公开(公告)号：CN105428217A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510814405.3

申请日：2015-11-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/225 ,  H01L21/3245 ,  H01L31/03042

Abstract: 本发明公开了一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法，其是采用真空蒸发法，在两层硫化铟薄膜之间蒸发一层很薄的Cu，然后通过热退火使得Cu扩散到硫化铟薄膜中，达到制备Cu掺杂硫化铟薄膜的目的。本发明可以通过控制蒸发Cu的量来控制掺杂浓度，从而起到不同程度降低薄膜电阻率的目的。本发明制备的薄膜可用于作为太阳能电池的缓冲层。

公开(公告)号：CN105390611A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510665569.4

申请日：2015-10-16

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  曾泽村 ,  程树英 ,  林培杰 ,  俞金玲 ,  周海芳 ,  郑巧

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/145 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明涉及一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器及其制备方法，所述存储器包括一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方。本发明的存储器由两个端电极和夹于两电极间的双层存储介质组成，通过参数优选和合理设计，使得该存储器的工作电流为微安级别，这为阻变存储器低功耗运行提供了保证。

公开(公告)号：CN105259490A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510740274.9

申请日：2015-11-04

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  陈涌海 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种区分光致反常霍尔效应本征机制和非本征机制的方法，按照如下步骤实现：选择符合预设条件的闪锌矿半导体量子阱材料；在相同的生长条件下生长两个不同阱宽的半导体量子阱；分别测量两个半导体量子阱的光致反常霍尔效应电流以及普通光电流信号，得到光致反常霍尔电导对普通光电导信号的比值；分别测量两个半导体量子阱的光致电流效应电流，并对应将分别由Rashba以及Dresselhaus自旋轨道耦合引起的光致电流效应电流分离出来；根据测得的光致反常霍尔电导、普通光电导以及光致电流效应电流列方程，并求解出本征和非本征机制对光致反常霍尔效应电流的贡献。本发明结构设计简单，易于操作，有利于日后推广应用。

公开(公告)号：CN105226183A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510678680.7

申请日：2015-10-20

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  曾泽村 ,  邱文彪 ,  程树英 ,  林培杰 ,  俞金玲 ,  周海芳 ,  郑巧

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  C23C14/35 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的左侧；若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的上方。其中，所述的阻变介质层可为双层阻变介质，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构。本发明采用等离子修饰，在介质中或介质表面处引入缺陷，从而有效抑制负向电流值并极大提高正负向电流差值。

公开(公告)号：CN105140317A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510450613.X

申请日：2015-07-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  陈超 ,  周海芳 ,  赖云锋 ,  张红 ,  贾宏杰 ,  俞金玲 ,  郑巧

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/1828

Abstract: 本发明公开了一种Zn(O,S)薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。在真空条件下，通过电子束蒸发的方法蒸发ZnS陶瓷颗粒，使之沉积在玻璃衬底上形成ZnS薄膜，然后通过在氧气氛围下氧化ZnS薄膜的方法掺入O元素，形成Zn(O,S)薄膜。这种方法制作出的Zn(O,S)薄膜可以通过控制氧化温度来实现不同含量的O元素掺杂，它可以代替CdS用于薄膜太阳能电池的缓冲层中，不仅可以使电池器件的生产更加环保经济，而且它操作简单，制备出来的薄膜光学透过率高，禁带宽度大小可以调节，能增加光电子的收集效率从而增大电池的短路电流，提高太阳能电池的转化效率。

公开(公告)号：CN103606591A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310571098.1

申请日：2013-11-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  龙博 ,  赖云锋 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  贾宏杰 ,  张红 ,  郑巧

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0324

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用，使得所制备的薄膜的性能有所提高，具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制，制备成本低廉，操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件，通过测试表明：在500℃的硫化温度下，硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好，其中，光学带隙1.47eV，电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5Ω·cm、1.411cm2/(V·s)和2.165×1016cm-3，适宜作为太阳电池的吸收层材料。

