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公开(公告)号：CN108151931B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201711411078.2
申请日：2017-12-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力的方法，将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，沿着硒化铋样品两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，每一个二分之一波片角度下的光电流通过前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集，对采集数据进行拟合计算，得到硒化铋在线偏振光垂直入射下不同光斑位置处的逆自旋霍尔电流L2，并通过模型拟合，得到硒化铋中由线偏振光产生的自旋横向力。本发明通过线偏振光注入自旋流来实现逆自旋霍尔效应，估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力，方法简单，易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108467018A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810342828.3
申请日：2018-04-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开一种在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法，采用无催化剂辅助的化学气相沉积法，以Bi2Se3粉末为源材料，采用单口石英管的管式炉作为生长设备，根据气固生长机制在云母衬底上生长Bi2Se3纳米片，生长温度为600℃，实验方法简单易行，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN108423643A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810343133.7
申请日：2018-04-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种通过控制气体流量在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法，采用无催化剂辅助的化学气相沉积法，以单口石英管的管式炉为生长设备，采用高纯氩气流量为70 sccm，生长时间为30min，根据气固生长机制在云母衬底上生长Bi2Se3纳米片，实验方法简单易行，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN108151931A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711411078.2
申请日：2017-12-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力的方法，将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，沿着硒化铋样品两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，每一个二分之一波片角度下的光电流通过前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集，对采集数据进行拟合计算，得到硒化铋在线偏振光垂直入射下不同光斑位置处的逆自旋霍尔电流L2，并通过模型拟合，得到硒化铋中由线偏振光产生的自旋横向力。本发明通过线偏振光注入自旋流来实现逆自旋霍尔效应，估算硒化铋中线偏振光产生的自旋横向力，方法简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN108051633A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711411080.X
申请日：2017-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种获得拓扑绝缘体硒化铋反常线偏振光电流的方法，将激光依次通过斩波器、起偏器、二分之一波片，沿着硒化铋样品两电极连线的垂直平分线，将激光光斑从两电极连线的左边按一定距逐渐移动到右边，在每一个光斑位置处，转动二分之一波片从0度到180度，每一个二分之一波片角度下的光电流通过前置放大器和锁相放大器，然后进入数据采集卡并由电脑采集，对采集数据进行拟合计算，得到拓扑绝缘体硒化铋在线偏振光垂直入射下不同光斑位置处的光电流与二分之一波片角度的关系，并通过公式拟合，将不同光斑位置处的反常线偏振光电流提取出来。本发明方法简单，易于实现。
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