公开(公告)号：CN112442372A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010908291.X

申请日：2020-09-02

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开新材料有限公司

Inventor： 金喆禹 ,  李光国 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  辛姃河 ,  李宗昊 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包括磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物和由以下式1表示的铵盐：[式1]其中：L1‑L3独立地为取代或未取代的亚烃基，R1‑R4独立地为氢、取代或未取代的烃基基团，以及Xn‑为n价阴离子，其中n为1‑3的整数。

公开(公告)号：CN106252710B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201610393214.9

申请日：2016-06-06

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金镇诚 ,  金喆禹 ,  吴承娟 ,  李光国 ,  李成日

IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/0566 ,  H01M10/0567

Abstract: 本发明提供锂二次电池用电解质和含有其的锂二次电池。本发明的二次电池用电解质具有优异的高温稳定性、优异的低温放电容量和优异的生命周期特性。

公开(公告)号：CN111100641A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911016141.1

申请日：2019-10-24

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开新材料有限公司

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李光国 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  李宗昊 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1] 其中，R1-R6独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C1-C20烃基、C1-C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1-C20-烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C1-C3亚烃基，A为n价基团，n为1-4的整数。

公开(公告)号：CN111100640A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911017313.7

申请日：2019-10-24

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开新材料有限公司

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李帝豪 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C07F9/53 ,  C07F9/50 ,  C07F7/18

Abstract: 本发明提供了一种具有高选择比的蚀刻组合物及其制备方法，所述蚀刻组合物能够选择性地去除氮化物膜并使氧化物膜的蚀刻速率最小化。本发明还提供了一种通过使磷酸酐与下式1表示的硅烷化合物反应而制备的蚀刻组合物添加剂，所述蚀刻组合物添加剂的制备方法和包含所述蚀刻组合物添加剂的蚀刻组合物：[式1]

公开(公告)号：CN105440010B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510593730.1

申请日：2015-09-17

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 金镇诚 ,  金喆禹 ,  吴承娟 ,  李光国 ,  李成日

IPC: C07D319/12 ,  C07D321/08 ,  H01M10/0567

CPC classification number: H01M10/0567 ,  C07D319/12 ,  C07D321/08 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569

Abstract: 本发明提供一种新型化合物、包含其的锂二次电池电解液以及包含本发明的锂二次电池电解液的锂二次电池，本发明的二次电池电解液的高温稳定性、低温放电容量及寿命特性非常优异。