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公开(公告)号：CN114570408B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210327134.9
申请日：2022-03-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种负载助催化剂的光催化剂复合材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：在碱性环境下，将预制备的g‑C3N4通过油浴加热回流的方式引入Ni源和Co源，在g‑C3N4表面生长NiCo‑LDH获得NiCo‑LDH/g‑C3N4；其中，所述油浴加热回流时加热温度范围为80～120℃；将制备的NiCo‑LDH/g‑C3N4通过水热反应进行硫化，获得负载助催化剂的光催化剂复合材料NiCo2S4/g‑C3N4。本发明具体提供了一种四硫化二钴合镍/类石墨相氮化碳的复合材料及其制备方法和应用，可克服现有的非贵金属化合物助催化剂性能差的技术缺陷。
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公开(公告)号：CN112811826B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011629802.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种SnS2二维有序纳米孔薄膜、制备方法及其应用，属于纳米材料领域。本发明的SnS2二维有序纳米孔薄膜的制备方法，通过调节SnS2的形貌结构，由PS模板→SnO2大孔薄膜→SnS2大孔薄膜，制备得到二维蜂窝状结构，并分布着SnS2花瓣结构，使得气敏性能大大提高。本发明的SnS2二维有序纳米孔薄膜及其应用，以硫原子代替氧原子，会影响氧空位缺陷将不会受限与氧热力学非平衡态问题，能够获得更加稳定可靠的气敏性能；另一方面，传统SnS2最佳工作温度由传统的250℃最佳降至130℃，气敏性能更加优异，在硫化氢气体中气敏响应可以达到10000％。
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公开(公告)号：CN111252806B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010093571.X
申请日：2020-02-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种二硫化锡‑黑磷复合材料、制备方法及其应用，属于材料制备领域。一种二硫化锡‑黑磷复合材料的制备方法，包括以下步骤：1)将黑磷纳米片分散在无水乙醇内，并依次加入五水四氯化锡和半胱氨酸，得到前驱体溶液；2)将前驱体转移至聚四氟乙烯反应釜后，进行溶剂热反应，将得到的反应产物经离心清洗、干燥后得到二硫化锡‑黑磷复合材料。本发明的制备方法制备得到的二硫化锡‑黑磷复合材料，形貌均匀，性能稳定。发明的二硫化锡‑黑磷复合材料作为气敏材料在NO2气体传感器中的应用，能够在室温下对ppb级别的NO2具有明显且快速的响应和良好的选择性，在气体传感领域具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN113235107A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110472102.3
申请日：2021-04-29
Applicant: 西安交通大学苏州研究院
IPC: C25B1/04 , C25B11/091
Abstract: 本发明公开了一种析氧反应电催化剂及其制备方法，所述析氧反应电催化剂为BP(金属Ax金属By)复合材料；其中，BP为黑磷纳米片，金属A、金属B分别为过渡金属元素，x：y为金属A和金属B的金属盐摩尔量的比值。本发明制备的黑磷基催化剂相较于贵金属催化剂具有成本低廉，但催化性能和稳定性可比肩贵金属催化剂；相对其他黑磷基复合催化剂，方法简单，可节省时间成本和能源成本。
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公开(公告)号：CN111320212B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010177065.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铁/氧化铁纳米颗粒异质结、制备方法及其应用，属于材料制备领域。本发明的制备方法，步骤1)中的反应温度以用于除去气氛中的水分，还能在前驱体溶液形成羟基铁的配合物，步骤2)中的反应温度和时间用以控制FeSe2的形貌与尺寸，防止晶粒尺寸过大或形成纳米片，使其形成的FeSe2纳米颗粒，之后控制氧化温度和时间，以FeSe2纳米颗粒作为基底材料，在空气中氧化使其表面形成Fe2O3，最终形成FeSe2/Fe2O3纳米颗粒异质结。本发明的FeSe2/Fe2O3纳米颗粒为n‑n型异质结，具有高比表面积，能提供高的活性位点，异质结的存在有利于提供更高的载流子迁移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112811826A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011629802.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种SnS2二维有序纳米孔薄膜、制备方法及其应用，属于纳米材料领域。本发明的SnS2二维有序纳米孔薄膜的制备方法，通过调节SnS2的形貌结构，由PS模板→SnO2大孔薄膜→SnS2大孔薄膜，制备得到二维蜂窝状结构，并分布着SnS2花瓣结构，使得气敏性能大大提高。本发明的SnS2二维有序纳米孔薄膜及其应用，以硫原子代替氧原子，会影响氧空位缺陷将不会受限与氧热力学非平衡态问题，能够获得更加稳定可靠的气敏性能；另一方面，传统SnS2最佳工作温度由传统的250℃最佳降至130℃，气敏性能更加优异，在硫化氢气体中气敏响应可以达到10000％。
