个包括记录层，并且如果将m个信息层按照从激光束入射侧开始的顺序称作第一到第m信息层，那么当把包含在第j(j是满足1≤j≤m-1的整数)信息层中的记录层当作第j记录层时，并且在第j记录层处于状态A时第j信息层的透射率为TAj(%)，以及在第j记录层处于状态B时第j信息层的透射率为TBj(%)时，在第j信息层中满足以下关系式：0≤|TAj-TBj|/(TAj，TBj)max≤0.10，其中(TAj，TBj)max是TAj和TBj中较大的值，并且第一到第(m-1)记录层中的至少一个记录层由复折射率与第m记录层的复折射率不同的材料制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1306508C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN03107671.8
申请日：2003-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录媒体，其特征在于，至少设置一层信息层，所述信息层从激光入射侧按顺序包含第1保护膜、第1界面膜、通过激光的照射其光学特性会可逆变化的记录膜、第2界面膜、第2保护膜及反射膜，第1界面膜包含从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的氧化物，第2界面膜包含碳或从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的碳化物。
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公开(公告)号：CN1677526A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510054758.4
申请日：2005-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/24 , Y10T428/21
Abstract: 提供了一种记录介质，其在透明衬底上至少具有记录层。记录层从最靠近透明衬底的一侧开始依次至少具有第一可相变膜和第二可相变膜。第一可相变膜和第二可相变膜每个都包含至少10原子百分比且不超过50原子百分比的锗以及至少45原子百分比且不超过60原子百分比的碲。可相变膜中至少一个膜还包含铋。
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公开(公告)号：CN1670830A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052931.7
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1664941A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510056039.6
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1196116C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN98803649.5
申请日：1998-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/0062 , G11B7/0901 , G11B7/0906 , G11B7/0938 , G11B7/24 , G11B7/24079 , G11B7/246 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316
Abstract: 记录信号时用推挽法或通过机械进给进行跟踪控制，再生时用相位差跟踪法进行跟踪控制，从而可以进行相位差再生、并能实现可重写的相变型光盘。此外，在具有相位差再生结构的相变光盘中，通过使未记录部分的反射率大于记录标记部的反射率，在信号再生时可以稳定地进行伺服控制。
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