公开(公告)号：CN103415467B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201280011482.X

申请日：2012-03-26

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 太田雄介 ,  稻田敬 ,  三代真琴 ,  西川泰司

IPC: C01B31/04

CPC classification number: B01J6/008 ,  C01B32/20 ,  C01P2006/60

Abstract: 在本发明中，通过限制在以下温度范围内对高分子膜实施特殊的热处理，能够抑制在其后的石墨化处理时产生发泡，且即使提高石墨化升温速度也可以获得优质的石墨膜，其中，所述温度范围是指，高分子膜分解初期的从热分解起始温度以上的温度即升温下限值起、至高分子膜的热分解中间温度以下的温度即升温上限值为止的温度范围。

公开(公告)号：CN103193221B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201310088092.9

申请日：2008-05-15

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 太田雄介 ,  若原修平 ,  西川泰司

IPC: C01B31/04 ,  B32B9/04 ,  B32B27/00

CPC classification number: C09K5/14 ,  B32B5/18 ,  B32B7/12 ,  B32B9/007 ,  B32B9/045 ,  B32B27/065 ,  B32B27/281 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/714 ,  B32B2457/00 ,  C01B32/20 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20481 ,  Y10T428/24446 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨膜及其制造方法，所述石墨膜兼备优良热扩散性、及在弯曲部分能经得住使用的优良耐弯曲性，从而能够充分解决电子设备、精密设备等的散热问题。本发明的石墨膜的制造方法的特征在于，是对由高分子膜及／或碳化了的高分子膜形成的原料膜进行石墨化的石墨膜的制造方法，在所述石墨化中，在石墨化最高温度为2800℃以上、向原料膜的厚度方向施加的压力为5.0g／cm2以上且100g／cm2以下、原料膜的层叠片数为10片以上的条件下进行热处理。

公开(公告)号：CN103415467A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280011482.X

申请日：2012-03-26

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 太田雄介 ,  稻田敬 ,  三代真琴 ,  西川泰司

IPC: C01B31/04

CPC classification number: B01J6/008 ,  C01B32/20 ,  C01P2006/60

Abstract: 在本发明中，通过限制在以下温度范围内对高分子膜实施特殊的热处理，能够抑制在其后的石墨化处理时产生发泡，且即使提高石墨化升温速度也可以获得优质的石墨膜，其中，所述温度范围是指，高分子膜分解初期的从热分解起始温度以上的温度即升温下限值起、至高分子膜的热分解中间温度以下的温度即升温上限值为止的温度范围。

公开(公告)号：CN103193221A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310088092.9

申请日：2008-05-15

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 太田雄介 ,  若原修平 ,  西川泰司

IPC: C01B31/04 ,  B32B9/04 ,  B32B27/00

CPC classification number: C09K5/14 ,  B32B5/18 ,  B32B7/12 ,  B32B9/007 ,  B32B9/045 ,  B32B27/065 ,  B32B27/281 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/714 ,  B32B2457/00 ,  C01B32/20 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20481 ,  Y10T428/24446 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨膜及其制造方法，所述石墨膜兼备优良热扩散性、及在弯曲部分能经得住使用的优良耐弯曲性，从而能够充分解决电子设备、精密设备等的散热问题。本发明的石墨膜的制造方法的特征在于，是对由高分子膜及／或碳化了的高分子膜形成的原料膜进行石墨化的石墨膜的制造方法，在所述石墨化中，在石墨化最高温度为2800℃以上、向原料膜的厚度方向施加的压力为5.0g／cm2以上且100g／cm2以下、原料膜的层叠片数为10片以上的条件下进行热处理。

公开(公告)号：CN101687647A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022608.7

申请日：2008-05-15

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 太田雄介 ,  若原修平 ,  西川泰司

IPC: C01B31/04 ,  B32B9/00

CPC classification number: C09K5/14 ,  B32B5/18 ,  B32B7/12 ,  B32B9/007 ,  B32B9/045 ,  B32B27/065 ,  B32B27/281 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/714 ,  B32B2457/00 ,  C01B32/20 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20481 ,  Y10T428/24446 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨膜及石墨复合膜，其兼备优良热扩散性、及在弯曲部分能经得住使用的优良耐弯曲性，从而能够充分解决电子设备、精密设备等的散热问题。本发明的解决方法是采用下述石墨膜，在该石墨膜的MIT耐弯曲试验中，使用15mm宽的长方形试验片，在折弯夹板的曲率半径R为2mm、左右的折弯角度为135°、折弯速度为90次/分钟、载荷为0.98N的条件下，测得的直到折断为止的往返折弯次数为10000次以上。