公开(公告)号：CN103257036A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310189745.2

申请日：2013-05-21

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  陈涌海 ,  程树英

IPC: G01M11/02

Abstract: 本发明涉及一种室温下测量垂直腔面发射激光器腔模劈裂的方法，通过光弹性调制器对垂直腔面发射激光器发出的激光进行调制，在光电探测器探测的光强信号中，包含被光弹调制器调制的沿两个互相垂直光学主轴方向偏振的激光出射模式的光强差，通过改变PEM的位相调制幅度φ0（实际上只需改变两次φ0的值），就可以将VCSEL器件沿两个互相垂直光学主轴方向偏振的激光出射模式的光谱分离出来，从而得到腔模劈裂值。本发明可以在室温下用具有普通分辨率的光谱系统准确获得垂直腔面发射激光器的腔模劈裂，且测量设备十分简单，操作步骤简便快捷，有利于日后推广应用。

公开(公告)号：CN111628075B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202010502998.0

申请日：2020-06-05

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  宫泽弘 ,  林培杰 ,  程树英 ,  郑巧 ,  俞金玲

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明提出一种实现多值非挥发存储的方法，通过提升阻变存储器的高低态阻值比，以及增加多值存储时各阻态的区分度来优化其多值非挥发存储性能；阻变存储器的电极之间设有可稳定所述阻变存储器高阻态工况导电通路的多层阻变介质；多层阻变介质包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒；当阻变存储器处于高阻态工况时，所述势垒提升电阻值；第一介质层中分布有可稳定所述阻变存储器低阻态工况导电通路的金属纳米颗粒；当阻变存储器处于低阻态工况时，金属纳米颗粒降低电阻值；本发明通过在存储介质中嵌入纳米颗粒，实现阻变存储器各阻态的区分度的提高并保证器件的数据存储能力。

公开(公告)号：CN116106351A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310074046.7

申请日：2023-01-16

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  稂新杰 ,  程树英

IPC: G01N23/2273 ,  G01N23/2202 ,  G01R19/00 ,  H10N52/01 ,  H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  G01N21/17

Abstract: 本发明提出一种分离三维拓扑绝缘体锑化碲薄膜上下表面态光致反常霍尔电流的方法，该方法利用1064纳米波长的圆偏振光在室温下垂直入射在施加了横向电场的三维拓扑绝缘体锑化碲薄膜上，以诱导光致反常霍尔电流。通过电动平移台使光斑沿着锑化碲薄膜的正方形电极连线的垂直平分线移动，获得了锑化碲薄膜中光致反常霍尔电流与光斑位置的变化曲线，提出了一种分离上下表面态光致反常霍尔电流的理论模型。利用该理论模型中提出的公式拟合得到了锑化碲薄膜的上表面态和下表面态的光致反常霍尔电流的空间分布。本发明直接高效，简单易行，成本低廉，有利于在实际应用中的推广。

公开(公告)号：CN115753646A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211479550.7

申请日：2022-11-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  李冠华 ,  陈涌海 ,  王浩然

IPC: G01N21/27

Abstract: 本发明涉及一种区分p型砷化镓晶向的光电方法，包括：制备p‑GaAs样品及两对条形电极；将样品放置在真空杜瓦瓶里，用引线连接一对电极，并与电压前置放大器相连；激光器发出的激光经过衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器和透镜，使激光垂直入射到样品上；样品在激光照射下产生光电流，输入电压前置放大器，通过第一、二锁相放大器分别提取普通光电流、圆偏振光相关光电流，让样品连续偏转设定次数，每变化设定角度采集一次电流数据；给前置放大器施加电压再重复测试一次；将样品旋转90°，用引线连接另一对电极，重复上述测试过程；对比得到的数据，根据信号大、小区分[110]晶向、晶向。该方法有利于简单、快捷、有效地定位p型砷化镓的晶向。