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公开(公告)号：CN102224119B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200980147310.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/87 , Y10T428/256
Abstract: 本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且，在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此，能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷，同时保持希望的PTC特性，并具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN102245536A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149760.6
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/638 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2235/9661 , H01C7/025 , Y10T428/252
Abstract: 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分至少被碱金属元素、Bi以及稀土元素取代，并且A位与B位的摩尔比m为0.990≤m≤0.999(优选0.990≤m≤0.995)。另外，Ba的一部分用Ca取代，并且将构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时的上述Ca的含量，以摩尔比换算为0.042～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻，部件基体(1)由该半导体陶瓷形成。由此，即使含有碱金属元素，也得到良好的上升特性。
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公开(公告)号：CN102245535A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149759.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2235/9661 , H01C7/025 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明的半导体陶瓷以具有通式AmBO3所示的钙钛矿型结构的BaTiO3系组合物作为主要成分，构成A位的Ba中的一部分被碱金属元素用Bi、Ca、Sr及稀土类元素取代，而且在构成所述A位的元素的总摩尔数设为1摩尔的情况下，所述Ca及Sr的含量以Ca的摩尔比设为x、所述Sr的摩尔比设为y计，满足0.05≤x≤0.20、0.02≤y≤0.12、及2x+5y≤0.7。PTC热敏电阻的部件基体1用该半导体陶瓷形成。并且由此可得到即便含有碱金属元素，Bi也不产生表面变色，即便长时间通电也可以抑制电阻值的经年劣化的可靠性的良好的非铅系的半导体陶瓷。
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公开(公告)号：CN101268527A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034077.4
申请日：2006-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
Abstract: 在本发明的层叠型正特性热敏元件中，半导体陶瓷层以BaTiO3系陶瓷材料为主要成分，并且，Ba位点与Ti位点之比为0.998～1.006，作为半导体化剂而从Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho、Er、Tm选择的至少一种元素相对于Ti100摩尔部含有0.1摩尔部以上0.5摩尔部以下。由此，即便是在实测烧结密度为理论烧结密度的65％～90％等烧结密度低的半导体陶瓷层情况下，也能够实现具有充分大的电阻变化率、且居里点以上的温度下的电阻上升系数高的层叠型正特性热敏元件。
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公开(公告)号：CN1739173A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002193.9
申请日：2004-02-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01G4/232 , H01C1/148 , H01C7/18 , H01L41/0472
Abstract: 形成烧结的叠层主体2，使得内电极4和5的强度大于陶瓷层3的强度。每个内电极4和5的端部18从叠层主体2的端面6和7伸出并通过使用滚球以滚筒抛光处理而被变形，以便沿着端面6和7延伸。当在叠层主体2的端面6和7上形成外电极8和9时，可以得到较大的与内电极的接触面积。从而，高度地保证各电极之间电连接的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1198295C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN01124407.0
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G2/12 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供了一种片式电子元件，这种片式电子元件的玻璃涂层不太可能产生裂缝，陶瓷主体的绝缘电阻也不太可能下降。另外，本发明也提供了一种制造方法。在上面所述的玻璃涂层里，碱金属成份对硅成份的比率从玻璃涂层的附近到玻璃涂层里逐渐增加。元件的生产首先是在其表面形成一玻璃涂层，玻璃涂层里碱金属对硅的比率是0.3或者更多。紧接的一步是将拥有玻璃涂层的元件浸入一酸性水溶液。
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公开(公告)号：CN1487534A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155709.0
申请日：2003-08-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3224 , C04B2235/3262 , H01C7/021 , H01C7/18 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种芯片型电子部件，是一种在形成在陶瓷素体表面上的端子电极的表面上形成镀膜的芯片型电子部件，其特征在于：在所述陶瓷素体的表面上的至少在没有形成所述端子电极的部分形成玻璃层；在成为所述玻璃层的玻璃中含有从从Li、Na和K中选出的碱金属元素中的至少两种，并且所述碱金属元素的原子总量占除去所述玻璃的氧元素的原子总量中的20atom％以上。由此，在陶瓷素体的表面形成玻璃层时，可防止因玻璃层上的皲裂和割裂而造成的向陶瓷素体浸入镀液，并得到了充分的耐压。
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公开(公告)号：CN1334575A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN01124407.0
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G2/12 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供了一种片式电子元件,这种片式电子元件的玻璃涂层不太可能产生裂缝,陶瓷主体的绝缘电阻也不太可能下降。另外,本发明也提供了一种制造方法。在上面所述的玻璃涂层里,碱金属成份对硅成份的比率从玻璃涂层的附近到玻璃涂层里逐渐增加。元件的生产首先是在其表面形成一玻璃涂层,玻璃涂层里碱金属对硅的比率是0.3或者更多。紧接的一步是将拥有玻璃涂层的元件浸入一酸性水溶液。
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公开(公告)号：CN207662247U
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201690000533.2
申请日：2016-03-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: F28D15/04 , F28D15/02 , H01L23/427
CPC classification number: F28D15/0233 , F28D15/02 , F28D15/04 , F28D15/046 , F28D2020/0013 , F28D2021/0028 , F28F21/081 , F28F2255/06 , H01L23/427
Abstract: 本实用新型提供一种热泵，上述热泵构成为具有箱、封入该箱内的工作液、以及吸液芯，上述热泵的特征在于，在上述吸液芯的表面配置有细孔的平均孔径为100nm以下的多孔体。
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公开(公告)号：CN203480966U
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201320308324.2
申请日：2013-05-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本实用新型提供一种散热特性优异的小型层叠型PTC热敏电阻。在1005型以下尺寸的层叠型PTC热敏电阻（1）中，包括：层叠有多个陶瓷片（21）的层叠体（2）；设在层叠体（2）的表面上的外部电极（41、42）；以及夹持在层叠体（2）的陶瓷片（21）之间、并与外部电极（41、42）电连接的至少一个内部电极（31、32）。各内部电极（31、32）的热传导率大于多个陶瓷片（21）的热传导率，并且至少内部电极（31、32）的总重量与层叠型PTC热敏电阻（1）的总重量的比率在0．51［ｗｔ％］以上。
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