公开(公告)号：CN106029566A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009408.8

申请日：2015-01-15

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 沓水真琴 ,  加藤裕介 ,  西川泰司 ,  太田雄介

IPC: C01B31/04 ,  C04B35/52 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/3735 ,  B32B18/00 ,  C01B32/20 ,  C01P2004/20 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/82 ,  C04B35/522 ,  C04B2235/787 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/82 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明能通过采用由石墨层层叠而成并且吸水量少的高取向性石墨(10)，来实现一种以不会发生层间剥离的该高取向性石墨(10)为构成成分，且使用时的信赖度高并具有良好散热性的电子设备。

公开(公告)号：CN102811947B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180010401.X

申请日：2011-02-14

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 太田雄介 ,  稻田敬 ,  三代真琴 ,  西川泰司 ,  稻田卓

IPC: C01B31/04

CPC classification number: B32B37/20 ,  B32B7/12 ,  B32B9/007 ,  B32B37/0053 ,  B32B37/12 ,  B32B38/10 ,  B32B38/18 ,  B32B2250/02 ,  B32B2313/04 ,  C01B32/20 ,  C04B35/522 ,  C04B35/524 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/63468 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9638

Abstract: 表现出极低的平均撕裂负荷的石墨膜在其制造步骤及加工步骤中容易发生破裂不良、卷边不齐、褶皱不良、尺寸精度不良等各种不良情况。即便如此，通过使用满足以下条件（1）、（2）的石墨膜，就能抑制这些不良情况。（1）在依照日本工业标准JIS K7128来进行的裤形撕裂试验中，平均撕裂负荷为0.08N以下；（2）在依照日本工业标准JIS C2151来进行的膜卷取性评价中，松弛度为5mm以上且80mm以下。

公开(公告)号：CN102939260B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180026301.6

申请日：2011-05-12

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 太田雄介 ,  稻田敬 ,  三代真琴 ,  稻田卓 ,  西川泰司

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/04 ,  C01B32/20

Abstract: 平坦性差的原料石墨膜在进行与其它材料的层压时会发生产生褶皱等不良情况。特别是对于大面积的石墨膜，往往会发生产生褶皱等不良情况。为了解决该问题而实施平坦性矫正处理工序，该工序中，一边对原料石墨膜施加压力，一边进行热处理直至2000℃以上。通过该平坦性矫正处理，可获得平坦性良好的石墨膜。进一步利用内芯的热膨胀进行矫正时，可获得松弛度小的石墨膜。

公开(公告)号：CN105217608A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510593364.X

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 太田雄介 ,  三代真琴 ,  稻田卓 ,  西川泰司

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C04B35/524 ,  C01B32/19 ,  C01B32/20 ,  C01B32/205 ,  C01B32/225 ,  Y10T428/30

Abstract: 提供长条状、大面积的热扩散性、耐弯曲性、波状起伏得到改善的石墨膜。利用如下的石墨膜的制造方法能够提供波状起伏得到非常大的改善的石墨膜，该石墨膜的制造方法是以在内芯上卷绕由碳化的高分子膜形成的热处理膜的状态，进行石墨化的石墨膜的制造方法，其特征在于，控制内芯和膜及/或膜间的距离来进行热处理。

公开(公告)号：CN103144387B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310087420.3

申请日：2008-05-15

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 太田雄介 ,  若原修平 ,  西川泰司

IPC: B32B27/06 ,  B32B9/04

CPC classification number: C09K5/14 ,  B32B5/18 ,  B32B7/12 ,  B32B9/007 ,  B32B9/045 ,  B32B27/065 ,  B32B27/281 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/714 ,  B32B2457/00 ,  C01B32/20 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20481 ,  Y10T428/24446 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨膜及石墨复合膜，其兼备优良热扩散性、及在弯曲部分能经得住使用的优良耐弯曲性，从而能够充分解决电子设备、精密设备等的散热问题。采用扫描式电子显微镜，在5kV的加速电压下对所述石墨膜进行表面观察，以能够观察该石墨膜的表面的折皱的方式调节亮度、对比度、焦距，按640×480摄入倍率为400倍的表面SEM图像，对于所述表面SEM图像，使用通用图像处理软件实施浓度测定，得到测定值从最小值0到最大值255为止的图像，对该图像按通过下式决定的阈值进行黑白二值化，即阈值＝（最大值－最小值）×0.62，进而将被二值化了的该图像的白色区域按线宽为1进行细线化后，所得到的图像的白色区域的面积为1.0%以上且8.5%以下。