公开(公告)号：CN1849673A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480026387.2

申请日：2004-11-25

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 相泽浩一 ,  栎原勉 ,  菰田卓哉 ,  池田顺治 ,  马场彻

IPC: G21K5/00 ,  B01J19/08

Abstract: 本发明提供一种使用电子处理和改善目标对象的装置和方法，通过该装置和方法，即使在具有相对宽的表面区域需要处理的时候，也能够在与大气压力基本相等的压力下使用电子均匀且有效地处理和改善目标对象。该方法使用具有根据隧道效应从平面电子发射部分中发射出电子的能力的冷阴极电子发射器，并且优选包括一对电极以及一个包含布置于所述电极之间的纳米晶硅的强场漂移层。通过在所述电极之间施加电压来使目标对象暴露于从该平面电子发射部分中所发射的电子中。优选的是，所发射出的电子的能量从1eV到50keV、优选1eV到100eV的范围中选择。

公开(公告)号：CN1732551A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107724.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 栎原勉 ,  菰田卓哉 ,  相泽浩一 ,  本多由明 ,  马场彻

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/312

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J31/123

Abstract: 场发射型电子源具有在由玻璃衬底构成的绝缘衬底(11)的一个表面(前表面)侧上形成的多个电子源元件(10a)。各电子源元件(10a)包括低电极(12)、由形成在低电极(12)上的非晶硅层构成的缓冲层(14)、在该缓冲层(14)上形成的多晶硅层(3)、在该多晶硅层(3)上形成的强电场漂移层(6)、以及在该强电场漂移层(6)上形成的表面电极(7)。该场发射型电子源可以降低电子发射性能的面内变化。

公开(公告)号：CN1208800C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02148085.0

申请日：2002-10-25

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 菰田卓哉 ,  栎原勉 ,  相泽浩一 ,  本多由明 ,  渡部祥文 ,  幡井崇 ,  竹川宜志 ,  马场徹

IPC: H01J1/304

CPC classification number: G09G3/22 ,  B82Y10/00 ,  G09G2310/0254 ,  G09G2320/043 ,  H01J1/312

Abstract: 一种电子源(10)，具有由下部电极(12)、漂移层(6)、表面电极(7)构成的电子源元件(10a)。漂移层(6)存在于下部电极(12)和表面电极(7)之间。靠在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加使表面电极(7)变为高电位的电压时作用的电场，电子通过漂移层(6)，经表面电极(7)而被发射。在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加了顺偏压(正电压)时，加压结束后外加反偏压(负电压)，漂移层(6)内的收集器(9)捕获的电子向漂移层(6)外发射。由此，电子源(10)的寿命变长。

公开(公告)号：CN1462463A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN02801378.6

申请日：2002-04-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 菰田卓哉 ,  相泽浩一 ,  本多由明 ,  栎原勉 ,  渡部祥文 ,  幡井崇 ,  马场彻 ,  竹川宜志

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n－型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n－型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加给直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n－型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。

公开(公告)号：CN1417827A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02142595.7

申请日：2002-09-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 菰田卓哉 ,  竹川宜志 ,  相泽浩一 ,  幡井崇 ,  栎原勉 ,  本多由明 ,  渡部祥文 ,  马场徹

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e－)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。

公开(公告)号：CN1293442A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN00131773.3

申请日：2000-10-18

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 栎原勉 ,  菰田卓哉 ,  相泽浩一 ,  本多由明 ,  渡部祥文 ,  幡井崇

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022

Abstract: 电子源设有作为导电衬底的n型硅衬底、由氧化的多孔多晶硅构成的偏移层及作为导电薄膜的表面电极。表面电极的形成工艺包括在偏移层上形成Cr构成的第一层,在第一层上形成Au构成的第二层,并使这两层形成合金。表面电极具有对偏移层的较高粘附性和长期稳定性,与简单物质Cr相比,在接近发射电子能量的能量区中的能态密度更低,且电子很少散射,电子发射效率更高。