公开(公告)号：CN1293442A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN00131773.3

申请日：2000-10-18

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 栎原勉 ,  菰田卓哉 ,  相泽浩一 ,  本多由明 ,  渡部祥文 ,  幡井崇

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022

Abstract: 电子源设有作为导电衬底的n型硅衬底、由氧化的多孔多晶硅构成的偏移层及作为导电薄膜的表面电极。表面电极的形成工艺包括在偏移层上形成Cr构成的第一层,在第一层上形成Au构成的第二层,并使这两层形成合金。表面电极具有对偏移层的较高粘附性和长期稳定性,与简单物质Cr相比,在接近发射电子能量的能量区中的能态密度更低,且电子很少散射,电子发射效率更高。