公开(公告)号：CN1198295C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN01124407.0

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岸本敦司 ,  儿玉雅弘 ,  新见秀明

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G2/12 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明提供了一种片式电子元件，这种片式电子元件的玻璃涂层不太可能产生裂缝，陶瓷主体的绝缘电阻也不太可能下降。另外，本发明也提供了一种制造方法。在上面所述的玻璃涂层里，碱金属成份对硅成份的比率从玻璃涂层的附近到玻璃涂层里逐渐增加。元件的生产首先是在其表面形成一玻璃涂层，玻璃涂层里碱金属对硅的比率是0.3或者更多。紧接的一步是将拥有玻璃涂层的元件浸入一酸性水溶液。

公开(公告)号：CN1334575A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01124407.0

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岸本敦司 ,  儿玉雅弘 ,  新见秀明

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G2/12 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明提供了一种片式电子元件,这种片式电子元件的玻璃涂层不太可能产生裂缝,陶瓷主体的绝缘电阻也不太可能下降。另外,本发明也提供了一种制造方法。在上面所述的玻璃涂层里,碱金属成份对硅成份的比率从玻璃涂层的附近到玻璃涂层里逐渐增加。元件的生产首先是在其表面形成一玻璃涂层,玻璃涂层里碱金属对硅的比率是0.3或者更多。紧接的一步是将拥有玻璃涂层的元件浸入一酸性水溶液。