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公开(公告)号：CN109455774B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201811609878.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni‑Fe‑OH/MoS2/Ni3S2的复合纳米片/碳纤维布的制备方法，包括以下步骤：1)配置前驱体溶液；2)放入碳纤维布，进行水热反应，水热反应生成Ni(OH)2纳米片/碳纤维布；3)将Ni(OH)2纳米片/碳纤维布与(NH4)2MoS4水溶液进行水热反应，得到MoS2/Ni3S2复合纳米片/碳纤维布；4)将MoS2/Ni3S2复合纳米片/碳纤维布置于预设温度的FeCl3和NaNO3的水溶液内，取出清洗干燥后得到最终产物。该制备工艺简单，生产成本低，具有稳定的结构，规则的形貌，较低的过电势和优异的析氢和析氧双重电催化性能，在电催化分解水领域具有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN110302794A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910533241.5
申请日：2019-06-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: B01J23/847 , B01J35/02
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性碳基底的NiAlV三元金属氢氧化物纳米片阵列复合材料及其制备方法，该纳米片阵列附着在柔性碳基底上，NiAlV三元金属氢氧化物中，V本身为多价态金属离子，通过将V掺杂在Ni、Al二元金属氢氧化物中，调控整个材料的电子态结构，增强材料的导电性；引入柔性碳基底，因为碳基底具有导电性，使得柔性碳基底作为导电基层，保证了电化学过程中电子的快速传输，使该材料具有优异的导电性能，表现出优异的电催化析氧性能，同时，很好地解决了双金属氢氧化物导电性差、易脱落、持续稳定性差等问题；本发明制备工艺简单，流程短，安全易操作，仅在水热条件即可制得基于柔性碳基底的NiAlV三元金属氢氧化物纳米片阵列复合材料。
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公开(公告)号：CN110092591A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910294999.8
申请日：2019-04-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种三维有序多孔网络状结构的VO2薄膜及其制备方法和应用，该方法首先通过垂直浸渍法将聚苯乙烯微球堆叠在玻璃衬底上，形成制备VO2薄膜的模板，将该模板浸泡在VO2前驱体溶液中，使得前驱体溶液中V2O5充分填满聚苯乙烯微球之间的缝隙，通过后续的干燥、退火工艺，使得V2O5转化为VO2，同时聚苯乙烯微球受热蒸发，VO2形成三维有序多孔网络状；该薄膜具有完整的三维有序多孔网络状结构。因为整个结构中有孔洞，使得当某一个骨架上的VO2颗粒之间产生断裂时，因为孔洞将其隔开，使得破裂的力被阻隔开，使得相变应力被稀释。
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公开(公告)号：CN109775675A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811607897.9
申请日：2018-12-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B25/08 , H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种Re6P13、制备方法及其与碳材料的复合负极材料的制备方法，通过一步气体输运技术制备出了磷化铼材料，从而制备出更安全的负极材料；磷化铼材料具有棒状结构，具有高的比表面积，有利于与电解液的充分接触，使得锂离子的扩散路程较短，大大提高了其放电比容量与电池的倍率性能，提升其快充快放的性能；通过与碳材料复合，提升了电极导电性，并可通过两者间形成的物理包裹或化学键合的作用保护微观形貌不被破坏，电池倍率性能得到明显的提升；制作氧化铼的气相输运技术，生产过程简单，易于批量制备，具有广阔的应用前景。
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